申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2020-07-30

公开（公告）日：2020-09-18

公开（公告）号：CN111681962A

主分类号：H01L21/336(20060101)

分类号：H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101);H01L29/423(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.06.09#授权;2020.10.20#实质审查的生效;2020.09.18#公开

摘要：本发明提供一种屏蔽栅功率器及其制造方法。本发明的屏蔽栅功率器的制造方法中，对第一初始介质层执行第一刻蚀工艺时，还会对第一缺口进行刻蚀而形成第二缺口，相当于通过第一刻蚀工艺对第一缺口进行了修正，使得修正后形成的第二缺口的开口对应的所述第二平面相较于第一缺口的开口对应的第一平面更平，进而在后续继续刻蚀第一初始介质层之前在外延层顶表面形成第二掩模层时，掩模材料通过更平的第二平面填入第二缺口时，更容易填充且填充更充实。从而防止了在刻蚀第一初始介质层形成第一介质层时出现朝向第一初始介质层中心倾蚀严重的现象，避免所形成的第一介质层的局部过薄或缺失等问题，进而在后续形成栅多晶硅后，可确保栅多晶硅与屏蔽栅之间的有效隔离。

主权项：1.一种屏蔽栅功率器的制造方法，其特征在于，提供衬底，并在所述衬底上依次形成外延层和第一掩模层；以所述第一掩模层为掩模刻蚀所述外延层以形成沟槽；在所述沟槽内依次形成屏蔽栅层和第一初始介质层，所述第一初始介质层至少覆盖在所述屏蔽栅层的顶表面，并且所述第一初始介质层的顶表面不低于所述外延层的顶表面；刻蚀去除所述第一掩模层，并在刻蚀过程中还侧向侵蚀所述第一初始介质层，而在所述第一初始介质层的侧边形成第一缺口；对所述第一初始介质层执行第一刻蚀工艺，以首次减薄所述第一初始介质层，并且还刻蚀所述第一缺口以形成第二缺口，所述第二缺口的开口所对应的第二平面相对于所述第一缺口的开口所对应的第一平面更朝向所述沟槽的中心倾斜；对所述第一初始介质层执行第二刻蚀工艺，以再次减薄所述第一初始介质层以形成第一介质层；在所述第一介质层上形成栅多晶硅层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 屏蔽栅功率器及其制造方法

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