申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2015-07-28

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN105679359B

主分类号：G11C11/406(20060101)

分类号：G11C11/406(20060101);G11C7/24(20060101)

优先权：["20141208 KR 10-2014-0174913"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.09.15#授权;2017.10.27#实质审查的生效;2016.06.15#公开

摘要：公开了一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括存储体和刷新操作控制单元。存储体包括多个字线。刷新操作控制单元适用于响应智能刷新命令而对多个字线中的目标字线的第一相邻字线组执行第一刷新操作，并在第一刷新操作之后对目标字线的第二相邻字线组执行第二刷新操作。

主权项：1.一种半导体存储器件，包括：存储体，包括多个字线；刷新操作控制单元，适用于：响应智能刷新命令而对所述多个字线中的目标字线的第一相邻字线组执行预定次数的第一刷新操作，并在所述第一刷新操作之后对所述目标字线的第二相邻字线组执行第二刷新操作，其中，当所述目标字线对应于第N字线时，所述第一相邻字线组包括第N-1字线和第N+1字线并且所述第二相邻字线组包括第N-2字线和第N+2字线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体存储器件

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