申请/专利权人：中国人民解放军战略支援部队信息工程大学

申请日：2020-06-22

公开（公告）日：2020-09-18

公开（公告）号：CN111681996A

主分类号：H01L23/31(20060101)

分类号：H01L23/31(20060101);H01L23/60(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.27#授权;2020.10.20#实质审查的生效;2020.09.18#公开

摘要：本发明公开了一种高安全的芯片封装结构及封装方法，通过在半导体衬底上制备埋置槽，并在埋置槽底部制备第一金属屏蔽层，将芯片置于埋置槽中，第一金属屏蔽层结合再布线层中的第二金属屏蔽层，共同构成针对芯片的三维立体金属屏蔽网，对芯片提供了高安全防护，从而实现高安全的芯片封装结构。本发明技术方案能够对芯片提供三维立体的物理防护，有效抵御针对芯片的物理入侵攻击。同时，三维立体金属屏蔽网结构也能够将芯片与外界进行电磁信号的隔离，一方面对芯片工作时产生的电磁辐射信号进行屏蔽，增强芯片抵御电磁侧信道攻击的能力，另一方面，也减小了外界电磁信号对芯片正常工作的干扰，提高了芯片工作的可靠性。

主权项：1.一种高安全的芯片封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：半导体衬底，具有第一表面；设置在所述第一表面的埋置槽，所述埋置槽的表面具有第一金属屏蔽层；设置在所述埋置槽内的芯片；设置在所述第一表面上的再布线层；设置在所述再布线层上的焊球；其中，所述再布线层包括：覆盖所述第一表面以及所述芯片的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层与所述焊球之间的第二绝缘层；位于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的第二金属屏蔽层和金属互联线，所述金属互联线用于连接所述芯片的管脚和所述焊球，所述第二金属屏蔽层与所述金属互联线绝缘。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学 高安全的芯片封装结构及封装方法

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