申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-05-22

公开（公告）日：2020-10-13

公开（公告）号：CN111771282A

主分类号：H01L27/11575(20170101)

分类号：H01L27/11575(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11573(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.08.03#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.13#公开

摘要：提供了存储器件和形成方法。所述存储器件包括：衬底；衬底上的阶梯结构；在与衬底相对的一侧上的阶梯结构上的串驱动器结构；以及金属布线结构，其沿着相对于衬底的横向表面的垂直方向，位于串驱动器结构和阶梯结构之间。阶梯结构包括多个字线层。串驱动器结构包括多个晶体管，以单独对多个字线层进行寻址。基于阶梯结构的横向中心区域，串驱动器结构和金属布线结构与阶梯结构垂直对齐。

主权项：1.一种存储器件，其包括：衬底；在所述衬底上的阶梯结构，其中，所述阶梯结构包括多个字线层；串驱动器结构，在与所述衬底相对的一侧上在所述阶梯结构之上，所述串驱动器结构包括多个晶体管，以分别地对所述多个字线层进行寻址；以及金属布线结构，其沿着相对于所述衬底的横向表面的垂直方向，位于所述串驱动器结构和所述阶梯结构之间，其中：所述串驱动器结构和所述金属布线结构是基于所述阶梯结构的横向中心区域，与所述阶梯结构垂直地对齐的。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 存储器件及其形成方法

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