申请/专利权人：山东大学

申请日：2020-07-17

公开（公告）日：2020-10-13

公开（公告）号：CN111769129A

主分类号：H01L27/146(20060101)

分类号：H01L27/146(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.13#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.13#公开

摘要：本发明公开了一种抗辐照粒子探测器，具备四阱工艺，分别是N阱、P阱、深N阱和深P隔离层，像素单元和读出电路均在深度掺杂的P型衬底上制作。其中，深N阱和P型衬底用来产生P‑N灵敏二极管，深N阱上的N阱和N型有源区N+构成通路，通过金属线连接其他读出电路。深P隔离层用来隔离深N阱内的器件，避免了PMOS晶体管与灵敏二极管之间的电荷竞争，在深P隔离层内可同时制作PMOS和NMOS管，能够实现复杂CMOS电路，这有助于在像素内实现复杂电路，对像素信号进行放大和降噪处理。N阱和P型有源区P+用于制作PMOS晶体管，P阱和N型有源区N+用于制作NMOS管。

主权项：1.一种抗辐照粒子探测器，其特征在于，其包括P型衬底、N阱、P阱、深N阱和深P隔离层；其中，像素单元和读出电路均位于P型衬底；深N阱和P型衬底形成P-N二极管；深N阱上的N阱和N型有源区构成通路，通过导线连接其他读出电路；深P隔离层用来隔离深N阱内的器件，深P隔离层内的N阱和P型有源区用于制作PMOS晶体管，深P隔离层内的P阱和N型有源区用于制作NMOS管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东大学 一种抗辐照粒子探测器

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