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【发明公布】半导体集成电路_富士电机株式会社_202010078296.4 

申请/专利权人:富士电机株式会社

申请日:2020-02-03

公开(公告)日:2020-09-15

公开(公告)号:CN111664043A

主分类号:F02P3/055(20060101)

分类号:F02P3/055(20060101)

优先权:["20190307 JP 2019-041698"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.09.16#授权;2022.01.11#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要:提供半导体集成电路。能针对对电源短路故障、像浪涌电压那样在短时间急剧变化的高电压保护功率开关元件和控制电路。点火器1在输入端子IN与控制电路12的电源端子之间具有第1降压电路15,在输入端子IN与IGBT11的栅极之间具有第2降压电路16。若因对电源短路故障而向输入端子IN输入电池电压,则第1降压电路15将电池电压降压到控制电路12的电源电压。如果因对电源短路故障而向输入端子输入电池电压,则第2降压电路16将电池电压降压到IGBT11的栅极电压。针对浪涌电压,以齐纳二极管组13以及第1降压电路15和第2降压电路16这两级结构进行减压。

主权项:1.一种半导体集成电路,其特征在于,具备:功率开关元件;控制电路,其将控制所述功率开关元件的栅极电压作为电源电压来使用;静电放电保护器件,其与被输入所述栅极电压的输入端子连接并保护所述功率开关元件和所述控制电路避免其因静电放电而破坏;以及对电源短路保护电路,其在被输入由对电源短路故障引起的高电压时保护所述功率开关元件和所述控制电路避免其因所述高电压而破坏,所述对电源短路保护电路具有:第1降压电路,其配置于被输入所述栅极电压的输入端子与所述控制电路之间,并在被输入了所述高电压时将所述高电压降压到与所述控制电路的所述电源电压的电压接近的电压;以及第2降压电路,其配置于所述输入端子与所述功率开关元件的栅极之间,并在被输入了所述高电压时将所述高电压降压到与所述栅极电压接近的电压。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 富士电机株式会社 半导体集成电路

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