申请/专利权人：豪威科技股份有限公司

申请日：2018-01-31

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN108461511B

主分类号：H01L27/146(20060101)

分类号：H01L27/146(20060101)

优先权：["20170222 US 15/439,793"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.09.15#授权;2018.09.21#实质审查的生效;2018.08.28#公开

摘要：本申请案揭示一种图像传感器、图像系统及图像传感器制造方法。所述图像传感器包含具有前侧及与所述前侧相对的背侧的半导体材料。所述图像传感器还包含浅沟槽隔离STI结构、层间电介质、金属间电介质及接触区。所述STI结构从所述半导体材料的所述前侧延伸到所述半导体材料中。所述层间电介质安置在所述半导体材料的所述前侧与所述金属间电介质之间。所述接触区接近于所述半导体材料的横向边缘而安置。所述接触区包含安置在所述金属间电介质内的金属互连件以及至少部分地安置在所述层间电介质内的多个接触插塞。所述接触区还包含接触垫。所述多个接触插塞耦合在所述接触垫与所述金属互连件之间。

主权项：1.一种图像传感器，其包括：半导体材料，其具有前侧、与所述前侧相对的背侧及横向边缘；浅沟槽隔离STI结构，其从接近于所述前侧的所述横向边缘延伸到所述半导体材料中；层间电介质，其安置在所述半导体材料的所述前侧与金属间电介质之间；以及接触区，其接近于所述半导体材料的所述横向边缘而安置，所述接触区包含：金属互连件，其安置在所述金属间电介质内；多个接触插塞，其至少部分地安置在所述层间电介质内；以及接触垫，其中所述多个接触插塞耦合在所述接触垫与所述金属互连件之间，且所述接触垫与没有延伸到所述半导体材料中的所述STI结构的部分接触。

全文数据：图像传感器、图像系统及图像传感器制造方法技术领域[0001]本发明一般来说涉及半导体图像传感器，且特定来说但非排他性地涉及背侧照明式半导体图像传感器。背景技术[0002]图像传感器已变得无所不在。其广泛地用于数码静态相机、蜂窝式电话、安全摄像机以及医学、汽车及其它应用中。图像传感器的装置架构因对较高分辨率、较低功率消耗、增大的动态范围等日益增长的需求而一直持续快速地发展。这些需求还促进了图像传感器到这些装置中的进一步小型化及集成。[0003]典型图像传感器操作如下。来自外部场景的图像光入射于图像传感器上。图像传感器包含多个光敏元件，使得每一光敏元件吸收入射图像光的一部分。图像传感器中所包含的光敏元件例如，光电二极管在吸收图像光后即刻各自产生图像电荷。所产生的图像电荷的量与图像光的强度成比例。所产生的图像电荷可用于产生表示外部场景的图像。[0004]图像传感器的小型化可减小图像传感器的个别元件之间的距离。此减小的距离可导致增大的对金属污染的易感性。图像传感器的一个元件的金属可无意地污染不同元件。举例来说，电极的铜可扩散或以其它方式传播到图像传感器的半导体材料中，从而导致铜金属污染。金属污染物可充当半导体材料内的深能级陷阱且对图像传感器性能具有不利影响。发明内容[0005]本申请案的一方面涉及一种图像传感器，所述图像传感器包括:半导体材料，其具有前侧及与所述前侧相对的背侧;浅沟槽隔离STI结构，其从所述半导体材料的所述前侧延伸到所述半导体材料中；层间电介质，其安置在所述半导体材料的所述前侧与金属间电介质之间；以及接触区，其接近于所述半导体材料的横向边缘而安置，所述接触区包含:金属互连件，其安置在所述金属间电介质内；多个接触插塞，其至少部分地安置在所述层间电介质内；以及接触垫，其中所述多个接触插塞耦合在所述接触垫与所述金属互连件之间。[0006]本申请案的另一方面涉及一种成像系统，所述成像系统包括:多个光电二极管，其安置在具有前侧及与所述前侧相对的背侧的半导体材料中；浅沟槽隔离STI结构，其从所述半导体材料的所述前侧延伸到所述半导体材料中；层间电介质，其安置在所述半导体材料的所述前侧上;接触区，其接近于所述半导体材料的横向边缘而安置，所述接触区包含：金属互连件；多个接触插塞，其至少部分地安置在所述层间电介质内；接触垫，其中所述多个接触插塞親合在所述接触垫与所述金属互连件之间；以及控制电路及读出电路，其中所述金属互连件包含在所述控制电路或所述读出电路中的至少一者中。[0007]本申请案的另一方面涉及一种图像传感器制造方法，所述方法包括:提供具有前侧及与所述前侧相对的背侧的半导体材料，其中浅沟槽隔离STI结构从所述半导体材料的所述前侧延伸到所述半导体材料中，且其中层间电介质接近于所述半导体材料的所述前侧而安置;在所述层间电介质内形成多个接触插塞，其中所述多个接触插塞从所述层间电介质的第一侧朝向所述半导体材料的所述前侧延伸;在所述层间电介质的所述第一侧处形成耦合到所述多个接触插塞的金属互连件;在形成多个接触插塞之后，通过蚀刻所述半导体材料的至少一部分及所述STI结构而使所述多个接触插塞的第一端从所述半导体材料的所述背侧暴露；以及在使所述多个接触插塞的所述第一端暴露之后，形成耦合到所述多个接触插塞的所述第一端的接触垫，其中所述多个接触插塞安置在所述接触垫与所述金属互连件之间。附图说明[0008]参考以下各图描述本发明的非限制性及非穷尽性实施例，其中除非另有规定，否则在所有各个视图中相似参考编号指代相似部件。[0009]图1A是根据本发明的教示的具有改进的接触区的实例性图像传感器的横截面图解。[0010]图1B是根据本发明的教示的具有改进的接触区的实例性图像传感器的横截面图解。[0011]图1C是根据本发明的教示的具有改进的接触区的实例性图像传感器的横截面图解。[0012]图1D是根据本发明的教示的具有改进的接触区的实例性图像传感器的横截面图解。[0013]图2是图解说明根据本发明的教示的成像系统的一个实例的框图，所述成像系统可包含图1A-1D的图像传感器。[0014]图3图解说明根据本发明的教示的用于形成图1A-1D的具有改进的接触区的图像传感器的实例性方法。[0015]贯穿图式的几个视图，对应参考字符指示对应组件。技术人员将了解，图中的元件是为简单及清晰起见而图解说明的，且未必按比例绘制。举例来说，为帮助改进对本发明的各种实施例的理解，各图中的元件中的一些元件的尺寸可能相对于其它元件被夸大。此外，通常未描绘在商业上可行的实施例中有用或必需的常见而众所周知的元件以便促进对本发明的这各种实施例的较不受阻挡的观察。具体实施方式[0016]本文中描述具有改进的接触区的图像传感器的设备及方法的实例。在以下描述中，陈述众多特定细节以便提供对实例的透彻理解。然而，所属领域的技术人员将认识到，本文中所描述的技术可在不具有所述特定细节中的一或多者的情况下实践或者可利用其它方法、组件、材料等来实践。在其它例子中，未详细展示或描述众所周知的结构、材料或操作以避免混淆某些方面。[0017]在本说明书通篇中对“一个实例”或“一个实施例”的提及意指结合所述实例所描述的特定特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实例中。因此，短语“在一个实例中”或“在一个实施例中”在本说明书通篇的各个位置中的出现未必全部是指同一实例。此外，在一或多个实例中可以任何适合方式组合所述特定特征、结构或特性。[0018]在本说明书通篇中，使用数个技术术语。这些术语应理解为其在所属领域中的普通含义，除非本文中另外具体定义或其使用上下文将另外清晰地暗示。应注意，在本文件中，元件名称与符号可互换使用例如，Si与硅）；然而，其两者具有相同含义。[0019]图1A是具有改进的接触区的实例性图像传感器100-A的横截面图解。图像传感器100-A包含背侧金属106、缓冲层108、半导体材料110包含背侧109、前侧111及横向边缘113、多个光电二极管、浅沟槽隔离STI结构114、接触垫116、层间电介质118、多个接触插塞120及121、金属间电介质122以及金属互连件124及126。[0020]如所图解说明，图像传感器100-A包含具有前侧111及与前侧111相对的背侧109的半导体材料110。半导体材料110包含安置在前侧111与背侧109之间的多个光电二极管。图像传感器100-A还包含安置在半导体材料110上、在背侧金属106与半导体材料110的背侧109之间的缓冲层108OSTI结构114从半导体材料110的前侧111延伸到半导体材料110中。层间电介质118安置在半导体材料110的前侧111与金属间电介质122之间。前侧金属124安置在金属间电介质122内。接触区接近于半导体材料110的横向边缘113而安置。接触区包含金属互连件1况、多个接触插塞120及接触垫116。金属互连件126安置在金属间电介质122内。多个接触插塞120耦合在接触垫116与金属互连件126之间。如所图解说明，多个接触插塞12〇安置在接触垫116与金属互连件126之间。多个接触插塞120至少部分地安置在层间电介质118内且安置在接触垫116与金属互连件126之间。[0021]在一个实例中，缓冲层1〇8、层间电介质118、STI结构114及金属间电介质122的组成可不同。举例来说，层间电介质118及金属间电介质122可具有不同化学组成。[0022]在另一实例中，多个接触插塞120的组成可不同于接触垫116或金属互连件126的组成。举例来说，接触垫116可包含铝或铜中的至少一者。多个接触插塞120可包含钨，且金属互连件126可包含铜。多个接触插塞120可将接触垫116电耦合到金属互连件126以允许信号在图像传感器的前侧与背侧之间传播。[0023]多个接触插塞120可减轻金属污染的风险。举例来说，在图像传感器100-A的制造期间，半导体材料110的背侧109的处理将不使金属互连件126暴露。这是因为接触垫116在半导体材料110的前侧111处停止。多个接触插塞12〇可具有在用于形成接触垫116的蚀刻过程期间不导致金属污染的组成。举例来说，当蚀刻到半导体材料110以形成用于接触垫116的深沟槽时，多个接触插塞120可不对蚀刻过程作出反应，或可具有比将要蚀刻的材料例如，半导体材料110大体上更慢的蚀刻速率。另外，图像传感器100-A可通过使利用同一掩模来蚀刻半导体材料110及缓冲层1〇8所需的光学光刻步骤的数目最小化而帮助减小制造成本。[0024]如所图解说明，sTI结构114可从半导体材料110的横向边缘113朝向接触垫ii6延伸，使得STI结构114的第一部分安置在半导体材料110的横向边缘113与接触垫116之间。STI结构114与接触垫116可经对准使得STI结构114的一侧及接触垫116位于由半导体材料110的前侧形成的平面上。STI结构114的厚度可小于接触垫116的厚度，从而在接近于STI结构114的第一部分的半导体材料110与接触垫lie之间产生沟槽。所述沟槽帮助防止接触垫116与半导体材料no发生短路。[0025]在一个实例中，接触垫116可与STI结构114及层间电介质118介接。如所图解说明，图像传感器100-A可具有在其处接触垫116、STI结构114及层间电介质118相遇的三重点。[0026]图1B是具有改进的接触区的实例性图像传感器100-B的横截面图解。图像传感器100-B类似于图像传感器100-A。然而，一个不同之处在于图像传感器100-B包含安置在层间电介质118内的着落垫132。着落垫132耦合在多个接触插塞120与接触垫116之间。在一个实例中，着落垫132可包含多晶硅。着落垫132还可允许更简单的制造过程，这是因为可使用自对准蚀刻来蚀刻半导体材料110以在到达着落垫132时容易地停止蚀刻半导体材料11〇。着落垫132可充当用以防止金属污染的阻障。在接触垫116的制造期间，着落垫132防止多个接触插塞120或金属互连件126的金属在半导体材料110的蚀刻过程期间被暴露。此外，着落垫132可减小接触垫116与金属互连件126之间的接触电阻。[0027]图1C是具有改进的接触区的实例性图像传感器100-C的横截面图解。图像传感器100-C类似于图像传感器100-B。一个不同之处在于STI结构114的第二部分从STI结构114的第一部分横向延伸，使得第二部分安置在接触垫116与金属互连件126之间。如所图解说明，多个接触插塞120部分地安置在STI结构114的第二部分内。换句话说，多个接触插塞120延伸超过层间电介质118的整个厚度，使得多个接触插塞120至少部分地安置在STI结构114的第二部分内。接触垫116可至少部分地安置在STI结构114内，从而导致STI结构114在第二部分处的厚度小于STI结构114在第一部分处的厚度。[0028]图1D是具有改进的接触区的实例性图像传感器100-D的横截面图解。图像传感器100-D类似于图像传感器100-C。然而，缓冲层108可从半导体材料110的背侧延伸到STI结构114,使得缓冲层108的至少一部分安置在接触垫116与半导体材料110的横向边缘113之间。缓冲层108可防止接触垫116与半导体材料110之间发生短路。缓冲层108可为例如Si02的单层电介质或可由多个电介质层形成。举例来说，缓冲层108可包含第一高k电介质材料，例如作为第一层的Hf02及作为第二层的Si02。第一层可具有小于第二层的厚度，且第一层可安置在半导体材料110与第二层之间。[0029]在一个实例中，接触垫116可具有主要部分及辅助部分。接触垫116的主要部分可接近于半导体材料110的背侧109而安置，使得缓冲层108的至少一部分安置在主要部分与半导体材料110之间。接触垫116的辅助部分可从主要部分朝向多个接触插塞120延伸，以便使接触垫II6与多个接触插塞耦合。辅助部分还可与STI结构114及多个接触插塞120介接。[0030]在另一实例中，接触垫II6在主要部分处的厚度与接近于半导体材料110的背侧109而安置的背侧金属1〇6的厚度相同。接触垫116的主要部分可接近于与半导体材料110的横向边缘113相对的第二横向边缘而安置。接触垫116的辅助部分可接近于半导体材料110的横向边缘113及第二横向边缘两者而安置以形成沟槽。例如Si〇2的电介质可安置在沟槽内以便形成接触垫116的平坦表面。[0031]图2是图解说明成像系统2〇〇的一个实例的框图，所述成像系统可包含图1A-1D的图像传感器100。成像系统200包含像素阵列212、控制电路221、读出电路211及功能逻辑215。尽管图1A-1D中未描绘，但读出电路211及控制电路221可至少部分地安置在图1A-1D的金属间电介质122中。举例来说，金属互连件126可包含在读出电路及控制电路中的至少一者中。[0032]返回参考图2,在一个实例中，像素阵列212是光电二极管或图像传感器像素（例如，像素P1、P2、…、Pn的二维2D阵列。如所图解说明，光电二极管被布置成若干行例如，行R1到Ry及若干列例如，列C1到Cx以获取人、地点、物体等的图像数据，所述图像数据接着可用于再现所述人、地点、物体等的2D图像。然而，在其它实例中，应了解，所述光电二极管不一定要布置成行及列，且可采取其它配置。[0033]在一个实例中，在像素阵列212中的图像传感器光电二极管像素已获取其图像数据或图像电荷之后，所述图像数据由读出电路211读出且接着被传送到功能逻辑215。在各种实例中，读出电路211可包含放大电路、模数转换ADC电路或其它。功能逻辑215可仅存储图像数据或甚至通过应用图像后效应例如，修剪、旋转、移除红眼、调整亮度、调整对比度或其它来操纵图像数据。在一个实施例中，读出电路211可沿着读出列线一次读出一行图像数据所图解说明）或可使用多种其它技术读出所述图像数据未图解说明），例如串行读出或同时全并行读出所有像素。[0034]在一个实例中，控制电路221耦合到像素阵列212以控制像素阵列212中的多个光电二极管的操作。举例来说，控制电路221可产生用于控制图像获取的快门信号。在一个实例中，所述快门信号为用于同时启用像素阵列212内的所有像素以在单一获取窗期间同时捕获其相应图像数据的全局快门信号。在另一实例中，快门信号为滚动快门信号，使得在连续获取窗期间顺序地启用像素的每一列、每一行或每一群组。在另一实例中，图像获取与例如闪光灯等照明效应同步。[0035]在一个实例中，成像系统200可包含在数码相机、移动电话、膝上型计算机等中。另外，成像系统2〇〇可耦合到其它硬件，例如处理器通用处理器或其它处理器）、存储器元件、输出（USB端口、无线发射器、HDMI端口等）、照明闪光灯、电输入（键盘、触摸显示器、跟踪垫、鼠标、麦克风等及或显示器。其它硬件可向成像系统200递送指令、从成像系统200提取图像数据或操纵由成像系统200供应的图像数据。[0036]图3图解说明用于形成图1A-1D的图像传感器的实例性方法300。过程框中的一些或全部过程框在方法3〇0中出现的次序不应被视为限制性。而是，受益于本发明的所属领域的技术人员将理解，可以未图解说明的多种次序或甚至并行地执行方法3〇〇中的一些。此外，方法3〇0可省略某些过程框，以避免使某些方面模糊。另一选择为，方法300可包含在本发明的一些实施例实例中可能并非必需的额外过程框。[0037]过程框301展示提供具有前侧及与前侧相对的背侧的半导体材料。所提供半导体可包含从半导体材料的前侧延伸到半导体材料中的浅沟槽隔离STI结构。层间电介质可接近于半导体材料的前侧而安置。STI结构可安置在半导体材料与层间电介质之间。[0038]过^框303展示在层间电介质内形成多个接触插塞。半导体材料可经定位以从半导体材料的前侧朝向背侧地执行处理步骤。在一个实例中，层间电介质具有第一侧及与第一侧相对的第二侧。层间电介质的第二侧可安置在半导体材料的前侧与层间电介质的第一侧之间。层间电介质中的多个开口可通过从层间电介质的第一侧蚀刻到第二侧而形成。所述多个开口可接近于STI结构而安置。在一个实例中，所述多个开口可经进一步蚀刻使得所述多个开口从半导体材料的前侧至少部分地延伸到STI结构中。所述多个开口可通过使用干法蚀刻技术（例如，CF4等离子体蚀刻）而形成。可使用其它蚀刻方法来形成所述多个开口，例如等离子体蚀刻、离子铣削、減镀等。接着可通过在多个开口内沉积金属而形成多个接触插塞。在一个实例中，多个接触插塞包含钨金属。[0039^在、丨头例中，可通过在半导体材料接近于STI结构的第一侧上沉积着落垫而形成着落垫。所述着落垫可在形成层间电介质之前形成。举例来说，层间电介质可形成于半导体材料的前侧及着落垫两者上。在一个实例中，着落垫可包含多晶硅且可使用例如化学气相沉积等已知技术而形成。着落垫可安置在半导体材料的前侧与多个接触插塞之间。[0040]接着可通过在层间电介质的第一侧上接近于多个接触插塞沉积金属而形成耦合到多个接触插塞的金属互连件。在一个实例中，金属互连件包含铜金属。金属互连件可经由热蒸镀、溉镀等而形成，如所属领域的技术人员可了解。多个接触插塞可安置在STI结构与金属互连件之间。[0041]在形成多个接触插塞之后，半导体材料可被倒置以从半导体材料的背侧朝向前侧地执行处理步骤。[0042]过程框305展示使多个接触插塞的第一端从半导体材料的背侧暴露。深沟槽可通过从半导体材料的背侧朝向前侧地蚀刻半导体材料的至少一部分及ST=结构而形成。深沟槽被蚀刻为足够深的，使得多个接触插塞接近于半导体材料的前侧的第一端被暴露。在一个实例中，形成深沟槽包含完全移除接近于多个接触插塞的半导体材料，且还可包含部分地移除STI结构，以使多个接触插塞的第一端或着落垫暴露。使多个接触插塞的第一端暴露可形成半导体材料的横向边缘。如果图像传感器包含着落垫，那么深沟槽可经蚀刻以在着落垫处停止而非在多个接触插塞的第一端处停止。[0043]过程框3〇7展示形成耦合到多个接触插塞的第一端的接触垫。接触垫可通过在先前形成的深沟槽内沉积金属而形成。在一个实例中，接触垫包含铝金属、铜金属或其组合。接触垫可直接形成于多个接触插塞的顶部或着落垫上。在另一实例中，接触垫的主要部分可不直接沉积在多个接触插塞的顶部上。在一个实例中，接触垫的主要部分可接近于缓冲层及半导体材料而形成，且经由接触垫的辅助部分而耦合到多个接触插塞。多个接触插塞可耦合在接触垫与金属互连件之间以提供穿过半导体材料的电连接。[0044]包含发明摘要中所描述内容的本发明的所图解说明实例的以上描述并非打算为穷尽性的或将本发明限制于所揭示的精确形式。虽然出于说明性目的而在本文中描述了本发明的特定实例，但如所属领域的技术人员将认识到，可在本发明的范围内做出各种修改。[0045]可鉴于以上详细说明对本发明做出这些修改。所附权利要求书中所使用的术语不应理解为将本发明限制于本说明书中所揭示的特定实例。而是，本发明的范围将完全由所附权利要求书来决定，所述权利要求书将根据所创建的权利要求解释原则来加以理解。

权利要求：1.一种图像传感器，其包括：半导体材料，其具有前侧及与所述前侧相对的背侧；浅沟槽隔离STI结构，其从所述半导体材料的所述前侧延伸到所述半导体材料中；层间电介质，其安置在所述半导体材料的所述前侧与金属间电介质之间；以及接触区，其接近于所述半导体材料的横向边缘而安置，所述接触区包含：金属互连件，其安置在所述金属间电介质内；多个接触插塞，其至少部分地安置在所述层间电介质内；以及接触垫，其中所述多个接触插塞耦合在所述接触垫与所述金属互连件之间。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述接触垫包含铝或铜中的至少一者，其中所述多个接触插塞包含钨，且其中所述金属互连件包含铜。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述STI结构从所述半导体材料的所述横向边缘朝向所述接触垫延伸，使得所述STI结构的第一部分安置在所述半导体材料的所述横向边缘与所述接触垫之间。4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中着落垫安置在所述层间电介质内且耦合在所述多个接触插塞与所述接触垫之间。5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述着落垫包含多晶硅。6.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述接触垫至少与所述STI结构及所述层间电介质介接。7.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述STI结构的第二部分从所述第一部分延伸，使得所述STI结构的所述第二部分安置在所述接触垫与所述金属互连件之间，且其中所述多个接触插塞至少部分地安置在所述STI结构的所述第二部分内。8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述STI结构在所述第二部分处的厚度小于所述STI结构在所述第一部分处的厚度。9.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括安置在所述半导体材料的所述背侧上的缓冲层。10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中所述缓冲层从所述半导体材料的所述背侧延伸到所述STI结构，使得所述缓冲层的至少一部分安置在所述接触垫与所述半导体材料的所述横向边缘之间。11.根据权利要求1〇所述的图像传感器，其中所述缓冲层安置在所述半导体材料的所述背侧与所述接触垫的主要部分之间，其中所述接触垫的辅助部分从所述主要部分朝向所述多个接触插塞延伸，且其中所述接触垫的所述辅助部分与所述STI结构及所述多个接触插塞介接。12.根据权利要求11所述的图像传感器，其中所述接触垫在所述主要部分处的厚度与接近于所述半导体材料的所述背侧而安置的背侧金属的厚度相同。13.—种成像系统，其包括：多个光电二极管，其安置在具有前侧及与所述前侧相对的背侧的半导体材料中；浅沟槽隔离STI结构，其从所述半导体材料的所述前侧延伸到所述半导体材料中；层间电介质，其安置在所述半导体材料的所述前侧上；接触区，其接近于所述半导体材料的横向边缘而安置，所述接触区包含：金属互连件；多个接触插塞，其至少部分地安置在所述层间电介质内；接触垫，其中所述多个接触插塞親合在所述接触垫与所述金属互连件之间；以及控制电路及读出电路，其中所述金属互连件包含在所述控制电路或所述读出电路中的至少一者中。14.根据权利要求13所述的成像系统，其中所述STI结构从所述半导体材料的所述横向边缘朝向所述接触垫延伸，使得所述STI结构的第一部分安置在所述半导体材料的所述横向边缘与所述接触垫之间。15.根据权利要求14所述的成像系统，其中所述STI结构的第二部分从所述第一部分延伸，使得所述STI结构的所述第二部分安置在所述接触垫与所述金属互连件之间，且其中所述多个接触插塞延伸穿过所述STI结构的所述第二部分。16.根据权利要求13所述的成像系统，其中所述控制电路至少部分地安置在金属间电介质中且包含所述金属互连件，其中所述层间电介质安置在所述半导体材料与所述金属间电介质之间，且其中所述控制电路控制所述多个光电二极管的操作。17.根据权利要求16所述的成像系统，其进一步包括读出电路，所述读出电路至少部分地安置在所述金属间电介质中且经耦合以从所述多个光电二极管读出图像数据。18.—种图像传感器制造方法，其包括：提供具有前侧及与所述前侧相对的背侧的半导体材料，其中浅沟槽隔离STI结构从所述半导体材料的所述前侧延伸到所述半导体材料中，且其中层间电介质接近于所述半导体材料的所述前侧而安置；在所述层间电介质内形成多个接触插塞，其中所述多个接触插塞从所述层间电介质的第一侧朝向所述半导体材料的所述前侧延伸；在所述层间电介质的所述第一侧处形成耦合到所述多个接触插塞的金属互连件；在形成多个接触插塞之后，通过蚀刻所述半导体材料的至少一部分及所述STI结构而使所述多个接触插塞的第一端从所述半导体材料的所述背侧暴露；以及在使所述多个接触插塞的所述第一端暴露之后，形成耦合到所述多个接触插塞的所述第一端的接触垫，其中所述多个接触插塞安置在所述接触垫与所述金属互连件之间。19.根据权利要求18所述的方法，其中使所述多个接触插塞的所述第一端暴露包含形成所述半导体材料的横向边缘，其中所述STI结构的第一部分安置在所述半导体材料的所述横向边缘与所述接触垫之间，且其中所述多个接触插塞至少部分地安置在所述STI结构内。20.根据权利要求18所述的方法，其进一步包含形成着落垫，所述着落垫位于所述层间电介质内且耦合在所述多个接触插塞与所述接触垫之间。

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