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【发明公布】非易失性存储器件和存储系统_三星电子株式会社_202010484342.0 

申请/专利权人:三星电子株式会社

申请日:2017-07-28

公开(公告)日:2020-09-15

公开(公告)号:CN111667860A

主分类号:G11C7/12(20060101)

分类号:G11C7/12(20060101);G11C8/12(20060101)

优先权:["20160804 KR 10-2016-0099219"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.05.04#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要:一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列,并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量,选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。

主权项:1.一种非易失性存储器件,包括:存储单元阵列,包括对应于不同位线的多个垫,所述多个垫中的每一个包括多个存储块,并且所述多个存储块中的每一个包括连接到多个字线和多个位线的多个单元串;电压产生器,被配置为产生字线电压;页缓冲器电路,通过位线耦接到存储单元阵列并且被配置为向位线提供位线电压;行解码器,被配置为将字线电压传送到多个字线;以及控制电路,被配置为基于来自所述非易失性存储器件外部的命令和地址,控制所述电压产生器、所述行解码器和所述页缓冲器电路,其中,所述控制电路被配置为在多个不同时间间隔中的选择的时间间隔期间,向所述字线中的至少一个或所述位线中的至少一个施加电压,所选择的时间间隔是基于确定所述多个垫中的仅一个垫操作或至少两个垫同时操作而选择的。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 非易失性存储器件和存储系统

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