申请/专利权人:矽磐微电子(重庆)有限公司
申请日:2019-03-08
公开(公告)日:2020-09-15
公开(公告)号:CN111668118A
主分类号:H01L21/56(20060101)
分类号:H01L21/56(20060101);H01L23/29(20060101);H01L23/14(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.03.01#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开
摘要:本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构,其中,该半导体封装方法包括:在待封装芯片的正面形成缓冲层,在载板上形成粘接层,所述缓冲层的硬度与所述粘接层的硬度的比值为0.9‑1.1;通过所述粘接层将正面形成有缓冲层的所述待封装芯片贴装于所述载板上,所述待封装芯片的背面朝上,正面朝向所述载板;在所述载板之上对所述待封装芯片及所述缓冲层进行封装,形成包封层。
主权项:1.一种半导体封装方法,其特征在于,其包括:在待封装芯片的正面形成缓冲层,在载板上形成粘接层,所述缓冲层的硬度与所述粘接层的硬度的比值为0.9-1.1;通过所述粘接层将正面形成有缓冲层的所述待封装芯片贴装于所述载板上,所述待封装芯片的背面朝上,正面朝向所述载板;在所述载板之上对所述待封装芯片及所述缓冲层进行封装,形成包封层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 矽磐微电子(重庆)有限公司 半导体封装方法及半导体封装结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。