申请/专利权人:朗姆研究公司
申请日:2019-02-21
公开(公告)日:2020-10-13
公开(公告)号:CN111771271A
主分类号:H01L21/66(20060101)
分类号:H01L21/66(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/3065(20060101);H01L21/67(20060101)
优先权:["20180227 US 15/906,332"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2021.02.02#实质审查的生效;2020.10.13#公开
摘要:提供了一种用于监测等离子体处理室中的漂移以进行半导体处理的方法。提供多个循环,其中每个循环包括在等离子体处理室中的卡盘上方沉积沉积层,等离子体蚀刻所述沉积层以及测量用于等离子体蚀刻所述沉积层以蚀刻穿过所述沉积层的时间。所测得的用于等离子体蚀刻的时间用于确定等离子体处理室的漂移。
主权项:1.一种用于监测等离子体处理室中的漂移以进行半导体处理的方法,其包括:多个循环,其中每个循环包括:在所述等离子体处理室中的卡盘上沉积沉积层;等离子体蚀刻所述沉积层;以及测量用于等离子体蚀刻所述沉积层以蚀刻穿过所述沉积层的时间;以及使用所测得的用于等离子体蚀刻的时间以确定等离子体处理室的漂移。
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