申请/专利权人：古河电气工业株式会社

申请日：2015-10-21

公开（公告）日：2020-09-18

公开（公告）号：CN107431007B

主分类号：H01L21/304(20060101)

分类号：H01L21/304(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.09.18#授权;2018.02.16#实质审查的生效;2017.12.01#公开

摘要：一种半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带和使用了该胶带的半导体晶片的磨削加工方法，该胶带为设置基材并在该基材的一个面侧设置粘合剂层而成的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，该基材的未形成粘合剂层的面的表面粗糙度为Rz＝0.7μm～5.0μm，该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带在波长500nm～600nm的全光线透过率为40％～80％，镜面晶片的色差ΔEM与将该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带贴合于该镜面晶片的状态下的色差ΔET之差为ΔET－ΔEM＞6.5，该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带被贴合于具有缺口的半导体晶片的表面。

主权项：1.一种半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其为设置基材并在该基材的一个面侧设置粘合剂层而成的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其特征在于，该基材的未形成粘合剂层的面的表面粗糙度为Rz＝0.7μm～5.0μm，该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带在波长500nm～600nm的全光线透过率为40％～80％，镜面晶片的色差ΔEM与将该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带贴合于该镜面晶片的状态下的色差ΔET之差为ΔET－ΔEM＞6.5，该表面保护胶带被用于贴合于具有缺口的半导体晶片的表面而对半导体晶片的背面进行磨削加工的工序。

全文数据：半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带和半导体晶片的磨削加工方法技术领域[0001]本发明涉及在半导体器件的加工中所用的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，特别是适合在半导体晶片的背面磨削时使用的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带和使用了该胶带的半导体晶片的加工方法。背景技术[0002]在半导体晶片的加工工序中，背面磨削、研磨用于在半导体晶片表面形成图案后，使半导体晶片背面成为特定的厚度。此时，为了保护半导体晶片表面免受磨削时的应力等或使磨削加工容易，将半导体加工用表面保护胶带贴合于半导体晶片表面，在该状态下对半导体晶片背面进行磨削。作为半导体加工用表面保护胶带，例如有在乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等聚烯烃基材树脂膜上设有以丙烯酸聚合物为主要成分的粘合剂层的胶带例如，参见专利文献1。[0003]通常，上述半导体晶片通过背面磨削而薄膜化至特定的厚度后，将预先在基材上层积有粘合剂与粘接剂（固晶用的粘接片）的切晶-固晶片贴合于半导体晶片背面（磨削面），利用环形框将其固定于切晶机的工作盘，通过利用切晶刀片而切断的切晶工序，与半导体晶片一起被切断从而进行芯片化。然后，将多个芯片层积，在基板、芯片间连接导线后利用树脂进行封装，从而成为产品（例如，参见专利文献2。在上述切晶-固晶片贴合时，为在半导体晶片表面贴合有半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带的状态下直接吸附于工作盘的状态，在贴合切晶-固晶片后，将半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带剥离。另外，为了使上述切晶-固晶片与半导体晶片密合，在切晶-固晶片的贴合时，近年来有时在更高温度约80°c进行加热。[0004]另外，对于贴合于半导体晶片表面的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带来说，通常为了贴合识别而会被着色。作为着色的方法，有对基材膜着色的方法和对粘合剂着色的方法，但从对半导体晶片产生表面污染的方面考虑，通常对不直接接触半导体晶片的基材膜进行着色。[0005]随着近年来高密度安装技术的进步，需要使半导体芯片小型化，半导体晶片的薄膜化发展显著。根据半导体芯片的种类的不同，需要使半导体晶片薄至IOOym左右。而且，为了增加可通过一次性加工所制造的半导体芯片的数量，半导体晶片的直径也有大径化的倾向。此前直径为5英寸或6英寸的半导体晶片为主流，与此相对，近年来将直径8英寸〜12英寸的半导体晶片加工成半导体芯片成为了主流。通过使半导体晶片的直径大径化，可提高一次性加工的收率，削减制造成本。[0006]随着这种半导体晶片的直径的大径化，半导体晶片的形状也不断发生变化。在直径为5英寸或6英寸的半导体晶片为主流的情况下，在半导体晶片8存在被称为定向平面参照下述图3的大切口7,与此相对，为了进一步提高收率，在直径8英寸以上的半导体晶片5的情况下，具有被称为缺口（参照下述图2的小切口6的情况成为主流。但是，随着这种变化，此前容易进行的半导体晶片位置的读取逐渐变得困难。进而，在具有定向平面的半导体晶片中，在定向平面7的外侧未贴合半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，与此相对，在具有缺口的半导体晶片中，则覆盖缺口6而贴合有半导体晶片的背面磨削加工用表面保护带。因此，半导体晶片的背面磨削加工用表面保护带的颜色会对传感器辨识性产生严重影响。[0007]如上所述，为了提高传感器辨识性，进行色调的调整等以进行应对。但是，随着半导体晶片的薄膜化会产生更多问题。随着半导体晶片的薄膜化，半导体晶片的翘曲变大，有时会因翘曲而导致缺口不能通过传感器部分，从而传感器无法辨识。另外，还会产生因灰尘附着于基材面而无法检测出缺口等问题。[0008]现有技术文献[0009]专利文献[0010]专利文献1:日本特开2000-8010号公报[0011]专利文献2:日本特开2007-53325号公报发明内容[0012]发明所要解决的课题[0013]本发明解决如上所述具有缺口的半导体晶片所特有的问题。[0014]具体而言，本发明的目的在于解决上述问题，提供一种半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带和使用了该胶带的半导体晶片的磨削加工方法，该表面保护胶带在硅晶片等的背面磨削加工工序中即便应用于需要薄膜化磨削的半导体晶片也不产生传感器辨识问题，并且兼具贴合可见性和耐热性，由此作业性优异。[0015]用于解决课题的方案[0016]本发明人对上述课题进行了深入研究，结果发现，通过使胶带背面的粗糙度为特定范围，并且使特定波长下的胶带的全光线透过率为特定范围，从而可解决上述问题，具有贴合可见性，并且不引起传感器辨识错误，能够改善作业性。[0017]此处，胶带背面的粗糙度存在各种表面粗糙度例如，中心线平均粗糙度Ra等），但通过使用由Rz所规定的表面粗糙度，能够解决本发明的上述课题。[0018]S卩，本发明的课题通过以下的手段实现。[0019][1]—种半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其为设置基材并在该基材的一个面侧设置粘合剂层而成的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其特征在于，[0020]该基材的未形成粘合剂层的面的表面粗糙度为Rz=0.7μηι〜5.Ομπι，[0021]该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带在波长500nm〜600nm的全光线透过率为40%〜80%，[0022]镜面晶片的色差（△EM与将该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带贴合于该镜面晶片的状态下的色差（ΔET之差为ΔET—ΔEM6.5，[0023]该表面保护胶带被用于贴合于具有缺口的半导体晶片的表面而对半导体晶片的背面进行磨削加工的工序。[0024][2]如[1]所述的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其特征在于，上述表面粗糙度Rz为0.7μπι以上且小于5.Ομπι。[0025][3]如[1]或[2]所述的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其特征在于，上述基材含有选自酞菁颜料、萘酞菁颜料、阴丹酮颜料、阴丹士林颜料和三芳基碳鑰颜料中的颜料。[0026][4]如[1]〜[3]中任一项所述的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其特征在于，上述基材的厚度为80μηι〜200μηι。[0027][5]如[1]〜[4]中任一项所述的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其特征在于，上述基材由以相同共聚成分形成的树脂构成，该共聚成分至少包含乙酸乙烯酯。[0028][6]如[5]所述的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其特征在于，上述乙酸乙烯酯成分的含量为1.9质量％〜10.5质量％。[0029][7]如[1]〜[6]中任一项所述的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其特征在于，上述基材为单层或多层，该基材中的未形成粘合剂层一侧的最外层的基材树脂的熔点为85°C以上。[0030][8]—种半导体晶片的磨削加工方法，其为在具有缺口的半导体晶片的表面贴合半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带而对半导体晶片的背面进行磨削加工的半导体晶片的磨削加工方法，其特征在于，[0031]该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带是通过设置基材并在该基材的一个面侧设置粘合剂层而成的，[0032]该基材的未形成粘合剂层的面的表面粗糙度为Rz=0.7μηι〜5.Ομπι，[0033]该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带在波长500nm〜600nm的全光线透过率为40%〜80%，[0034]镜面晶片的色差（△EM与将该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带贴合于该镜面晶片的状态下的色差（ΔET之差为ΔET—ΔEM6.5。[0035][9]如[8]所述的半导体晶片的磨削加工方法，其特征在于，上述表面粗糙度Rz为0.7μηι以上且小于5.Ομπι。[0036]发明的效果[0037]本发明的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带下文中也简称为表面保护胶带在硅晶片的背面磨削加工工序等半导体晶片的加工中具有贴合可见性，并且对具有缺口的硅晶片也具有传感器辨识性，另外耐热性也优异。[0038]因此，通过使用本发明的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，可以提高半导体晶片的背面磨削加工的效率，改善作业性。[0039]本发明的上述和其他特征及优点可适当参照附图由下述记载内容进一步明确。附图说明[0040]图1是示出本发明的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带的一个实施方式的截面图。[0041]图2是示出具有作为传感器辨识部的缺口6的半导体晶片5的一例的俯视图。[0042]图3是示出具有作为传感器辨识部的定向平面7的半导体晶片8的一例的俯视图。具体实施方式[0043]下面，参照附图对本发明的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带进行详细说明，但本发明不限定于此。[0044]如图1所示，本发明的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3由基材1与设置于该基材的至少一个面的粘合剂层2构成。需要说明的是，基材1中，与接触粘合剂层2的面为相反侧的面是基材的未形成粘合剂层的面背面）11，并且是成为贴合于半导体晶片4的状态下的最外表面的面。[0045]半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3被用于下述工序:在贴合于图2所示的具有缺口6的半导体晶片5的引入有集成电路的一侧或形成有电极的一侧的面表面）的状态下，对半导体晶片5的未引入集成电路的一侧或未形成电极的一侧的面背面进行磨削加工。[0046]此处，本发明的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3可以为基材1和粘合剂层2配合使用工序或装置而被预先切断预先切割为特定形状的形态，也可以为将未切割的长条片卷取成卷状的形态。所谓特定形状，例如可以举出与半导体晶片5直径相同并且也覆盖缺口6的部分的圆形，只要保护半导体晶片的集成电路，从而可对半导体晶片的背面进行磨削加工且不损害本发明的效果，就可以为任何形状。[0047]需要说明的是，只要不特别声明，则“〜”所表示的数值范围包含前后的数值。[0048]基材）[0049]本发明中所用的基材1下文中也称为基材膜的主要目的在于保护半导体晶片免受对半导体晶片的背面进行磨削加工时的冲击，尤其重要的是具有对于水洗等的耐水性和加工部件的保持性。作为这样的基材1，例如可以举出日本特开2004-186429号公报中记载的基材。[0050]需要说明的是，作为本发明中使用的基材1的树脂，通常可以使用胶带所使用的树月旨。例如可以举出：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等工程塑料、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物等热塑性弹性体。[0051]基材1可以以单层或多层的形式使用选自这些的组中的树脂，也可以以单层或多层的形式使用将选自这些的组中的2种以上混合而成的树脂。[0052]本发明中使用的基材1的未形成粘合剂层2的面背面）11的表面粗糙度为Rz=O.7μπι〜5.0μηι。若Rz小于0.7μηι，则在粘合剂的涂布或基材1的制膜时产生结块，因而会产生无法制造等问题。另一方面，若Rz超过5.Ομπι，则磨削时的灰尘会附着于胶带背面11，无法进行传感器辨识。基材背面11的粗糙度Rz优选为I.Own以上且小于5.0、更优选为1.Ομπι〜4.9μπι、进一步优选为I.Oym〜4.5μηι、特别优选为1.Ομπι〜3.5μηι、最优选为1.Ομπι〜2.0μηι。[0053]需要说明的是，例如通过对将基材1制膜时所使用的冷却辊的粗糙度进行控制，可以使基材背面11的粗糙度为任意的值。通过加热而获得流动性的树脂被挤出，之后经冷却辊冷却而被膜化。树脂的冷却大多使用金属辊或橡胶辊。例如在使用橡胶辊的情况下，为了赋予剥离性而在橡胶中混入硅颗粒，并任意地调整该硅颗粒的粒径，由此可以调整基材背面11的粗糙度。[0054]如上所述，若利用冷却辊控制粗糙度，则可以对基材1的未形成粘合剂层2的整个面均匀地赋予表面粗糙度。[0055]另外，关于基材1中的未形成粘合剂层2—侧的最外层的基材树脂的熔点，从防止与工作盘热粘的方面出发，优选为85°C以上、更优选为95°C以上、进一步优选为KKTC以上、特别优选为ll〇°C以上。需要说明的是，熔点的上限值没有特别限定，实际上为200°C以下、更优选为180°C以下。[0056]此处，关于未形成粘合剂层2的一侧的最外层的基材，在基材1为单层的情况下是指单层，在基材1为多层的情况下是指位于距粘合剂层2最远的位置的基材层。[0057]本发明中所用的基材1优选使用共聚成分中至少包含乙酸乙烯酯的树脂。另外，该乙酸乙烯酯成分的含量优选为1.9质量％〜10.5质量％。作为与乙酸乙烯酯组合的共聚成分，例如可以举出乙烯之类的烯烃等。另外，可以为二元系共聚物，也可以为三元以上的共聚物。[0058]另外，本发明中，由共聚物构成的树脂可以为无规共聚物、嵌段共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中的任一种。[0059]本发明中，特别优选乙烯-乙酸乙烯酯共聚物下文中也称为EVA。[0060]基材1的树脂可以由以相同共聚成分形成的树脂构成，也可以由以不同共聚成分形成的多种树脂进行层积，还可以混合多种树脂来使用。本发明中，若考虑对翘曲的影响，则优选由以相同共聚成分形成的树脂构成的基材1。[0061]为了辨识、识别半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，在半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3中混配着色用颜料下文中也简称为颜料等。也可以通过向粘合剂中加入颜料或染料而进行着色，但优选通过向基材1中加入颜料而进行着色。[0062]颜料优选蓝色颜料，例如可以举出酞菁颜料、萘酞菁颜料、阴丹酮颜料、阴丹士林颜料、三芳基碳鑰颜料。这些之中，优选酞菁颜料、萘酞菁颜料，更优选酞菁颜料，其中优选铜酞菁蓝。[0063]相对于形成基材1的树脂100质量份，着色用颜料的混配量优选为0.005质量份〜1.〇质量份、更优选为〇.01质量份〜〇.5质量份。另外，更优选即便为相同树脂也通过多层挤出而膜化，并仅在形成粘合剂层的一侧混配颜料。通过仅在形成粘合剂层的一侧混配颜料，即便在将半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3浸渍到酸等蚀刻液中的情况下，也不会在酸中露出，因而可以防止半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3的变色。[0064]在基材1由以不同共聚成分形成的多种树脂进行层积的情况下，也可以使用除该共聚成分中至少包含乙酸乙烯酯的树脂以外的树脂，例如可以举出高密度聚乙烯（下文中也称为HDPE、低密度聚乙烯下文中也称为LDPE等聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃树脂、乙烯-丙烯酸共聚物或乙烯-甲基丙烯酸共聚物和它们的金属交联体离聚物等聚烯烃类。[0065]本发明中，这些之中优选高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、聚丙烯。[0066]在层积有多种树脂的基材1的情况下，本发明中，优选将含有包含乙酸乙烯酯的树脂的层设置在形成粘合剂层的一侧。[0067]对于本发明的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带中所用的基材1来说，基于JISK7210所测得的熔体流动速率MFR:Meltflowrate优选为1.0g10分钟〜2.9g10分钟、更优选为1.5g10分钟〜2.5g10分钟、进一步优选为1.8g10分钟〜2.3g10分钟。[0068]在基材1的MFR为上述范围的情况下，在将卷绕成卷状的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3设置于贴合机中，放出半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3并将其贴合于半导体晶片5的表面的工序中，使加热至约150Γ的切割刀沿半导体晶片5的外周部旋转，从而将半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3切断为半导体晶片形状，利用此时所产生的热，以上述半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3的基材1覆盖半导体晶片5侧面的方式进行热粘。其结果，用基材1覆盖粘合剂层2与半导体晶片5的界面，从而能够防止渗漏。[0069]S卩，在MFR超过2.9g10分钟的情况下，由于基材1的流动性提高，因而在将熔融后的基材1切断时，切割刀与半导体晶片5的外周上的某一点接触的时间非常短，因而构成基材1的树脂有可能一旦被锋利地切断而无法进行如覆盖半导体晶片5侧面的热粘。反之，在小于1.0g10分钟时，基材1的流动性降低，有可能无法利用胶带覆盖半导体晶片5的界面。[0070]为了使基材1的MFR在上述范围，例如可以通过对树脂的共聚对象、乙酸乙烯酯含量、分子量或其分布进行调整、将MFR不同的树脂进行混合、或组合这些方法来实现。[0071]本发明中使用的基材1的树脂可以根据需要含有稳定剂、润滑剂、抗氧化剂、防粘连剂、增塑剂、赋粘剂、柔软剂等。[0072]对上述基材1的厚度没有特别限定，可以适当设定，优选为80μηι〜200μηι、更优选为ΙΟΟμπι〜180μπι〇[0073]通过使厚度为该范围，在维持半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3的形态的性质方面优异，并且处理时的作业性提高。需要说明的是，若过度增加其厚度，则有可能对基材1的生产率产生影响，导致制造成本增加。[0074]对上述基材1的制造方法没有特别限定，可以通过压延法、T模挤出法、吹胀法、浇注法等现有的注射挤出技术来制造，可以考虑生产率、所得到的基材1的厚度精度等而适当选择。[0075]粘合剂层）[0076]对本发明的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3中使用的粘合剂的材料没有特别限制，可以使用现有的材料。例如可以具有下述性质:通过照射放射线而固化，从而粘合性降低，可以容易地从半导体晶片5剥离。具体可以举出：以（甲基丙烯酸酯为构成成分的均聚物或具有（甲基）丙烯酸酯作为构成成分的共聚物、（甲基）丙烯酸类树脂、（甲基丙烯酸酯。[0077]这些树脂的重均分子量优选为20万〜200万、更优选为30万〜150万、进一步优选为40万〜120万。[0078]需要说明的是，重均分子量如下算出：通过凝胶渗透色谱法Waters公司制造、商品名：150-CALCGPC对溶解于四氢呋喃中而得到的1%溶液进行测定，将所测定的值作为聚苯乙烯换算的重均分子量而算出。[0079]作为包含（甲基丙烯酸酯作为构成成分的聚合物的单体成分，例如可以举出：具有甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基和十二烷基等碳原子数为30以下、优选碳原子数为4〜18的直链或者支链烷基的（甲基）丙烯酸烷基酯或（甲基）甲基丙烯酸烷基酯。这些可以单独使用，也可以合用两种以上。[0080]作为上述以外的（甲基丙烯酸酯树脂中的构成成分，可以包含以下的单体。例如可以举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、（甲基丙烯酸羧基乙酯、（甲基丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和丁烯酸等含羧基单体;马来酸酐或衣康酸酐等酸酐单体；（甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、（甲基）丙烯酸-2-羟基丙酯、（甲基丙烯酸-4-羟基丁酯、（甲基）丙烯酸-6-羟基己酯、（甲基）丙烯酸-8-羟基辛酯、（甲基）丙烯酸-10-羟基癸酯、（甲基）丙烯酸-12-羟基月桂酯和（甲基丙烯酸4-羟基甲基环己基）甲酯等含羟基单体;苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-甲基丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、（甲基丙烯酰胺丙磺酸、（甲基丙烯酸磺丙酯和（甲基）丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体;2-羟基乙基丙烯酰磷酸酯等含磷酸基单体；（甲基丙烯酰胺、（甲基丙烯酸N-羟甲基酰胺、（甲基丙烯酸烷基氨基烷基酯（例如，甲基丙烯酸二甲氨基乙酯、甲基丙烯酸叔丁基氨基乙酯等）、N-乙烯基吡咯烷酮、丙烯酰吗啉、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈。这些单体成分可以单独使用，也可以合用两种以上。[0081]另外，作为（甲基丙烯酸酯树脂，可以包含以下的多官能性单体作为构成成分。例如可以举出：己二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇二（甲基）丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四（甲基丙烯酸酯、季戊四醇三（甲基丙烯酸酯、季戊四醇四（甲基丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五（甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基丙烯酸酯、环氧（甲基）丙烯酸酯、聚酯（甲基）丙烯酸酯和氨基甲酸酯（甲基）丙烯酸酯。这些可以单独使用，也可以合用两种以上。[0082]作为丙烯酸酯，可以举出丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸-2-羟基乙酯等。另外，也可以使用利用例如以甲基丙烯酸酯替代上述丙烯酸酯所得到的物质等甲基丙烯酸系聚合物与固化剂而成的物质。[0083]作为固化剂，可以使用日本特开2007-146104号公报中记载的固化剂。例如可以举出：1，3_双N，N-二缩水甘油基氨基甲基环己烷、1，3-双N，N-二缩水甘油基氨基甲基）甲苯、1，3_双N，N-二缩水甘油基氨基甲基苯、N，N，N’，N’-四缩水甘油基-间二甲苯二胺等分子中具有2个以上环氧基的环氧化合物;2,4_甲苯二异氰酸酯、2,6_甲苯二异氰酸酯等甲苯二异氰酸酯TDI、1，3_苯二亚甲基二异氰酸酯、1，4_苯二亚甲基二异氰酸酯等苯二亚甲基二异氰酸酯XDI或者二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯等二苯基甲烷二异氰酸酯MDI等分子中具有2个以上异氰酸酯基的异氰酸酯系化合物或TDI的三羟甲基丙烷加成物等这些异氰酸酯系化合物的预聚物；四羟甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷-三-β-2-甲基氮丙啶基）丙酸酯等分子中具有2个以上氮丙啶基的氮杂环丙烷系化合物。[0084]固化剂的含量根据所期望的粘合力进行调整即可，相对于树脂成分100质量份，优选为0.01质量份〜10质量份、更优选为0.1质量份〜5质量份。[0085]另外，通过使粘合剂层2中包含光聚合性化合物和光聚合引发剂，可以通过照射紫外线而使其固化，从而可以降低粘合剂的粘合力。作为这样的光聚合性化合物，例如广泛使用如日本特开昭60-196956号公报和日本特开昭60-223139号公报中记载的可通过光照射进行三维网状化的分子内具有至少2个以上光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物。[0086]具体而言，使用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或M-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售的低聚酯丙烯酸酯等。[0087]作为光聚合引发剂，可以使用日本特开2007-146104号公报或日本特开2004-186429号公报中记载的光聚合引发剂。具体而言，可以使用异丙基苯偶姻醚、异丁基苯偶姻醚、二苯甲酮、米希勒酮、氯噻吨酮、苄基甲基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。这些可以使用1种或2种以上。相对于上述树脂成分100质量份，光聚合引发剂的添加量优选为〇.1质量份〜15质量份、更优选为5质量份〜10质量份。[0088]另外，作为粘合剂层2,可以使用利用包含聚合物中具有光聚合性碳-碳双键的聚合物、光聚合引发剂和固化剂的树脂组合物而成的光聚合性粘合剂层。作为聚合物中具有碳-碳双键的聚合物，优选为利用任意方法使侧链具有碳原子数为4〜12、更优选碳原子数为8的烷基的（甲基丙烯酸酯等单体或共聚性改性单体的1种或2种以上进行均聚或共聚而得到的（甲基丙烯酸系聚合物。[0089]以上述方式形成的光聚合性粘合剂层在将半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3从半导体晶片5的表面剥离前，从基材1侧照射使半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3对于半导体晶片5的表面的粘合力降低的放射线、优选为紫外线，由此使粘合力与初期的粘合力相比大幅降低，可以容易地将半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3从被粘体剥离。[0090]此外，可以根据需要在粘合剂中混配赋粘剂、粘合调节剂、表面活性剂、无机化合物填料、其他改性剂等。[0091]本发明中，粘合剂层2的厚度可以根据所要应用的被粘体而适当设定，没有特别限制，优选为IOwn〜60μηι、更优选为20μηι〜50μηι。需要说明的是，粘合剂层2也可以为2个以上的层层积而成的构成。[0092]通过将粘合剂层2的厚度调节为上述范围，可使生产率优异、制造成本降低。进而，由于不会使粘合剂层2的粘合力过度上升，因而在背面磨削后剥离粘合剂层2时，不存在随着剥离粘合力上升而引起半导体晶片5的破损、或在半导体晶片5的表面因粘合剂层2而产生污染的情况。[0093]另外，对于半导体晶片5的表面的凹凸的密合性优异，在对半导体晶片5的背面进行磨削加工、试剂处理等时不会渗入水或试剂而发生半导体晶片5的破损或半导体晶片5的表面的磨削肩或试剂所导致的污染，放射线照射后的粘合力也充分降低，在将粘合剂层2从半导体晶片5剥离时，也不会使半导体晶片5破损。[0094]本发明中，在基材1的一个面侧设置粘合剂层2时，可以使用将上述粘合剂通过辊涂机、逗号涂布机、模涂机、迈耶棒式涂布机、逆转辊涂布机、凹版涂布机等已知的方法进行涂布、干燥而形成粘合剂层2的方法。此时，为了保护涂布的粘合剂层2免受环境所导致的污染等，优选在涂布的粘合剂层2的表面贴合剥离衬垫4也称为剥离膜）。[0095]作为本发明的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3中使用的剥离膜，可以举出聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等合成树脂。优选根据需要对其表面实施硅酮处理等。剥离膜的厚度通常为IOwn〜1ΟΟμπι。优选为20μηι〜50μηι。[0096]通过采用该构成，可以得到保持了对于半导体晶片表面的优异密合性、剥离时的优异易剥离性、并且还兼具低污染性的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3。即，通过在上述基材1的一个面侧形成粘合剂层2,即便在半导体晶片表面存在凹凸的情况下，也可获得对于半导体晶片表面的良好的密合性，在对半导体晶片的背面进行磨削加工、试剂处理等时，可防止磨削水、试剂等的渗入，并可防止因这些所导致的半导体晶片的破损、污染。[0097]另外，在将背面磨削加工用表面保护胶带3从半导体晶片表面剥离时，通过照射放射线而使粘合剂层2固化、收缩，由此粘合剂层整体的粘合力充分降低，不会使半导体晶片破损而能够以良好的作业性剥离半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3。因此，本发明的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3能够在保持对于凹凸的优异密合性与剥离时的易剥离性的状态下同时实现低污染性。[0098]本发明的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3在波长500nm〜600nm的全光线透过率为40%〜80%。全光线透过率的下限优选为50%以上、更优选超过50%、进一步优选为51%以上、特别优选为53%以上。另一方面，全光线透过率的上限优选为70%以下。[0099]若波长500nm〜600nm的全光线透过率小于40%，则缺口的检测变得困难，会发生传感器辨识错误。另外，若波长500nm〜600nm的全光线透过率超过80%，则由于透明度高，因而识别是否贴合会变得困难。[0100]本发明中，镜面晶片的色差（△EM与将本发明的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3贴合于该镜面晶片而成的胶带贴合晶片的色差（ΔET之差为ΔET—ΔEM6.5。ΔΕΤ—ΔEM优选大于7.0、更优选大于7.8。若ΔΕΤ—ΔEM为6.5以下，则无法一眼即看出半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3是否贴合于镜面晶片，因而其成为导致半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3的双重贴合等错误的重要原因。需要说明的是，对ΔΕΤ—ΔΕΜ的上限没有特别规定，优选ΔΕΤ—ΔΕΜ6.5。[0111]在半导体晶片的磨削加工方法中使用的本发明的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带应用了之前说明的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带的优选范围的胶带。[0112]下面，对本发明的半导体晶片的磨削加工方法进行更详细的说明，但不限于这些。[0113]首先，将剥离衬垫4从上述半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3的粘合剂层2剥离，使粘合剂层2的表面露出，藉由该粘合剂层2贴合于具有缺口的半导体晶片的引入有集成电路的一侧或形成有电极的一侧的面表面）。接下来，藉由上述半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3的基材层1将半导体晶片固定在磨削机的工作盘等上，并对半导体晶片的未引入集成电路的一侧或未形成电极的一侧的面背面进行磨削加工、化学药品处理等。在磨削加工、化学药品处理等结束后，剥离该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3。[0114]此处，半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3对于半导体晶片的贴合操作例如可以使用层压机DR8500III商品名：日东精机株式会社制造的自动编带装置。[0115]半导体晶片的背面的磨削加工操作例如可以使用DGP8760商品名:迪思科株式会社制造的装置。[0116]另外，关于半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3的剥离，在对半导体晶片的背面进行磨削加工而薄膜化后，将半导体晶片的背面贴合于在基材上层积有粘合剂与粘接剂的切晶-固晶片切晶带的粘接面，并进行晶片贴片后进行。[0117]关于在切晶带的晶片贴片和半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3的剥离工序，例如可以使用RAD-2700F商品名:Lintec株式会社制造的装置。[0118]在向切晶-固晶片贴合时，通过在高温（约80°C下加热，从而使切晶-固晶片与半导体晶片密合。本发明的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3由于耐热性优异，因而即便在加热时也无熔融、变形等问题，可以发挥作为表面保护胶带的功能。[0119]本发明的半导体晶片的磨削加工方法通过使用传感器辨识性优异、且贴合可见性和耐热性也优异的本发明的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3,与现有的磨削加工方法相比，作业效率提高，且作业性进一步提高。[0120]实施例[0121]下面，基于实施例来对本发明进行更详细的说明，但本发明并不限于这些。[0122]实施例1[0123]在100质量份的乙酸乙烯酯成分的含量为6.0质量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物EVA树脂A中，干混0.6质量份的含有蓝色颜料铜酞菁蓝5.0质量％且乙酸乙烯酯成分的含量为6.0质量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物EVA树脂B。利用挤出成型机进行挤出成型，由此得到厚度165μπι、背面的表面粗糙度Rz=1.2μπι的基材膜A。[0124]按照甲基丙稀酸2mol%、丙稀酸-2-乙基己酯50mol%、丙稀酸-2-轻乙酯30mol%、丙烯酸甲酯ISmol%的比例进行混配，相对于总单体100质量份添加0.2质量份的偶氮二异丁腈，在经氮气置换的反应容器内，在乙酸乙酯溶液中以温度70°C进行共聚，由此得到重均分子量为80万的聚合物溶液。在该聚合物溶液中，相对于聚合物100质量份混配作为固化剂的CoronateL商品名、日本聚氨酯工业株式会社制造2.0质量份，从而得到粘合剂组合物。[0125]如图1所示，以使粘合剂层2的厚度为30μπι的方式将所得到的粘合剂组合物涂布至剥离衬垫4上，并贴合于基材膜1实施例1中为基材膜Α，从而得到厚度195μπι的背面磨削加工用表面保护胶带3。[0126]实施例2[0127]在100质量份的乙酸乙烯酯成分的含量为6.0质量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物EVA树脂A中，干混0.3质量份的含有蓝色颜料铜酞菁蓝5.0质量％且乙酸乙烯酯成分的含量为6.0质量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物EVA树脂Β。利用挤出成型机进行挤出成型，由此得到厚度165μπι、背面的表面粗糙度Rz=0.7μπι的基材膜B。[0128]按照甲基丙烯酸1111〇1%、丙烯酸-2-羟乙酯22111〇1%、丙烯酸丁酯77111〇1%的比例进行混配，相对于总单体100质量份添加0.3质量份的偶氮二异丁腈，在经氮气置换的反应容器内，在乙酸乙酯溶液中以温度70°C进行共聚，由此得到重均分子量为30万的聚合物溶液。在该聚合物溶液中，相对于聚合物100质量份混配作为固化剂的CoronateL商品名、日本聚氨酯工业株式会社制造1.5质量份，从而得到粘合剂组合物。[0129]如图1所示，以使粘合剂层2的厚度为40μπι的方式将所得到的粘合剂组合物涂布至剥离衬垫4上，并贴合于基材膜1实施例2中为基材膜Β，从而得到厚度205μπι的背面磨削加工用表面保护胶带3。[0130]实施例3[0131]在100质量份的乙酸乙烯酯成分的含量为10.0质量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物EVA树脂C中，干混0.6质量份的含有蓝色颜料铜酞菁蓝5.0质量％且乙酸乙烯酯成分的含量为6.0质量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物EVA树脂Β。利用挤出成型机进行挤出成型，由此得到厚度IOOym、背面的表面粗糙度Rz=3.7μπι的基材膜C。[0132]按照甲基丙烯酸2mol%、丙烯酸-2-羟乙酯29mol%、丙烯酸-2-乙基己酯69mol%的比例进行混配，相对于总单体100质量份添加0.2质量份的偶氮二异丁腈，在经氮气置换的反应容器内，在乙酸乙酯溶液中以温度70°C进行共聚，由此得到重均分子量为23万的聚合物溶液。在该聚合物溶液中，相对于聚合物100质量份混配作为固化剂的CoronateL商品名、日本聚氨酯工业株式会社制造1.5质量份，从而得到粘合剂组合物。[0133]如图1所示，以使粘合剂层2的厚度为30μπι的方式将所得到的粘合剂组合物涂布至剥离衬垫4上，并贴合于基材膜1实施例3中为基材膜C，从而得到厚度130μπι的背面磨削加工用表面保护胶带3。[0134]实施例4[0135]在100质量份的乙酸乙烯酯成分的含量为10.0质量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物EVA树脂C中，干混0.8质量份的含有蓝色颜料铜酞菁蓝5.0质量％且乙酸乙烯酯成分的含量为6.0质量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物EVA树脂Β。利用挤出成型机进行挤出成型，由此得到厚度IOOym、背面的表面粗糙度Rz=4.9μπι的基材膜D。[0136]按照甲基丙烯酸1111〇1%、丙烯酸-2-羟乙酯22111〇1%、丙烯酸-2-乙基己酯77111〇1%的比例进行混配，相对于总单体100质量份添加0.2质量份的偶氮二异丁腈，在经氮气置换的反应容器内，在乙酸乙酯溶液中以温度70°C进行共聚，由此得到重均分子量为70万的聚合物溶液。在该聚合物溶液中，相对于聚合物100质量份混配作为固化剂的CoronateL商品名、日本聚氨酯工业株式会社制造1.5质量份，从而得到粘合剂组合物。[0137]如图1所示，以使粘合剂层2的厚度为30μπι的方式将所得到的粘合剂组合物涂布至剥离衬垫4上，并贴合于基材膜1实施例4中为基材膜D，从而得到厚度130μπι的背面磨削加工用表面保护胶带3。[0138]实施例5[0139]在100质量份的乙酸乙烯酯成分的含量为10.0质量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物EVA树脂C中，干混3.0质量份的含有蓝色颜料铜酞菁蓝5.0质量％且乙酸乙烯酯成分的含量为6.0质量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物EVA树脂Β。利用挤出成型机将低密度聚乙烯LDPE与干混的上述EVA树脂进行挤出成型，由此得到厚度比例为LDPE:EVA=1:1的厚度80μπι、背面的表面粗糙度Rz=2.Ιμπι的基材膜E。[0140]按照甲基丙烯酸1111〇1%、丙烯酸-2-羟乙酯22111〇1%、丙烯酸-2-乙基己酯77111〇1%的比例进行混配，相对于总单体100质量份添加0.2质量份的偶氮二异丁腈，在经氮气置换的反应容器内，在乙酸乙酯溶液中以温度70°C进行共聚，由此得到重均分子量为70万的聚合物溶液。在该聚合物溶液中，相对于聚合物100质量份混配作为固化剂的CoronateL商品名、日本聚氨酯工业株式会社制造1.5质量份，从而得到粘合剂组合物。[0141]如图1所示，以使粘合剂层2的厚度为40μπι的方式将所得到的粘合剂组合物涂布至剥离衬垫4上，并贴合于基材膜1实施例5中为基材膜Ε的EVA侧，从而得到厚度120μπι的背面磨削加工用表面保护胶带3。[0142]实施例6[0143]在100质量份的乙酸乙烯酯成分的含量为10.0质量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物EVA树脂C中，干混5.0质量份的含有蓝色颜料铜酞菁蓝5.0质量％且乙酸乙烯酯成分的含量为6.0质量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物EVA树脂Β。利用挤出成型机将高密度聚乙烯HDPE与干混的上述EVA树脂进行挤出成型，由此得到厚度比例为HDPE:EVA=3:7的厚度200μπι、背面的表面粗糙度Rz=3.2μπι的基材膜F。[0144]按照甲基丙烯酸1111〇1%、丙烯酸-2-羟乙酯22111〇1%、丙烯酸-2-乙基己酯77111〇1%的比例进行混配，相对于总单体100质量份添加0.3质量份的偶氮二异丁腈，在经氮气置换的反应容器内，在乙酸乙酯溶液中以温度70°C进行共聚，由此得到重均分子量为70万的聚合物溶液。在该聚合物溶液中，相对于聚合物100质量份混配作为固化剂的CoronateL商品名、日本聚氨酯工业株式会社制造1.5质量份，从而得到粘合剂组合物。[0145]如图1所示，以使粘合剂层2的厚度为40μπι的方式将所得到的粘合剂组合物涂布至剥离衬垫4上，并贴合于基材膜1实施例6中为基材膜F的EVA侧，从而得到厚度240μπι的背面磨削加工用表面保护胶带3。[0146]比较例1[0147]按照甲基丙稀酸1111〇1%、丙稀酸-2-轻乙酯221]1〇1%、丙稀酸-2-乙基己酯771]1〇1%的比例进行混配，相对于总单体100质量份添加0.2质量份的偶氮二异丁腈，在经氮气置换的反应容器内，在乙酸乙酯溶液中以温度70°C进行共聚，由此得到重均分子量为70万的聚合物溶液。在该聚合物溶液中，相对于聚合物100质量份混配作为固化剂的CoronateL商品名、日本聚氨酯工业株式会社制造1.5质量份，从而得到粘合剂组合物。[0148]如图1所示，以使粘合剂层2的厚度为42μπι的方式将所得到的粘合剂组合物涂布至剥离衬垫4上，并贴合于基材膜1比较例1中为厚度38μηι、背面的表面粗糙度Rz=0.Ιμπι的TeijinTetoronFilmG2C商品名、杜邦帝人薄膜公司制造），从而得到厚度80μηι的背面磨削加工用表面保护带3。[0149]仳较例2[0150]利用挤出成型机对低密度聚乙烯LDPE树脂进行挤出成型，由此得到厚度150μπι、背面的表面粗糙度Rz=5.8μπι的基材膜G。[0151]按照甲基丙稀酸1111〇1%、丙稀酸-2-轻乙酯221]1〇1%、丙稀酸-2-乙基己酯771]1〇1%的比例进行混配，相对于总单体100质量份添加0.2质量份的偶氮二异丁腈，在经氮气置换的反应容器内，在乙酸乙酯溶液中以温度70°C进行共聚，由此得到重均分子量为70万的聚合物溶液。在该聚合物溶液中，相对于聚合物100质量份混配作为固化剂的CoronateL商品名、日本聚氨酯工业株式会社制造1.5质量份，从而得到粘合剂组合物。[0152]如图1所示，以使粘合剂层2的厚度为30μπι的方式将所得到的粘合剂组合物涂布至剥离衬垫4上，并贴合于基材膜1比较例2中为基材膜G，从而得到厚度180μπι的背面磨削加工用表面保护胶带3。[0153]仳较例3[0154]在低密度聚乙烯LDPE树脂100质量份中，干混30质量份的含有蓝色颜料铜酞菁蓝5.0质量％且乙酸乙烯酯成分的含量为6.0质量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物EVA树脂Β。利用挤出成型机将干混的树脂进行挤出成型，由此得到厚度300μπι、背面的表面粗糙度Rz=2.5μπι的基材膜Η。[0155]按照甲基丙稀酸1111〇1%、丙稀酸-2-轻乙酯221]1〇1%、丙稀酸-2-乙基己酯771]1〇1%的比例进行混配，相对于总单体100质量份添加0.2质量份的偶氮二异丁腈，在经氮气置换的反应容器内，在乙酸乙酯溶液中以温度70°C进行共聚，由此得到重均分子量为70万的聚合物溶液。在该聚合物溶液中，相对于聚合物100质量份混配作为固化剂的CoronateL商品名、日本聚氨酯工业株式会社制造1.5质量份，从而得到粘合剂组合物。[0156]如图1所示，以使粘合剂层2的厚度为30μπι的方式将所得到的粘合剂组合物涂布至剥离衬垫4上，并贴合于基材膜1比较例3中为基材膜Η，从而得到厚度330μπι的背面磨削加工用表面保护胶带3。[0157]仳较例4[0158]在100质量份的乙酸乙烯酯成分的含量为10.0质量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物EVA树脂C中，干混4.0质量份的含有蓝色颜料铜酞菁蓝5.0质量％且乙酸乙烯酯成分的含量为6.0质量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物EVA树脂Β。利用挤出成型机将低密度聚乙烯LDPE与干混的上述EVA树脂进行挤出成型，由此得到厚度比例为LDPE:EVA=3:7的厚度ΙΟΟμπι、背面的表面粗糙度Rz=7.Ιμπι的基材膜I。[0159]按照甲基丙稀酸1111〇1%、丙稀酸-2-轻乙酯221]1〇1%、丙稀酸-2-乙基己酯771]1〇1%的比例进行混配，相对于总单体100质量份添加0.2质量份的偶氮二异丁腈，在经氮气置换的反应容器内，在乙酸乙酯溶液中以温度70°C进行共聚，由此得到重均分子量为70万的聚合物溶液。在该聚合物溶液中，相对于聚合物100质量份混配作为固化剂的CoronateL商品名、日本聚氨酯工业株式会社制造1.5质量份，从而得到粘合剂组合物。[0160]如图1所示，以使粘合剂层2的厚度为30μπι的方式将所得到的粘合剂组合物涂布至剥离衬垫4上，并贴合于基材膜1比较例4中为基材膜I的EVA侧，从而得到厚度130μπι的背面磨削加工用表面保护胶带3。[0161]比较例5[0162]在100质量份的乙酸乙烯酯成分的含量为20.0质量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物EVA树脂D中，干混0.3质量份的含有蓝色颜料铜酞菁蓝5.0质量％且乙酸乙烯酯成分的含量为6.0质量％的乙烯乙酸乙烯酯共聚物EVA树脂Β。利用挤出成型机进行挤出成型，由此得到厚度165μπι、背面的表面粗糙度Rz=6.8ym的基材膜J。[0163]按照甲基丙烯酸1111〇1%、丙烯酸-2-羟乙酯22111〇1%、丙烯酸-2-乙基己酯77111〇1%的比例进行混配，相对于总单体100质量份添加0.2质量份的偶氮二异丁腈，在经氮气置换的反应容器内，在乙酸乙酯溶液中以温度70°C进行共聚，由此得到重均分子量为70万的聚合物溶液。在该聚合物溶液中，相对于聚合物100质量份混配作为固化剂的CoronateL商品名、日本聚氨酯工业株式会社制造1.5质量份，从而得到粘合剂组合物。[0164]如图1所示，以使粘合剂层2的厚度为30μπι的方式将所得到的粘合剂组合物涂布至剥离衬垫4上，并贴合于基材膜1比较例5中为基材膜J，从而得到厚度195μπι的背面磨削加工用表面保护胶带3。[0165]需要说明的是，树脂的重均分子量如下算出：通过凝胶渗透色谱法Waters公司制造、商品名：150-CALCGPC对溶解于四氢呋喃中而得到的1%溶液进行测定，将所测定的值作为聚苯乙烯换算的重均分子量而算出。[0166]半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带的性能评价）[0167]对于上述实施例1〜6和比较例1〜5中得到的各半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3进行以下试验，评价其性能，得到下述表1、2所示的结果。[0168]基材膜背面的表面粗糙度测定）[0169]基材膜背面的表面粗糙度Rz为如下求出的值:基于JISB0601，在宽230mm的基材膜1的沿宽度方向观察时的中心与距离中心左右80mm的位置的共3处，使用“HandisurfE-30A”（商品名：东京精密株式会社制造），对作为测定长度5mm的长度方向及宽度方向的两个方向进行测定，求出十点平均粗糙度Rz。[0170]全光线透过率测定）[0171]将剥离衬垫4从实施例和比较例的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3剥离，使用分光光度计UV3101PCMPC-3100商品名、株式会社岛津制作所制造）以N=3测定来自基材膜1面侧的波长500nm〜600nm的全光线透过率，求出平均值。[0172]可见性的评价）[0173]将剥离衬垫4从实施例和比较例的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3剥离，使用色彩色差计CR_400商品名:柯尼卡美能达株式会社制造进行了色差测定。使用白色校正板，测定以该白色为基准的镜面晶片的色差（AEM。以不使空气进入的方式将从实施例和比较例的各半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3将剥离衬垫4剥离后的背面磨削加工用表面保护胶带3贴合于所测定的镜面晶片，测定贴合有胶带的晶片的色差ΔET。计算贴合有胶带的晶片的色差（ΔET与镜面晶片的色差（ΔEM之差（ΔET—ΔEM，并利用以下的基准进行评价。[0174]A：ΔΕΤ-ΔΕΜ6.5[0175]C:ΔΕΤ—ΔEM彡6.5[0176]传感器辨识性评价）[0177]使用层压机DR8500III商品名：日东精机株式会社制造），将剥离了剥离衬垫4的实施例和比较例的各半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3贴合于如图2所示的具有缺口6的8英寸硅镜面晶片（信越半导体工业公司制造、缺口深度1.00mm允许误差+0.25mm、-0.00mm、缺口角度90°允许误差+5°、-1°的半导体晶片）。[0178]其后，使用DGP8760商品名：迪思科株式会社制造），将上述半导体晶片的未贴合半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3的面磨削至厚度ΙΟΟμπι。使用RAD-2700F商品名：Lintec株式会社制造对磨削后的上述半导体晶片进行向切晶带的晶片贴片和半导体晶片的背面磨削加工用表面保护带3的剥离，并利用以下的基准进行评价。[0179]Α:能够顺利地剥离[0180]C:在胶带粘贴时发生缺口的检测错误[0181]翘曲的评价）[0182]按照与上述传感器辨识性评价同样的方式，将剥离了剥离衬垫4的实施例和比较例的各半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3贴合于与上述相同的具有缺口6的8英寸硅镜面晶片（半导体晶片），使用具有线内机构的研磨机DGP8760商品名：迪思科株式会社制造），分别将25片该贴合后的各半导体晶片的未贴合半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3的面磨削至厚度为50μπι，并利用以下的基准进行评价。[0183]Α:25片半导体晶片的翘曲全部小于IOmm[0184]B:半导体晶片的至少1片的翘曲为IOmm以上且小于20mm[0185]C:半导体晶片的至少1片的翘曲为20mm以上[0186]耐热性的评价）[0187]按照与上述传感器辨识性评价同样的方式，将剥离了剥离衬垫4的实施例和比较例的各半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带3贴合于与上述相同的具有缺口6的8英寸硅镜面晶片半导体晶片），以使半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带的面接触加热板的方式将该贴合后的各半导体晶片置于80°C的加热板上并放置3分钟。然后，目视观察半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带的背面基材膜侧），利用以下的基准进行评价。[0188]A:未观测到熔融等，加热前后无变化。[0189]C:发现因加热而使背面熔化等变化[0190]【表1】[0194]如表1和表2所示，在实施例1〜6中，可见性贴合识别性没有问题，而且将传感器辨识无错误且磨削成薄膜的半导体晶片粘贴在切晶带，能够将半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带剥离，另外耐热性也优异。另一方面，比较例1无法一眼看出半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带是否贴合，可见性存在问题。另外，比较例2、4和5因基材背面的表面粗糙度Rz大，因而在半导体晶片的薄膜磨削时会附着大量硅灰尘，从而发生了不能检测出缺口的错误。进而，比较例3颜色深，全光线透过率差，因而发生了不能检测出缺口的错误。[0195]符号说明[0196]1基材基材膨[0197]11基材的未形成粘合剂层的面背面）[0198]2粘合剂层[0199]3半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带[0200]4剥离衬垫[0201]5半导体晶片娃镜面晶片）[0202]6缺口[0203]7定向平面[0204]8半导体晶片娃镜面晶片）

权利要求：1.一种半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其为设置基材并在该基材的一个面侧设置粘合剂层而成的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其特征在于，该基材的未形成粘合剂层的面的表面粗糙度为Rz=O.7μηι〜5.Ομπι，该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带在波长500nm〜600nm的全光线透过率为40%〜80%，镜面晶片的色差ΔEM与将该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带贴合于该镜面晶片的状态下的色差AET之差为ΔET—ΔEM6.5，该表面保护胶带被用于贴合于具有缺口的半导体晶片的表面而对半导体晶片的背面进行磨削加工的工序。2.如权利要求1所述的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其特征在于，所述表面粗糙度Rz为0.7μπι以上且小于5.Ομπι。3.如权利要求1或2所述的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其特征在于，所述基材含有选自酞菁颜料、萘酞菁颜料、阴丹酮颜料、阴丹士林颜料和三芳基碳鑰颜料中的颜料。4.如权利要求1〜3中任一项所述的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其特征在于，所述基材的厚度为80μηι〜200μηι。5.如权利要求1〜4中任一项所述的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其特征在于，所述基材由以相同共聚成分形成的树脂构成，该共聚成分至少包含乙酸乙烯酯。6.如权利要求5所述的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其特征在于，所述乙酸乙烯酯成分的含量为1.9质量％〜10.5质量％。7.如权利要求1〜6中任一项所述的半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带，其特征在于，所述基材为单层或多层，该基材中的未形成粘合剂层一侧的最外层的基材树脂的熔点为85°C以上。8.—种半导体晶片的磨削加工方法，其为在具有缺口的半导体晶片的表面贴合半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带而对半导体晶片的背面进行磨削加工的半导体晶片的磨削加工方法，其特征在于，该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带是通过设置基材并在该基材的一个面侧设置粘合剂层而成的，该基材的未形成粘合剂层的面的表面粗糙度为Rz=0.7μηι〜5.Ομπι，该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带在波长500nm〜600nm的全光线透过率为40%〜80%，镜面晶片的色差ΔEM与将该半导体晶片的背面磨削加工用表面保护胶带贴合于该镜面晶片的状态下的色差AET之差为ΔET—ΔEM6.5。9.如权利要求8所述的半导体晶片的磨削加工方法，其特征在于，所述表面粗糙度Rz为0.7μηι以上且小于5.Ομπι。

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