申请/专利权人:北京航空航天大学
申请日:2019-09-04
公开(公告)日:2020-09-18
公开(公告)号:CN211528544U
主分类号:G01R29/10(20060101)
分类号:G01R29/10(20060101);H01Q19/12(20060101);H01Q15/16(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2020.09.18#授权
摘要:本实用新型公开一种单反射面紧缩场装置。该装置的一实施方式包括:馈源和单反射面系统,所述馈源对所述单反射面系统的反射面偏馈照射,所述单反射面系统的焦距的取值为2~3倍口径。该实施方式采用焦径比较大的长焦设计,可通过长焦减缩偏馈量来控制交叉极化到合理范围,以提升交叉极化隔离度,可使交叉极化隔离度大于‑30dB,趋近于‑38dB~‑40dB之间,提高了正交极化隔离天线的测量精度,制造及装配精度容易实现,不存在多反射面装配的累积误差,相对容易实现更高频率工作要求的反射面精度,提高了紧缩场系统设计的工程可实现性,适用于毫米波THz测试场,克服了双多反射面系统难以实现低交叉极化的问题。
主权项:1.一种单反射面紧缩场装置,其特征在于,包括:馈源和单反射面系统,所述馈源对所述单反射面系统的反射面偏馈照射,所述单反射面系统的焦距的取值为2~3倍口径;所述单反射面系统的反射面边缘具有卷曲结构或锯齿结构,所述单反射面系统的反射面为旋转抛物面;所述单反射面系统置于微波暗室或微波暗箱中,所述微波暗室和所述微波暗箱中布设有吸波材料。
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