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【发明公布】一种高灵敏度的AlN压电水听器及其制备方法_中北大学_202010557286.9 

申请/专利权人:中北大学

申请日:2020-06-18

公开(公告)日:2020-09-18

公开(公告)号:CN111678585A

主分类号:G01H11/08(20060101)

分类号:G01H11/08(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.08.23#授权;2020.10.20#实质审查的生效;2020.09.18#公开

摘要:本发明公开了一种高灵敏度的基于AlN的压电水听器及其制备方法,该水听器针对常规压电水听器中存在的灵敏度低、机电耦合系数不高以及加工工艺较为繁琐的问题,提出一种新型结构的压电水听器。当如入射的声波使空腔变形时,在空腔的中央因受到拉伸应力而产生正电荷,而在空腔的边缘因受压缩应力而产生负电荷,通过将AlN上Mo电极图案化,在空腔中央形成正电极,空腔边缘形成负电极,进而构成差动放大结构以提高灵敏度和机电耦合系数。本专利与以前相比,水听器的灵敏度具有倍增的效果,且该传感器的工艺流程步骤少,制作简单。

主权项:1.一种高灵敏度的AlN压电水听器,其特征在于:包括SOI基底(1),所述SOI基底的器件硅层上依次溅射沉积下电极层(2)、AlN压电层(3)及上电极层(4),所述上电极层(4)采用干法刻蚀形成图形化后的正电极(5)和图形化后的负电极(6),之后采用等离子增强化学气相淀积生长的SiO2保护层(7),之后刻蚀掉图形化后的正电极(5)和图形化后的负电极(6)上的氧化层,在图形化后的正电极(5)上沉积金属剥离后的正电极焊盘(8),在图形化后的负电极(6)上沉积金属剥离后的负电极焊盘(9),SOI基底的硅衬底刻蚀空腔(10)以释放振动薄膜,所述图形化后的正电极(5)覆盖产生正电荷的区域,所述图形化后的负电极(6)覆盖产生负电荷的区域。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中北大学 一种高灵敏度的AlN压电水听器及其制备方法

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