申请/专利权人：江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;铨芯科技股份有限公司

申请日：2020-02-14

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN211507686U

主分类号：H01L45/00(20060101)

分类号：H01L45/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.09.15#授权

摘要：本实用新型公开了一种相变化存储器，包含下电极、加热器、相变化层以及上电极。下电极包含电性接触的导电芯层以及热阻层，且热阻层围绕导电芯层的外侧面周围。加热器耦接于下电极，相变化层耦接于加热器，且上电极耦接于相变化层。

主权项：1.一种相变化存储器，其特征在于，该相变化存储器包含：一下电极，包含一导电芯层以及一第一热阻层，该第一热阻层围绕该导电芯层的外侧面周围；一加热器，电性连接于该下电极；一相变化层，电性连接于该加热器；以及一上电极，电性连接于该相变化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;铨芯科技股份有限公司 相变化存储器

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