申请/专利权人：索尼公司

申请日：2019-02-06

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111670523A

主分类号：H01S5/183(20060101)

分类号：H01S5/183(20060101);H01S5/343(20060101)

优先权：["20180306 JP 2018-039597"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.02.05#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：该发光元件设置有通过层压以下元件而获得的层压结构：通过层压多个薄膜而形成的第一光反射层41；发光结构20；以及通过层压多个薄膜而形成的第二反光层42。通过层压第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22获得发光结构。在发光结构20中，平行于由有源层23占据的虚构平面形成光吸收材料层7132。Lop的值不同于Λ的值，并且第二光反射层42的厚度Tave具有不同于第二光反射层42的理论厚度TDBR的值，其中，λ0是振荡波长，neq是从有源层到光吸收材料层等效折射率，Lop是从有源层到光吸收材料层的光学距离，并且Λ≡{2m+1λ0}4neq其中，m是等于或大于零的整数。

主权项：1.一种发光元件，包括：堆叠结构，在堆叠状态下，所述堆叠结构包括：第一光反射层，在所述第一光反射层中堆叠有多个薄膜，发光结构，以及第二光反射层，在所述第二光反射层中堆叠有多个薄膜，其中，所述发光结构包括：第一化合物半导体层，有源层，以及第二化合物半导体层，所述第二化合物半导体层从所述第一光反射层侧堆叠，所述发光结构通过光吸收材料层形成，所述光吸收材料层平行于由所述有源层占据的虚拟平面，并且假设从所述有源层发射的且具有最大强度的光的波长为λ0，假设占据从所述有源层到所述光吸收材料层的范围的层的层等效折射率是neq，假设从所述有源层到所述光吸收材料层的光学距离是Lop，并且假设Λ≡{2m+1λ0}4neq其中，m是等于或大于0的整数，则Lop的值是不同于Λ的值，并且所述光吸收材料层所在的一侧的光反射层的厚度Tave是不同于厚度TDBR的值，其中，假设构成所述光吸收材料层所在的一侧的光反射层的薄膜的折射率为ni，并且假设薄膜的总数为l，则TDBR＝∑λ04ni，i＝1,2,3,…,l，并且∑表示从i＝1到i＝l的总和。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 索尼公司 发光元件

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