申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-11-22

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111668230A

主分类号：H01L27/1157(20170101)

分类号：H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权：["20190307 KR 10-2019-0026325"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.02.01#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：公开一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：栅电极，在基底上布置得沿垂直于基底的上表面的第一方向彼此分隔开；上绝缘层，布置在最上面的栅电极上；沟道结构，沿第一方向穿透上绝缘层和栅电极；以及串选择线切割绝缘层，使上绝缘层和最上面的栅电极水平地分离。串选择线切割绝缘层中的每个包括突起，该突起朝向最上面的栅电极突出，并且与第一栅电极位于相同水平上。

主权项：1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：多个栅电极，在基底上布置得沿垂直于基底的上表面的第一方向彼此分隔开；多个绝缘层，布置在所述多个栅电极之间；上绝缘层，布置在所述多个栅电极中的最上面的栅电极上；多个沟道结构，沿第一方向穿透上绝缘层、所述多个栅电极以及所述多个绝缘层，所述多个沟道结构中的每个包括多个层；以及多个串选择线切割绝缘层，使上绝缘层和最上面的栅电极均水平地分离，使得最上面的栅电极是分离的最上面的栅电极，并且上绝缘层是分离的上绝缘层，其中，所述多个串选择线切割绝缘层中的每个包括第一突起，第一突起朝向分离的最上面的栅电极突出，并且与分离的最上面的栅电极位于相同水平处。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体存储器装置

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