申请/专利权人：格芯公司

申请日：2020-02-07

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111668219A

主分类号：H01L27/11(20060101)

分类号：H01L27/11(20060101)

优先权：["20190307 US 16/295,485"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.10.20#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明涉及集成互补场效应晶体管的结构及SRAM位单元，揭示包括互补场效应晶体管的结构及静态随机访问存储器位单元以及形成此类结构及位单元的方法。第一互补场效应晶体管具有第一储存纳米片晶体管、堆叠于第一储存纳米片晶体管上方的第二储存纳米片晶体管、以及由第一储存纳米片晶体管与第二储存纳米片晶体管共用的第一栅极电极。第二互补场效应晶体管具有第三储存纳米片晶体管、堆叠于第三储存纳米片晶体管上方的第四储存纳米片晶体管、以及由第三储存纳米片晶体管与第四储存纳米片晶体管共用的第二栅极电极。第一栅极电极与第二栅极电极沿纵轴以间隔布置设置。SRAM位单元的所有栅极电极可以1CPP接触多晶硅间距布局设置。

主权项：1.一种结构，包括：静态随机访问存储器位单元，包括第一互补场效应晶体管及第二互补场效应晶体管，该第一互补场效应晶体管包括第一储存纳米片晶体管、堆叠于该第一储存纳米片晶体管上方的第二储存纳米片晶体管、以及由该第一储存纳米片晶体管与该第二储存纳米片晶体管共用的第一栅极电极，且该第二互补场效应晶体管包括第三储存纳米片晶体管、堆叠于该第三储存纳米片晶体管上方的第四储存纳米片晶体管、以及由该第三储存纳米片晶体管与该第四储存纳米片晶体管共用的第二栅极电极，其中，该第一栅极电极与该第二栅极电极沿纵轴以第一间隔布置设置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 格芯公司 集成互补场效应晶体管的结构及SRAM位单元

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