申请/专利权人：硅电子股份公司

申请日：2019-02-05

公开（公告）日：2020-09-18

公开（公告）号：CN111683792A

主分类号：B24B37/08(20060101)

分类号：B24B37/08(20060101)

优先权：["20180209 DE 102018202059.0"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.26#授权;2020.10.20#实质审查的生效;2020.09.18#公开

摘要：一种抛光半导体晶片的方法，该半导体晶片在分别覆盖有抛光垫21、22的上抛光板11和下抛光板12之间的正面和背面的两面上被同时抛光，其中抛光间隙x1+x2在抛光方法期间其尺寸分阶段变化或连续可变，所述抛光间隙对应于在抛光垫21、22的内边缘B处和外边缘A处与所述半导体晶片接触的上抛光垫21和下抛光垫22的那些表面之间的相应距离之差。

主权项：1.一种抛光半导体晶片的方法，所述半导体晶片在分别覆盖有抛光垫21、22的上抛光板11和下抛光板12之间的正面和背面的两面上被同时抛光，其中抛光间隙x1+x2在抛光方法期间其尺寸分阶段变化或连续可变，所述抛光间隙对应于在所述抛光垫21、22的内边缘B处和外边缘A处与所述半导体晶片接触的上抛光垫21和下抛光垫22的那些表面之间的各距离之差。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 硅电子股份公司 抛光半导体晶片的方法

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