申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2016-03-04

公开（公告）日：2020-10-13

公开（公告）号：CN106206594B

主分类号：H01L27/11568(20170101)

分类号：H01L27/11568(20170101);H01L27/11582(20170101);H01L27/11573(20170101)

优先权：["20150526 KR 10-2015-0073035","20150902 KR 10-2015-0124390"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.10.13#授权;2017.12.29#实质审查的生效;2016.12.07#公开

摘要：一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区和外围区；单元层叠结构，层叠在单元区中的衬底上；一体式结构的沟道层，在穿透单元层叠结构；驱动晶体管，形成在外围区中；以及插塞结构，耦接到驱动晶体管且包括比沟道层短的至少两个接触插塞的层叠结构，其中，所述接触插塞中的每个与单元层叠结构的一部分布置在相同高度。

主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区和外围区；单元层叠结构，层叠在单元区中的衬底上；一体式结构的沟道层，穿透单元层叠结构；驱动晶体管，形成在外围区中；以及插塞结构，耦接到驱动晶体管且包括比沟道层短的至少两个接触插塞的层叠结构，其中，所述比沟道层短的至少两个接触插塞的层叠结构与所述单元层叠结构、所述沟道层间隔开，其中，所述接触插塞中的每个与单元层叠结构的一部分布置在相同高度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体器件及其制造方法

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