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【发明公布】具有低位错密度的SiC晶体和从晶体切割的SiC晶片_SK硅德荣有限公司_202010625896.8 

申请/专利权人:SK硅德荣有限公司

申请日:2013-12-20

公开(公告)日:2020-09-18

公开(公告)号:CN111676513A

主分类号:C30B23/00(20060101)

分类号:C30B23/00(20060101);C30B23/02(20060101);C30B23/06(20060101);C30B29/36(20060101)

优先权:["20130205 US 61/761,171","20131018 US 14/058,167"]

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态:2022.12.02#发明专利申请公布后的驳回;2020.10.20#实质审查的生效;2020.09.18#公开

摘要:本发明公开了一种形成SiC晶体的方法,包括将SiC的晶种置于绝缘石墨容器中,以及将所述晶种支撑在搁架上,其中垫圈接触所述晶种的顶部表面和底部表面的周边上的所述晶种,并且其中所述石墨容器不接触所述晶种的侧表面;将Si和C原子源置于所述绝缘石墨容器中,其中所述Si和C原子源供运输到所述晶种以生长所述SiC晶体;将所述石墨容器置于炉中;加热所述炉;排空所述炉;向所述炉充入惰性气体;以及维持所述炉以支持晶体生长,从而形成所述SiC晶体。

主权项:1.一种通过气相运输到晶种上来形成SiC晶体的方法,所述方法包括:a.将硅和碳原子源置于石墨容器中,其中所述硅和碳原子源供运输到所述晶种以生长所述SiC晶体;b.将所述晶种置于所述石墨容器中,并将所述晶种在其周边通过垫圈支撑在所述石墨容器内的搁架上,其中,不使用夹紧、粘结或机械附接将晶种保持在位,以使得晶种在水平方向上不受物理约束的情况下自由热膨胀和收缩;c.将盖子置于所述容器上使得所述盖子不接触所述晶种,其中所述盖子不完全气密封所述石墨容器,所以气态物质从石墨容器内部漏出,所述盖子置于所述晶种的全部面积上,其中晶种的垂直移动收到限制以防止晶种的背面与所述盖子接触d.将所述石墨容器置于真空炉中;e.排空所述炉并建立惰性气体流,并且控制压力在600托的值处;f.将所述炉加热到2,000℃至2,500℃的温度;g.将所述炉排空到10托至100托的压力;h.将所述压力控制在0.1托至100托;i.维持所述炉以支持晶体生长,从而形成所述SiC晶体,同时在整个晶体生长过程中防止所述晶种接触所述盖子,所述垫圈包含定位在所述晶种下方的第一垫圈和定位在所述晶种上方的第二垫圈,防止所述晶种接触所述盖子包括将保持环置于所述晶种与所述盖子之间,所述保持环仅从盖子与晶种的周边上表面垂直重叠区域凸出。

全文数据:

权利要求:

百度查询: SK硅德荣有限公司 具有低位错密度的SiC晶体和从晶体切割的SiC晶片

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