申请/专利权人：哈尔滨工业大学

申请日：2020-07-28

公开（公告）日：2020-10-13

公开（公告）号：CN111766496A

主分类号：G01R31/26(20140101)

分类号：G01R31/26(20140101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.25#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.13#公开

摘要：本发明提供一种双极晶体管位移损伤敏感部位的检测方法，包括以下步骤：选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；选择至少2个不同的偏置电压，测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；根据不同的偏置电压下深能级瞬态谱中的信号峰变化，判定缺陷信号的类型；根据缺陷信号类型的判定结果，判定双极晶体管的位移损伤敏感区。本发明检测方法基于深能级瞬态谱分析，能够快速判断和评估双极晶体管位移损伤的敏感区，有利于推进辐射环境下双极器件性能退化等效性问题和抗辐射加固技术的研究。

主权项：1.一种双极晶体管位移损伤敏感部位的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：S100、选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；S200、将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；S300、选择至少2个不同的偏置电压，测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；S400、根据不同的偏置电压下深能级瞬态谱中的信号峰变化，判定缺陷信号的类型；S500、根据缺陷信号类型的判定结果，判定双极晶体管的位移损伤敏感区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨工业大学 双极晶体管位移损伤敏感部位的检测方法

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