申请/专利权人:株式会社斯库林集团
申请日:2020-01-07
公开(公告)日:2020-09-15
公开(公告)号:CN111668135A
主分类号:H01L21/67(20060101)
分类号:H01L21/67(20060101)
优先权:["20190308 JP 2019-042443"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开
摘要:本发明提供一种能够形成较薄且特性良好的氧化膜的热处理方法及热处理装置。将硅半导体晶片W搬入到腔室6内,在氮气体氛围中,通过来自卤素灯HL的光照射开始半导体晶片W的预加热。当在预加热的中途半导体晶片W的温度达到特定的切换温度时,对腔室6内供给氧气而将腔室6内从氮气体氛围切换为氧气体氛围。然后,通过闪光照射将半导体晶片W的表面进行极短时间的加热。在半导体晶片W的温度为小于切换温度的相对低温时,氧化受到抑制,在其温度成为高温后进行氧化。其结果,能够在半导体晶片W的表面形成致密且与硅基层的界面的缺陷较少的特性良好的较薄氧化膜。
主权项:1.一种热处理方法,其特征在于,通过对基板照射光而将该基板加热从而形成氧化膜,且具备:收容工序,将基板收容到腔室内;加热工序,对所述基板照射光而将所述基板加热;及气体氛围切换工序,当在所述加热工序的中途所述基板达到特定的切换温度时,对所述腔室内供给氧化性气体而将所述腔室内从惰性气体氛围切换为氧化气体氛围。
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权利要求:
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