申请/专利权人：日产化学株式会社

申请日：2019-02-01

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111670410A

主分类号：G03F7/11(20060101)

分类号：G03F7/11(20060101);C08G59/42(20060101);C08K5/372(20060101);C08L63/00(20060101);G03F7/20(20060101)

优先权：["20180202 JP 2018-017167","20180626 JP 2018-121282"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.02.09#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明提供尤其是干蚀刻速度高的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案的形成方法、和半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有具有至少1个二硫醚键的2官能以上化合物、3官能以上化合物和或反应生成物、以及溶剂。所述2官能以上化合物优选是含有二硫醚键的二元羧酸。所述3官能以上化合物优选是含有3个以上环氧基的化合物。

主权项：1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有具有至少1个二硫醚键的2官能以上化合物、3官能以上化合物和溶剂。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 日产化学株式会社 具有二硫醚结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物

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