申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2019-01-29

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111670497A

主分类号：H01L27/02(20060101)

分类号：H01L27/02(20060101);H01L27/06(20060101);H01L21/306(20060101)

优先权：["20180209 US 15/893,110"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.08.29#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本发明描述基于使用掺杂剂调制蚀刻的方法及装置。在制造期间，存储器单元的存储器存储元件可使用影响所述存储器存储元件的后续蚀刻速率的掺杂剂不均匀掺杂。在蚀刻之后，所述存储器存储元件可具有对应于所述不均匀掺杂浓度的不对称几何结构或锥形轮廓。也可使用掺杂剂调制蚀刻形成多层叠存储器装置。不同存储器层叠上的存储器存储元件可具有不同锥形轮廓及不同掺杂梯度。

主权项：1.一种存储器装置，其包括：第一存取线；第二存取线；存储器单元，其与所述第一存取线及所述第二存取线耦合，所述存储器单元包括使用掺杂剂掺杂的存储器存储元件，所述存储器存储元件具有在所述第一存取线与所述第二存取线之间的第一方向上不均匀的所述掺杂剂的浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 用于存储器装置的掺杂剂调制蚀刻

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD