申请/专利权人：北京清正泰科技术有限公司

申请日：2019-03-26

公开（公告）日：2020-10-09

公开（公告）号：CN111747372A

主分类号：B81B5/00(20060101)

分类号：B81B5/00(20060101);B81C1/00(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.09#公开

摘要：本发明提供一种金属盖石墨岛及其制备方法，所述金属盖石墨岛包括岛状结构的石墨和覆盖于其上的金属盖层，所述金属盖层表面平整，且无边缘凸起，所述金属盖石墨岛可自回复，且具有微米尺度的大尺寸超滑面，有利于将超滑技术应用于微米尺度电学器件中。所述制备方法采用两层胶制备工艺，所获得的金属盖石墨岛表面平整，无边缘凸起，显著地提升了微米尺度金属盖石墨岛的自回复率，提高了获得超滑面的成功率，有效地降低了成本。

主权项：1.一种金属盖石墨岛，包括岛状结构的石墨和覆盖于所述岛状结构的石墨表面的金属盖层，其特征在于：所述金属盖石墨岛具有超滑面，在外力作用下，上层石墨片相对于下层石墨片沿所述超滑面发生滑动，在去除所述外力作用下，上层石墨片自回复至初始状态；所述金属盖层表面平整，且无边缘凸起。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京清正泰科技术有限公司 一种无边缘凸起的金属盖石墨岛及其制备方法

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