申请/专利权人：芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院

申请日：2020-07-15

公开（公告）日：2020-10-13

公开（公告）号：CN111769079A

主分类号：H01L21/78(20060101)

分类号：H01L21/78(20060101);H01L27/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.06.06#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.13#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供第一基底，所述第一基底包括若干相互分立的第一芯片区；在每个第一芯片区内形成第一可剥离结构，所述第一可剥离结构包括第一占位层、以及位于所述第一占位层和第一基底之间的第一可剥离膜；在所述第一可剥离结构上形成第二可剥离结构，所述第二可剥离结构包括位于第一占位层表面的第二占位层、以及位于第一可剥离膜顶面和所述第二占位层侧壁面的第二可剥离膜。从而，能够减少芯片的整体设计时间和复杂度，并且，减少芯片的制造时间和成本。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一基底，所述第一基底包括若干相互分立的第一芯片区；在每个第一芯片区内形成第一可剥离结构，所述第一可剥离结构包括第一占位层、以及位于所述第一占位层和第一基底之间的第一可剥离膜；在所述第一可剥离结构上形成第二可剥离结构，所述第二可剥离结构包括位于第一占位层表面的第二占位层、以及位于第一可剥离膜顶面和所述第二占位层侧壁面的第二可剥离膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院 半导体结构及其形成方法

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