申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日:2019-04-01
公开(公告)日:2020-10-13
公开(公告)号:CN111769046A
主分类号:H01L21/336(20060101)
分类号:H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.11.10#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.13#公开
摘要:一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底包括衬底以及多个分立于衬底上的鳍部,衬底包括相邻的隔离区和器件区,隔离区中的鳍部为伪鳍部,器件区中的鳍部为器件鳍部;在鳍部的侧壁和顶部上形成保护层;形成保护层后,在衬底上形成覆盖保护层的遮挡层,遮挡层中形成有露出伪鳍部的初始开口;去除遮挡层露出的伪鳍部;去除伪鳍部后,对初始开口的侧壁进行刻蚀,形成开口,开口露出隔离区的衬底、以及器件区中靠近隔离区的器件鳍部与隔离区之间的衬底,遮挡层的被刻蚀难度小于保护层的被刻蚀难度。本发明实施例在使得伪鳍部去除干净的前提下,保护器件鳍部不受损伤,提高了半导体结构的电学性能。
主权项:1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括衬底以及多个分立于所述衬底上的鳍部,所述衬底包括相邻的隔离区和器件区,所述隔离区中的所述鳍部为伪鳍部,所述器件区中的所述鳍部为器件鳍部;在所述鳍部的侧壁和顶部上形成保护层;形成所述保护层后,在所述衬底上形成覆盖所述保护层的遮挡层,所述遮挡层中形成有露出所述伪鳍部的初始开口;去除所述遮挡层露出的所述伪鳍部;去除所述伪鳍部后,对所述初始开口的侧壁进行刻蚀,形成开口,所述开口露出所述隔离区的衬底、以及所述器件区中靠近隔离区的器件鳍部与所述隔离区之间的衬底,所述遮挡层的被刻蚀难度小于所述保护层的被刻蚀难度。
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