【实用新型】功率半导体组件_力士科技股份有限公司_202020182422.6 

申请/专利权人:力士科技股份有限公司

申请日:2020-02-19

发明/设计人:涂高维

公开(公告)日:2020-09-15

代理机构:北京汉德知识产权代理事务所(普通合伙)

公开(公告)号:CN211507621U

代理人:钱莺勤;王斌腾

主分类号:H01L23/495(20060101)

地址:中国台湾新北市五股区中兴路一段10号9楼之1

分类号:H01L23/495(20060101);H01L23/367(20060101);H01L23/31(20060101)

优先权:["20190814 TW 108210779"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.09.15#授权

摘要:一种功率半导体组件,包括导电片、金氧半导体芯片、封装层、至少一第一导电插塞与汲极接触垫。其中,导电片具有芯片放置区与周围区,周围区是连接芯片放置区。金氧半导体芯片是放置于芯片放置区。此金氧半导体芯片包括闸极区、源极区与汲极区,闸极区与源极区是位于金氧半导体芯片的上表面,汲极区是位于金氧半导体芯片的下表面且连接芯片放置区。封装层是包覆金氧半导体芯片与导电片。第一导电插塞是贯穿封装层且连接周围区。汲极接触垫是设置于封装层的上表面且连接第一导电插塞。

主权项:1.一种功率半导体组件,其特征是,包括:导电片,具有芯片放置区与周围区,上述周围区连接上述芯片放置区;金氧半导体芯片,放置于上述芯片放置区,上述金氧半导体芯片包括闸极区、源极区与汲极区,上述闸极区与上述源极区位于上述金氧半导体芯片的上表面,上述汲极区位于上述金氧半导体芯片的下表面且连接上述芯片放置区;封装层,包覆上述金氧半导体芯片与上述导电片;至少一第一导电插塞,贯穿上述封装层,且连接上述周围区;汲极接触垫,设置于上述封装层的上表面且连接上述第一导电插塞。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 力士科技股份有限公司 功率半导体组件