申请/专利权人：旺宏电子股份有限公司

申请日：2019-03-05

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111668306A

主分类号：H01L29/78(20060101)

分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.21#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明公开了一种半导体元件，包括具有第一导电型的衬底、两个栅极结构、具有第二导电型的内掺杂区、具有第二导电型的两个外掺杂区以及具有第二导电型的两个浅掺杂区。两个栅极结构配置在衬底上。内掺杂区位于衬底中。内掺杂区夹在两个栅极结构之间。两个外掺杂区位于衬底中。两个外掺杂区位于内掺杂区、两个栅极结构之外的衬底中。两个浅掺杂区位于衬底中。浅掺杂区包覆外掺杂区的侧壁与底面，且内掺杂区的侧壁与底面不被浅掺杂区所包覆。

主权项：1.一种半导体元件，包括：衬底，具有第一导电型；至少一栅极结构组合，每一所述栅极结构组合包括第一栅极结构与第二栅极结构，所述栅极结构组合配置在所述衬底上；其中包含每一所述栅极结构组合的所述半导体元件，包括：内掺杂区，具有第二导电型，其中所述内掺杂区位于所述衬底中，且所述内掺杂区夹在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间；两个外掺杂区，具有所述第二导电型，其中所述两个外掺杂区位于所述衬底中，且所述两个外掺杂区位于所述内掺杂区、所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之外的所述衬底中；以及两个浅掺杂区，具有所述第二导电型，其中所述两个浅掺杂区位于所述衬底中，所述浅掺杂区包覆所述外掺杂区的侧壁与底面，且所述内掺杂区的侧壁与底面不被所述浅掺杂区所包覆。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 旺宏电子股份有限公司 半导体元件

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