申请/专利权人：索尼公司

申请日：2015-08-18

公开（公告）日：2020-09-18

公开（公告）号：CN106463519B

主分类号：H01L27/146(20060101)

分类号：H01L27/146(20060101)

优先权：["20140821 JP 2014-168283","20150717 JP 2015-142580"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.09.18#授权;2017.07.25#实质审查的生效;2017.02.22#公开

摘要：本公开的目的是提供一种成像元件、设置有该成像元件的固态成像装置和电子设备，其中尽管所述成像元件具有简单结构，但是光接收层等却不易受到应力损伤。所述成像元件设置有包括第一电极21、在第一电极21上形成的光接收层23和在所述光接收层23上形成的第二电极22的层叠结构。第二电极22由具有导电性的透明非晶氧化物制成。

主权项：1.一种成像元件，包括：包括第一电极、在第一电极上形成的光接收层和在所述光接收层上形成的第二电极的层叠结构，其中第二电极由具有导电性的透明非晶氧化物制成，其中第二电极具有从光接收层侧第二B层和第二A层的层叠结构，和第二电极的第二A层的功函数的值低于第二电极的第二B层的功函数的值，并且第二电极的第二A层的功函数的值和第二电极的第二B层的功函数的值之间的差为0.1eV～0.2eV。

全文数据：成像元件、固态成像装置和电子设备技术领域[0001]本公开涉及一种成像元件、固态成像装置和电子设备。背景技术[0002]例如，构成图像传感器等的成像元件具有光接收层光电转换层夹在两个电极之间的结构。这种成像元件包括通常光入射到其上的由结晶性IT0构成的透明电极。然而，这种透明电极具有大的内应力。这对光接收层产生应力损伤，经常使成像元件的特性劣化。例如，为了解决由透明电极的内应力导致的这种问题，已知在日本专利申请特开No.2010-003901中存在一种成像元件光电转换元件）。即，该专利公布中公开的成像元件光电转换元件包括配置在一对电极之间的光电转换层以及夹在一对电极中的一个和光电转换层之间的至少一个应力缓冲层。[0003]应力缓冲层具有包含晶体层的层叠结构，具体地，使晶体层和非晶层的每两层总共四层交替层叠的结构。[0004]引用文献列表[0005]专利文献[0006]专利文献1:日本专利申请特开No.2010-003901发明内容[0007]发明所解决的问题[0008]然而，根据上述专利公布中公开的技术，应力缓冲层具有至少四层构成；因此，结构复杂。这使得形成工艺复杂并导致形成应力缓冲层需要较长时间的问题。[0009]因此，本公开的目的是提供一种虽然具有简单结构但是在光接收层等中却不太可能产生应力损伤的成像元件、包括该成像元件的固态成像装置和电子设备。[0010]问题的解决方案[0011]用于实现上述目的的本公开的成像元件具有包括第一电极、在第一电极上形成的光接收层和在所述光接收层上形成的第二电极的层叠结构，其中第二电极由具有导电性的透明非晶氧化物制成。[0012]用于实现上述目的的本公开的固态成像装置包括多个成像元件，其中所述各成像元件具有包括第一电极、在第一电极上形成的光接收层和在所述光接收层上形成的第二电极的层叠结构，以及第二电极由具有导电性的透明非晶氧化物制成。[0013]用于实现上述目的的本公开的电子设备具有包括第一电极、在第一电极上形成的光发射光接收层和在所述光发射光接收层上形成的第二电极的层叠结构，其中第二电极由具有导电性的透明非晶氧化物制成。[0014]发明效果[0015]根据本公开的成像元件、构成本公开的固态成像装置的成像元件和电子设备，由于第二电极是透明的并具有导电性，所以这允许入射光可靠地到达光接收层或光发射光接收层。此外，由于第二电极由非晶氧化物制成，所以在第二电极上的内应力减小。因此，即使不形成具有复杂构成和结构的应力缓冲层，在第二电极的形成过程中也不太可能在光接收层或光发射光接收层中出现应力损伤，成像元件和电子设备的特性就不会劣化。另外，由于第二电极由非晶氧化物制成，所以改善了密封性能。因此，与利用具有常规结晶性的透明电极构成第二电极的情况相比，这个特征确保了抑制成像元件和电子设备的感度的不均匀性。需要指出的是，本说明书中所述的有益效果仅仅是示例性的而不是限制性的。另外，可以提供其他有益效果。附图说明[0016]图1A和图1B是用于说明第一实施例的成像元件等的制造方法的基板等的示意性部分断面图。图1C是第二实施例的成像元件等的示意性部分断面图。[0017]图2是示出求取当在第一实施例中通过溅射法形成第二电极时的氧气引入量氧气分压和第二电极的功函数的值之间的关系的结果的例子的图。[0018]图3A和图3B是从第一实施例和第一比较例的成像元件等获得的I-V曲线的图。图3A示出了亮电流的测量结果，图3B示出了暗电流的测量结果。[0019]图4A和图4B是第一实施例和第一比较例的成像元件等的能量图的概念图。图4C和图4D是示出第一实施例和第一比较例的成像元件等的功函数的值的差和能量图之间的相关性的概念图。[0020]图5是示出检查在第一实施例的第二电极的形成过程中的氧气分压和层叠结构中的内应力之间的关系的结果的图。[0021]图6A和图6B是示出第一比较例和第一实施例的第二电极的X射线衍射分析的结果的曲线图。[0022]图7是第三实施例的固态成像装置的概念图。[0023]图8是示出第三实施例的固态成像装置的构成的图。[0024]图9A是示出由硅半导体基板、LT0膜和透明导电材料形成的层叠结构的翘曲量的测量结果的图。图9B是第二电极由IZ0膜和IT0膜构成的成像元件的图像拍摄的结果和第二电极表面的扫描电子显微照片。具体实施方式[0025]以下参照附图基于实施例对本公开进行说明。然而，本公开不限于这些实施例，并且这些实施例中的各种值和材料都是示例性的。需要指出的是，按以下顺序进行说明。[0026]1.本公开的成像元件和电子设备的总体说明[0027]2.第一实施例成像元件和电子设备）[0028]3.第二实施例第一实施例的变形）[0029]4.第三实施例本公开的固态成像装置）[0030]5•其他[0031]〈本公开的成像元件和电子设备的总体说明〉[0032]根据本公开的成像元件、本公开的固态成像装置中的成像元件和本公开的电子设备，假定当在第一电极和第二电极之间施加〇伏特时在第一电极和第二电极之间流动的暗电流的值为Jd-0安培），并且假定当在第一电极和第二电极之间施加5伏特时在第一电极和第二电极之间流动的暗电流的值为Jd-5安培）。然后，可以构造成满足以下形式:〇.8彡1.2。另外，假定当在第一电极21和第二电极22之间施加超过0伏特至5伏特以下的电压反向偏置电压时在第一电极21和第二电极22之间流动的暗电流的值为Jd安培），满足0.8JdJd-o^1.2〇[0073]另外，第一实施例和第一比较例的电子设备的内部量子效率的值和开关比的值如下表1中所示。需要指出的是，内部量子效率n是生成的电子的数量与入射光子的数量的比值并且可以由下式表示。[0074]n={h*cq•A}IP=1.24AIP[0075]这里，[0076]h:普朗克常数[0077]C:光速[0078]q:电子的电荷[0079]A:入射光的波长wn[0080]I:亮电流，在第一实施例中测量时在1伏特的反向偏置电压下获得的电流值（安培cm2[0081]P:入射光的功率安培cm2[0082]另外，表2示出了第一实施例和第一比较例的第二电极22的表面粗糙度Ra和Rq的测量结果以及光透射率的测量结果。[0083][表1][0084][0085][0086][0087]由于第一比较例的电子设备包括均由IT0制成的第二电极和第一电极，所以如示出了能量图的概念图的图4B所示，第一电极的功函数的值和第二电极的功函数的值之间没有差。因此，来自第一电极的空穴容易流入第二电极中，因此，暗电流增大。另外，由于第一电极的功函数的值和第二电极的功函数的值之间没有差，所以当提取电子和空穴时，不存在电位梯度（即，在光接收层等中不产生内部电场）。这使得难以顺畅地提取电子和空穴参照图4D中的概念图）。另一方面，第一实施例的电子设备包括由IZ0制成的第二电极和由IT0制成的第一电极。第一电极的功函数的值和第二电极的功函数的值之间的差为〇.4eV以上。图4A示出了能量图的概念图。因此，由于确保了防止来自第一电极的空穴流入第二电极中，所以可以抑制暗电流的产生。另外，由于第一电极的功函数的值和第二电极的功函数的值之间的差为〇.4eV以上，所以在提取电子和空穴时产生电位梯度（即，在光接收层等中产生内部电场）。施加这种电位梯度确保了电子和空穴的顺畅提取参照图4C中的概念图）。[0088]另外，检查第二电极22的成膜期间的氧气分压和层叠结构的内应力之间的关系。作为溅射装置，采用平行平板溅射装置或DC磁控溅射装置，将氩Ar气用作工艺气体，并且将InZnO烧结体用作靶。图5示出了结果。这里，图5中的横轴表示氧气分压02气压力Ar气和02气压力的和），纵轴表示层叠结构的内应力（单位:MPa。另外，图5所示的数据是通过在玻璃基板上按顺序形成厚度为l〇〇nm的由IT0制成的第一电极、厚度为100nm的由喹吖啶酮制成的光接收层等以及厚度为lOOnm的由非晶氧化物IZO制成的第二电极第一实施例）或厚度为l〇〇nm的由结晶性氧化物IT0制成的第二电极第一比较例获得的层叠结构的数据。需要指出的是，在室温具体地，22°C~28°C下通过溅射法形成IZ0膜或IT0膜。另外，层叠结构在硅晶片上形成。使用市售的薄膜应力测量装置通过公知的方法测量内应力。[0089]另外，将所获得的第二电极进行X射线衍射试验。图6A和图6B示出了结果。需要指出的是，图6A是示出第一比较例的第二电极的X射线衍射分析结果的曲线图。图6B是示出第一实施例的第二电极的X射线衍射分析结果的曲线图。从图6B可以发现，无论成膜条件如何，第一实施例的第二电极都是非晶的。另外，从图6A可以发现，第一比较例的第二电极具有高的结晶性。需要指出的是，图6B中的曲线图的"a"、"b"、"c"和"d"表示成膜条件的差异。曲线图"a"表示溅射输入电力为200瓦特的情况下的数据。曲线图"b"表示溅射输入电力为150瓦特的情况下的数据。曲线图"c"表示溅射输入电力为100瓦特的情况下的数据。曲线图"d"表示溅射输入电力为50瓦特的情况下的数据。[0090]另外，从图5可以发现，根据第一实施例的成像元件和电子设备，层叠结构具有压应力为lOMPa~50MPa的内应力。另一方面，根据第一比较例的成像元件和电子设备，可以发现层叠结构具有相当高的压应力为150MPa~180MPa的内应力。将在硅晶片上形成的测量应力的层叠结构的各自样品在丙酮中浸渍30秒。其后，使用光学显微镜放大倍率:5倍观察绝缘层的状态。结果，第一实施例在浸渍前后没有变化。另一方面，在第一比较例中，在光接收层等和第二电极之间发现部分剥离。因而，该测试发现，由非晶氧化物构成第二电极22允许在第二电极22的形成期间可靠地抑制光接收层等中的应力损伤。[0091]接着，检查第一实施例的第二电极的密封性能。具体地，评价第二电极的渗透性。为了评价渗透性，具体地，在硅半导体基板上形成厚度为〇.1M1的低温氧化物（LT0，低温CVD-Si02膜。在该LT0膜上形成构成第二电极的透明导电材料。然后，置于大气中，并且测量由硅半导体基板、LT0膜和透明导电材料形成的层叠结构的翘曲量，该翘曲通过由LT0膜经由透明导电材料吸收大气中的水汽而随着时间发生和改变。[0092]图9A示出了具有不同内应力的IT0膜和IZ0膜中的翘曲量的测量结果。这里，在图9A中，〃A〃表示内应力为-1OMPa压应力：1OMPa的IZ0膜的测量结果，〃B〃表示内应力为-50MPa压应力：50MPa的IZ0膜的测量结果，〃C〃表示内应力为-250MPa压应力：250MPa的IT0膜的测量结果。可以发现，与IT0膜相比，IZ0膜具有高的密封性能低渗透性）。[0093]从内应力为_250MPa的IZ0膜和内应力为_50MPa的IT0膜制作包括第二电极的成像元件第一实施例的成像元件和第一比较例的成像元件的样品。图9B示出了由这些成像元件构成的成像装置的图像拍摄的结果。图9B也示出了IZ0膜和IT0膜的表面的扫描电子显微照片。从图9B可以看出，很明显的是包括由IZ0膜构成的第二电极的第一实施例的成像元件的图像拍摄的结果与包括由IT0膜构成的第二电极的第一比较例的成像元件的图像拍摄的结果相比，显著改善了感度的不均匀性。据认为由于非晶IZ0膜所引起的密封性能的改善渗透性的劣化对感度不均匀性的降低具有显著贡献。此外，据认为，从表面的扫描电子显微照片可以看出，由于IT0膜具有结晶性，所以水汽很可能容易侵入。另一方面，IZ0膜是非结晶性的，因此均匀，从而抑制了水汽的侵入。[0094]其中第二电极22由IGZ0而不是IZ0制成的情况也获得了与上述结果类似的结果。[0095]如上所述，由于第一实施例的成像元件和电子设备包括具有导电性的透明第二电极，所以入射光可以可靠地到达光接收层等。此外，由于第二电极由非晶氧化物制成，所以在第二电极上的内应力减小。因此，即使不形成具有复杂构成和结构的应力缓冲层，在第二电极的形成期间在光接收层等中也不太可能发生应力损伤。此外，根据第一实施例的成像元件和电子设备，由于规定了第一电极的功函数的值和第二电极的功函数的值之间的差，所以当在第二电极和第一电极之间施加偏置电压更具体地，反向偏置电压时，可以基于功函数的值的差在光接收层等中产生大的内部电场。因此，可以实现内部量子效率的提高，即，可以实现光电流的增大，并且也可以抑制暗电流。此外，由于第二电极的表面相当光滑，所以可以抑制第二电极中的表面漫反射。因此，减少了入射到第二电极中的光的表面反射。这确保了抑制经由第二电极入射到光接收层等中的光的光量的损失，从而确保了进一步提高光电转换的亮电流特性。另外，第一实施例的第二电极具有高的密封性能和低的渗透性，从而显著改善了第一实施例的成像元件和电子设备的感度的不均匀性。[0096]第二实施例[0097]第二实施例是第一实施例的变形。图1C示出了第二实施例的电子设备的示意性部分断面图。[0098]第二实施例的电子设备包括在光接收层等侧具有第二B层22B和第二A层22A的层叠结构的第二电极22。第二电极22的第二A层22A的功函数的值低于第二电极22的第二B层22B的功函数的值。具体地，第二电极22的第二A层22A的功函数的值和第二电极22的第二B层22B的功函数的值之间的差为0.1eV~0.2eV，更具体地，为0.15eV。第一电极21的功函数的值和第二电极22的第二A层22A的功函数的值之间的差为0.4eV以上。另外，第二电极22的厚度为1XHTV~1.5Xlr7m，具体地，为50nm，并且第二电极22的第二A层22A的厚度与第二电极22的第二B层22B的厚度之比为91~19，具体地，为91。在第二实施例中，设定第一电极21的功函数的值和第二电极22的第二A层22A的功函数的值之间的差为0.4eV以上而同样基于功函数的值的差在光接收层等中产生内部电场，因而实现了内部量子效率的提高。这里，假定第二六层22六的组成为1~6&，六1以1〇心第二8层228的组成为1113，（6&，六1^21^，Od1，满足a=a'，b=b'，和c=c'，并且d〈d'。[0099]在第二实施例的电子设备的电极的形成方法中，在与第一实施例的[步骤110]相似的步骤中，例如，如图2中的图所示，控制通过溅射法形成时的氧气引入量来控制第二电极22的第二A层22A和第二B层22B的功函数的值。[0100]根据第二实施例的电子设备，第二电极由第二A层和第二B层构成并且还规定了第二A层和第二B层的功函数之间的差。这确保了实现第二电极的功函数的优化，进一步使得载流子的交换移动容易。[0101][第三实施例][0102]第三实施例涉及本公开的固态成像装置。第三实施例的固态成像装置包括第一实施例和第二实施例的多个成像元件光电转换元件）。[0103]图7示出了第三实施例的固态成像装置的概念图，图8示出了第三实施例的固态成像装置的构成。第三实施例的成像装置100由固态成像装置40和公知的透镜组101、数字信号处理器DSP102、帧存储器103、显示装置104、存储装置105、操作系统106和电源系统107构成。这些部件与总线108电连接。然后，第三实施例的固态成像装置40由其中在半导体基板例如，硅半导体基板上的第一实施例和第二实施例中所述的成像元件30配置成二维阵列图案的成像区域41以及作为其外围电路的垂直驱动电路42、列信号处理电路43、水平驱动电路44、输出电路45和控制电路46等构成。需要指出的是，很明显的是，这些电路可以由公知的电路构成或可以使用其他电路构成例如，常规CCD成像装置和CMOS成像装置中所使用的各种电路来构成。[0104]控制电路46基于垂直同步信号、水平同步信号和主时钟生成用作垂直驱动电路42、列信号处理电路43和水平驱动电路44的操作基准的时钟信号和控制信号。然后，将所产生的时钟信号和控制信号输入到垂直驱动电路42、列信号处理电路43和水平驱动电路44。[0105]例如，垂直驱动电路42由移位寄存器构成并以行为单位在垂直方向上顺序选择和扫描成像区域41中的各成像元件30。然后，将基于根据各成像元件30中接收的光量生成的电流信号）的像素信号经由垂直信号线47发送到列信号处理电路43。[0106]例如，列信号处理电路43针对成像元件30的各列设置。对从一行成像元件30输出的信号通过来自黑色基准像素尽管未示出，但是黑色基准像素在有效像素区域的周边区域形成）的信号来进行噪声去除和放大信号的信号处理。在列信号处理电路43的输出阶段，水平选择开关未示出）连接设置在列信号处理电路43和水平信号线48之间。[0107]例如，水平驱动电路44由移位寄存器构成。顺序输出水平扫描脉冲来顺序选择每个列信号处理电路43并将来自各列信号处理电路43的信号输出到水平信号线48。[0108]输出电路45对从各列信号处理电路43经由水平信号线48顺序供给的信号进行信号处理并输出信号。[0109]取决于构成光接收层等的材料，由于光接收层等本身可以具有充当滤色片的构成。这确保了在不设置滤色片的情况下进行颜色分离。然而，根据情况，可以在成像元件30的光入射侧的上方设置透过诸如红色、绿色、蓝色、青色、品红色和黄色等特定波长的公知滤色片。此外，固态成像装置可以是前面照射型的，也可以是背面照射型的。另外，必要时，可以设置控制入射到成像元件30的入射光的快门。[0110]以上基于优选实施例对本公开进行了说明；然而，本公开不限于这些实施例。用于实施例中所述的成像元件、电子设备和固态成像装置的结构、构成、制造条件、制造方法和材料是示例性的并且可以进行适当改变。为了使本公开的电子设备充当太阳能电池，仅需要在其中在第二电极和第一电极之间未施加电压的状态下用光照射光接收层等。另外，光学传感器和图像传感器可以用本公开的电子设备构成。[0111]需要指出的是，以下构成也可以适用于本公开。[0112][A01]-种成像元件，包括：[0113]包括第一电极、在第一电极上形成的光接收层和在所述光接收层上形成的第二电极的层叠结构，[0114]其中第二电极由具有导电性的透明非晶氧化物制成。[0115][A02]根据[A01]所述的成像元件，[0116]其中假定当在第一电极和第二电极之间施加0伏特时在第一电极和第二电极之间流动的暗电流的值为Jd-o安培），并且假定当在第一电极和第二电极之间施加5伏特时在第一电极和第二电极之间流动的暗电流的值为Jd-5安培），满足〇.8Jd-5Jd-Ql.2。[0117][A03]根据[A01]或[A02]所述的成像元件，其中所述层叠结构具有压应力为lOMPa~50MPa的内应力。[0118][A04]根据[A01]~[A03]中任一项所述的成像元件，其中第二电极具有Ra为1.5nm以下并且Rq为2.5nm以下的表面粗糙度。[0119][A05]根据[A01]~[A04]中任一项所述的成像元件，其中第二电极的功函数为4.5eV以下。[0120][A06]根据[A05]所述的成像元件，其中第二电极的功函数的值为4.leV~4.5eV。[0121][A07]根据[A01]~[A06]中任一项所述的成像元件，其中第二电极相对于波长为400nm~660nm的光的光透射率为75%以上。[0122][A08]根据[A01]~[A07]中任一项所述的成像元件，其中第二电极的电阻值为1X10-6Q•cm以下。[0123][A09]根据[A01]~[A08]中任一项所述的成像元件，其中第二电极的面电阻值为3x10Q~1XI。'Q：[0124][A10]根据[A01]~[A09]中任一项所述的成像元件，其中第二电极的厚度为IX10-V~1.5X10-7m〇[0125][All]根据[A10]所述的成像元件，其中第二电极的厚度为2XlOAi~1XlT7m。[0126][A12]根据[A01]~[All]中任一项所述的成像元件，其中第二电极由通过向选自氧化铟、氧化锡和氧化锌的一种材料中添加或掺杂选自铝、镓、锡和铟的至少一种材料所形成的材料制成。[0127][A13]根据[A01]~[All]中任一项所述的成像元件，其中第二电极由InaGa，AlbZnc0d制成。[0128][A14]根据[A12]或[A13]所述的成像元件，其中第二电极的功函数的值和第一电极的功函数的值之间的差为〇.4eV以上。[0129][A15]根据[A14]所述的成像元件，其中设定第二电极的功函数的值和第一电极的功函数的值之间的差为〇.4eV以上而基于功函数的值的差在光接收层中产生内部电场并且实现内部量子效率的提高。[0130][A16]根据[A13]所述的成像元件，[0131]其中第二电极具有从光接收层侧第二B层和第二A层的层叠结构，和[0132]第二电极的第二A层的功函数的值低于第二电极的第二B层的功函数的值。[0133][A17]根据[A16]所述的成像元件，其中第二电极的第二A层的功函数的值和第二电极的第二B层的功函数的值之间的差为0.leV~0.2eV。[0134][A18]根据[A16]或[A17]所述的成像元件，其中第一电极的功函数的值和第二电极的第二A层的功函数的值之间的差为0.4eV以上。[0135][A19]根据[A18]所述的成像元件，其中设定第一电极的功函数的值和第二电极的第二A层的功函数的值之间的差为0.4eV以上而基于功函数的值的差在光接收层中产生内部电场并且实现内部量子效率的提高。[0136][A20]根据[A16]~[A19]中任一项所述的成像元件，其中第二电极的厚度为IXlT8m~1.5XlT7m并且第二电极的第二A层的厚度与第二电极的第二B层的厚度之比为91~19〇[0137][A21]根据[A01]~[A20]中任一项所述的成像元件，其中第二电极由铟-镓氧化物、掺杂铟的镓锌氧化物、掺杂氧化铝的氧化锌、铟锌氧化物或掺杂镓的氧化锌制成。[0138][A22]根据[A01]~[A21]中任一项所述的成像元件，其中第一电极由铟锡氧化物、铟锌氧化物或氧化锡制成。[0139][A23]根据[A01]~[A22]中任一项所述的成像元件，其中控制通过溅射法形成第二电极时的氧气引入量来控制第二电极的功函数的值。[0140][A24]根据[A01]~[A23]中任一项所述的成像元件，其中第二电极中的氧含量小于化学计量组成的氧含量。[0141][B01]-种包括多个成像元件的固态成像装置，[0142]其中所述各成像元件具有包括第一电极、在第一电极上形成的光接收层和在所述光接收层上形成的第二电极的层叠结构，以及[0143]第二电极由具有导电性的透明非晶氧化物制成。[0144][B02]-种包括多个根据[A01]~[A24]中任一项所述的成像元件的固态成像装置。[0145][C01]一种电子设备，包括：[0146]包括第一电极、在第一电极上形成的光发射光接收层和在所述光发射光接收层上形成的第二电极的层叠结构，[0147]其中第二电极由具有导电性的透明非晶氧化物制成。[0M8][C02]根据[C01]所述的电子设备，其中假定当在第一电极和第二电极之间施加0伏特时在第一电极和第二电极之间流动的暗电流的值为Jd-o安培），并且假定当在第一电极和第二电极之间施加5伏特时在第一电极和第二电极之间流动的暗电流的值为Jd-5安培），满足0.8彡Jd-sJd-〇彡1.2。[0149][C03]根据[C01]或[C02]所述的电子设备，其中所述层叠结构具有压应力为lOMPa~50MPa的内应力。[0150][C04]根据[C01]~[C03]中任一项所述的电子设备，其中第二电极具有Ra为1.5nm以下并且Rq为2.5nm以下的表面粗糙度。[0151][C05]根据[C01]~[C04]中任一项所述的电子设备，其中第二电极的功函数为4.5eV以下。[0152][C06]根据[C05]所述的电子设备，其中第二电极的功函数的值为4.leV~4.5eV。[0153][C07]根据[C01]~[C06]中任一项所述的电子设备，其中第二电极相对于波长为400nm~660nm的光的光透射率为75%以上。[0154][C08]根据[C01]~[C07]中任一项所述的电子设备，其中第二电极的电阻值为1X10-6Q•cm以下。[0155][C09]根据[C01]~[C08]中任一项所述的电子设备，其中第二电极的面电阻值为3X10OD-lx1〇'3〇□.[0156][C10]根据[C01]~[C09]中任一项所述的电子设备，其中第二电极的厚度为IX10-V~1.5X10-7m〇[0157][C11]根据[C10]所述的电子设备，其中第二电极的厚度为2XlT8m~1XlT7m。[0158][C12]根据[C01]~[C11]中任一项所述的电子设备，其中第二电极由通过向选自氧化铟、氧化锡和氧化锌的一种材料中添加或掺杂选自铝、镓、锡和铟的至少一种材料所形成的材料制成。[0159][C13]根据[C01]~[C11]中任一项所述的电子设备，其中第二电极由InaGa，AlbZnc0d制成。[0160][C14]根据[C12]或[C13]所述的电子设备，其中第二电极的功函数的值和第一电极的功函数的值之间的差为〇.4eV以上。[0161][C15]根据[C14]所述的电子设备，其中设定第二电极的功函数的值和第一电极的功函数的值之间的差为〇.4eV以上而基于功函数的值的差在光接收层中产生内部电场并且实现内部量子效率的提高。[0162][C16]根据[C13]所述的电子设备，其中第二电极具有从光发射光接收层侧由第二B层和第二A层构成的层叠结构，和第二电极的第二A层的功函数的值低于第二电极的第二B层的功函数的值。[0163][C17]根据[C16]所述的电子设备，其中第二电极的第二A层的功函数的值和第二电极的第二B层的功函数的值之间的差为0.leV~0.2eV。[0164][C18]根据[C16]或[C17]所述的电子设备，其中第一电极的功函数的值和第二电极的第二A层的功函数的值之间的差为0.4eV以上。[0165][C19]根据[C18]所述的电子设备，其中设定第一电极的功函数的值和第二电极的第二A层的功函数的值之间的差为0.4eV以上而基于功函数的值的差在光发射光接收层中产生内部电场并且实现内部量子效率的提高。[0166][C20]根据[C16]~[C19]中任一项所述的电子设备，其中第二电极的厚度为IXlT8m~1.5XlT7m并且第二电极的第二A层的厚度与第二电极的第二B层的厚度之比为91~19〇[0167][C21]根据[C01]~[C20]中任一项所述的电子设备，其中第二电极由铟-镓氧化物、掺杂铟的镓锌氧化物、掺杂氧化铝的氧化锌、铟锌氧化物或掺杂镓的氧化锌制成。[0168][C22]根据[C01]~[C21]中任一项所述的电子设备，其中第一电极由铟锡氧化物、铟锌氧化物或氧化锡制成。[0169][C23]根据[C01]~[C22]中任一项所述的电子设备，其中控制通过溅射法形成第二电极时的氧气引入量来控制第二电极的功函数的值。[0170][C24]根据[C01]~[C23]中任一项所述的电子设备，其中第二电极中的氧含量小于化学计量组成的氧含量。[0171]附图标记列表[0172]10基板[0173]11配线[0174]12绝缘层[0175]13开口部[0176]21第一电极[0177]22第二电极[0178]22A第二电极的第二A层[0179]22B第二电极的第二B层[0180]23光接收层或光发射光接收层光接收层等）[0181]30成像元件[0182]40固态成像装置[0183]41成像区域[0184]42垂直驱动电路[0185]43列信号处理电路[0186]44水平驱动电路[0187]45输出电路[0188]46控制电路[0189]47垂直信号线[0190]48水平信号线[0191]101透镜组[0192]102数字信号处理器DSP[0193]103帧存储器[0194]104显示装置[0195]105存储装置[0196]106操作系统[0197]107电源系统[0198]108总线

权利要求：1.一种成像元件，包括：包括第一电极、在第一电极上形成的光接收层和在所述光接收层上形成的第二电极的层叠结构，其中第二电极由具有导电性的透明非晶氧化物制成。2.根据权利要求1所述的成像元件，其中假定当在第一电极和第二电极之间施加〇伏特时在第一电极和第二电极之间流动的暗电流的值为Jd-o安培），并且假定当在第一电极和第二电极之间施加5伏特时在第一电极和第二电极之间流动的暗电流的值为Jd-5安培），满足〇.8Jd-5Jd-Ql.2。3.根据权利要求1所述的成像元件，其中所述层叠结构具有压应力为lOMPa~50MPa的内应力。4.根据权利要求1所述的成像元件，其中第二电极具有Ra为1.5nm以下并且Rq为2.5nm以下的表面粗糙度。5.根据权利要求1所述的成像元件，其中第二电极的功函数为4.5eV以下。6.根据权利要求5所述的成像元件，其中第二电极的功函数的值为4.leV~4.5eV。7.根据权利要求1所述的成像元件，其中第二电极相对于波长为400nm~660nm的光的光透射率为75%以上。8.根据权利要求1所述的成像元件，其中第二电极的电阻值为1Χ10-6Ω·〇!!以下。9.根据权利要求1所述的成像元件，其中第二电极的厚度为1X1〇Λι~1.5X1〇Λι。10.根据权利要求9所述的成像元件，其中第二电极的厚度为2X1〇Λι~1X1〇Λι。11.根据权利要求1所述的成像元件，其中第二电极由通过向选自氧化铟、氧化锡和氧化锌的一种材料中添加或掺杂选自铝、镓、锡和铟的至少一种材料所形成的材料制成。12.根据权利要求1所述的成像元件，其中第二电极由InaGa，AlbZrOd制成。13.根据权利要求12所述的成像元件，其中第二电极的功函数的值和第一电极的功函数的值之间的差为〇.4eV以上。14.根据权利要求13所述的成像元件，其中设定第二电极的功函数的值和第一电极的功函数的值之间的差为〇.4eV以上而基于功函数的值的差在光接收层中产生内部电场并且实现内部量子效率的提高。15.根据权利要求12所述的成像元件，其中第二电极具有从光接收层侧第二B层和第二A层的层叠结构，和第二电极的第二A层的功函数的值低于第二电极的第二B层的功函数的值。16.根据权利要求15所述的成像元件，其中第二电极的第二A层的功函数的值和第二电极的第二B层的功函数的值之间的差为O.leV~0.2eV。17.根据权利要求15所述的成像元件，其中第一电极的功函数的值和第二电极的第二A层的功函数的值之间的差为0.4eV以上。18.根据权利要求15所述的成像元件，其中设定第一电极的功函数的值和第二电极的第二A层的功函数的值之间的差为0.4eV以上而基于功函数的值的差在光接收层中产生内部电场并且实现内部量子效率的提尚。19.一种固态成像装置，包括：多个成像元件，其中所述各成像元件具有包括第一电极、在第一电极上形成的光接收层和在所述光接收层上形成的第二电极的层叠结构，以及第二电极由具有导电性的透明非晶氧化物制成。20.-种电子设备，包括：包括第一电极、在第一电极上形成的光发射光接收层和在所述光发射光接收层上形成的第二电极的层叠结构，其中第二电极由具有导电性的透明非晶氧化物制成。

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