申请/专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学

申请日：2018-09-21

公开（公告）日：2020-10-13

公开（公告）号：CN108821273B

主分类号：C01B32/194(20170101)

分类号：C01B32/194(20170101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.10.13#授权;2018.12.25#著录事项变更;2018.12.11#实质审查的生效;2018.11.16#公开

摘要：本发明提供一种真空石墨烯转移装置及真空石墨烯转移方法，真空石墨烯转移装置包括壳体、升降机构、支撑凸台以及加热装置。壳体内部具有真空腔体，升降机构设于壳体并包括可升降地设于真空腔体内的压板，石墨烯薄膜固定于压板底部。支撑凸台设于真空腔体内且位于压板下方，目标基底固定于支撑凸台上。加热装置，设于真空腔体内且连接于支撑凸台，加热装置用于通过支撑凸台加热目标基底。其中，真空石墨烯转移装置通过升降机构将石墨烯薄膜下压至目标基底上，并通过加热装置加热，将石墨烯薄膜转移至目标基底。从而实现提高石墨烯转移的完整度，同时降低了石墨烯水氧掺杂，具有重要的应用价值。

主权项：1.一种真空石墨烯转移装置，用以将石墨烯薄膜转移至目标基底，所述真空石墨烯转移装置包括：壳体，内部具有真空腔体；升降机构，设于所述壳体并包括可升降地设于所述真空腔体内的压板，所述石墨烯薄膜固定于所述压板底部，所述压板的底部设有凹槽结构，所述石墨烯薄膜的周缘固定于所述凹槽结构的槽口，所述目标基底的中心线与所述凹槽结构的中心线共线；支撑凸台，设于所述真空腔体内且位于所述压板下方，所述目标基底固定于所述支撑凸台上；以及加热装置，设于所述真空腔体内且连接于所述支撑凸台，所述加热装置被配置为通过所述支撑凸台加热所述目标基底；其中，所述真空石墨烯转移装置被配置为，通过所述升降机构将石墨烯薄膜下压至所述目标基底上，并通过所述加热装置加热，将所述石墨烯薄膜转移至所述目标基底。

全文数据：真空石墨烯转移装置及真空石墨烯转移方法技术领域[0001]本公开涉及石墨烯薄膜转移领域，具体而言，涉及一种真空石墨烯转移装置和方法。背景技术[0002]石墨燦作为单原子层厚度的二维材料，具有优异的力学、热学、电学、光学性质，因此被认为具有良好的应用前景。目前，借助于化学气相沉积法，人们已经可以在金属基底例如铜上生长出大面积高质量的石墨烯薄膜。然而，石墨烯只有转移到特定功能基底上才能得到实际应用。[0003]目前，传统的湿法刻蚀转移的步骤一般为：a将金属基底上生长的石墨烯悬涂一层高聚物；（2将石墨烯薄膜置于刻蚀液中对金属基底进行刻蚀；（3将刻蚀过后的石墨烯薄膜进行清洗〆4使用目标功能基底捞取石墨烯薄膜，随后晾干除胶。[0004]该类方法存在着一些不足:转移过程中石墨烯下表面容易残留小气泡，较难除去，因而影响转移完整度；同时除去转移之后不同批次石墨烯薄膜之间的完整度差异较大;转移过程中对石墨烯存在较为严重的水氧掺杂，从而致使石墨烯的狄拉克点发生较为严重的偏移，影响器件的电学表现。因此，发展一种提高石墨烯转移完整度，降低石墨烯水氧掺杂的方法尤为重要。发明内容[0005]本公开的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种能够提高石墨烯转移之后完整度同时降低了石墨烯水氧掺杂的真空石墨烯转移装置。[0006]本公开的另一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种能够提高石墨烯转移之后完整度同时降低了石墨烯水氧掺杂的真空石墨烯转移方法。[0007]为实现上述目的，本公开采用如下技术方案：[0008]根据本公开的一个方面，提供一种真空石墨烯转移装置，用以将石墨烯薄膜转移至目标基底，所述真空石墨烯转移装置包括壳体、升降机构、支撑凸台以及加热装置。壳体内部具有真空腔体，升降机构设于所述壳体并包括可升降地设于所述真空腔体内的压板，所述石墨烯薄膜固定于所述压板底部。支撑凸台设于所述真空腔体内且位于所述压板下方，所述目标基底固定于所述支撑凸台上。加热装置，设于所述真空腔体内且连接于所述支撑凸台，所述加热装置被配置为通过所述支撑凸台加热所述目标基底。其中，所述真空石墨烯转移装置被配置为，通过所述升降机构将石墨烯薄膜下压至所述目标基底上，并通过所述加热装置加热，将所述石墨烯薄膜转移至所述目标基底。[0009]根据本公开的其中一个实施方式，所述壳体包括罩筒以及上法兰和下法兰。罩筒呈筒状结构，上法兰和下法兰分别封闭所述罩的顶部筒口和底部筒口；其中，所述罩筒与所述上法兰和所述下法兰共同界定出所述真空腔体。[0010]根据本公开的其中一个实施方式，所述升降机构包括套体以及螺杆。套体设于所述壳体顶部且具有沿竖直方向开设的螺孔。螺杆穿设于所述螺孔并与所述套体螺纹配合，所述螺杆具有顶端和底端，所述顶端向上伸出于所述套体，所述底端向下伸入所述真空腔体并连接于所述压板的中心位置。其中，所述升降机构被配置为通过旋转所述螺杆，而使所述螺杆带动所述压板升降。[0011]根据本公开的其中一个实施方式，所述螺杆的底端通过轴承可旋转地连接于所述压板，所述升降机构还包括至少一根导杆，所述导杆竖直设于所述真空腔体并穿设于所述压板，所述导杆被配置为在所述压板随所述螺杆升降时对所述压板导向。[0012]根据本公开的其中一个实施方式，所述螺杆的顶端设有旋钮。[0013]根据本公开的其中一个实施方式，所述压板的底部设有凹槽结构，所述石墨烯薄膜的周缘固定于所述凹槽结构的槽口。[0014]根据本公开的其中一个实施方式，所述凹槽结构的槽口尺寸大于所述支撑凸台的尺寸。[0015]根据本公开的另一个方面，一种真空石墨烯转移方法，用以将石墨烯薄膜转移至目标基底，包括真空石墨烯转移装置;将所述石墨烯薄膜固定在所述压板底部;将所述目标基底固定在所述支撑凸台上;对所述壳体抽真空形成所述真空腔体;利用所述加热装置加热所述目标基底;调节所述升降机构使所述压板下降，直至所述压板接触于所述支撑凸台，使得所述石墨烯薄膜转移至所述目标基底。[0016]根据本公开的其中一个实施方式，所述真空腔体的真空度小于等于lOOOPa。[0017]根据本公开的其中一个实施方式，所述加热装置加热所述目标基底的加热时间为8-12分钟。[0018]根据本公开的其中一个实施方式，所述压板接触所述支撑凸台需保持4-6分钟。[0019]由上述技术方案可知，本公开提出的真空石墨烯转移装置和方法的优点和积极效果在于：[0020]本公开提出的真空石墨烯转移装置，包括壳体、升降机构、支撑凸台以及加热装置。压板可以升降地设置在真空腔体内，石墨烯薄膜固定在压板的底部，目标基底固定在支撑凸台上，加热装置设置在真空腔体内并连接在支撑凸台，升降机构将石墨烯薄膜下压至目标基底上，并通过加热装置加热。据此，本公开能够提高石墨烯转移的完整度，同时降低了石墨烯水氧掺杂，具有重要的应用价值。附图说明[0021]通过结合附图考虑以下对本公开的优选实施方式的详细说明，本公开的各种目标、特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本公开的示范性图解，并非一定是按比例绘制。在附图中，同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。其中：[0022]图1是根据一示例性实施方式示出的一种真空石墨烯转移装置的结构示意图。[0023]图2A是根据一个实施方式示出的真空石墨烯转移装置的真空腔体的结构示意图。[0024]图2B是图2A另一使用状态的真空腔体的结构示意图。[0025]图3是根据一个实施方式示出的压板的结构示意图。[0026]图4是根据一实施方式示出的真空石墨烯转移装置的结构示意图。[0027]图5A是根据另一实施方式示出的压板的俯视图。[0028]图5B是根据另一实施方式示出的加热装置的俯视图。[0029]图6是根据另一实施方式示出的真空石墨烯转移装置的结构示意图。[0030]其中，附图标记说明如下：[0031]100.真空石墨烯转移装置；[0032]110.壳体；[0033]111.真空腔体；[0034]121.罩筒；[0035]122•上法兰；[0036]1221•进气阀门；[0037]1222.抽气阀门；[0038]123.下法兰；[0039]1231•引线口；[0040]120.升降机构；[0041]121.压板；[0042]1211.凹槽结构；[0043]122.套体；[0044]123.螺杆；[0045]124.轴承；[0046]125.导杆；[0047]130.支撑凸台；[0048]131•目标基底；[0049]140.加热装置；[0050]150•旋钮；具体实施方式[0051]体现本公开特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本公开能够在不同的实施例上具有各种的变化，其皆不脱离本公开的范围，且其中的说明及附图在本质上是作说明之用，而非用以限制本公开。[0052]在对本公开的不同示例性实施方式的下面描述中，参照附图进行，所述附图形成本公开的一部分，并且其中以示例方式显示了可实现本公开的多个方面的不同示例性结构、系统和步骤。应理解，可以使用部件、结构、示例性装置、系统和步骤的其他特定方案，并且可在不偏离本公开范围的情况下进行结构和功能性修改。而且，虽然本说明书中可使用术语“上端部”、“下端部”、“之间”、“侧”等来描述本公开的不同示例性特征和元件，但是这些术语用于本文中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。本说明书中的任何内容都不应理解为需要结构的特定三维方向才落入本公开的范围内。[0053]真空石墨烯转移装置实施方式一[0054]参阅图1，图1中代表性地示出了能够体现本公开的原理的真空石墨烯转移装置在该示例性实施方式中，本公开提出的真空石墨烯转移装置是以石墨烯薄膜转移至目标基底为例进行说明的。本领域技术人员容易理解的是，为将真空石墨烯转移装置应用于其他领域，而对下述的具体实施方式做出多种改型、添加、替代、删除或其他变化，这些变化仍在本公开提出的真空石墨烯转移装置的原理范围内。[0055]如图1所示，在本实施方式中，真空石墨烯转移装置包括壳体、升降机构、支撑凸台以及加热装置。图1是根据一示例性实施方式示出的一种真空石墨烯转移装置的结构示意图。图2A是根据一个实施方式示出的真空石墨烯转移装置的真空腔体的结构示意图。图2B是图2A另一使用状态的真空腔体的结构示意图。图3是根据一个实施方式示出的压板的结构示意图。图4是根据一实施方式示出的真空石墨烯转移装置的结构示意图。图5A是根据另一实施方式示出的压板的俯视图。图5B是根据另一实施方式示出的加热装置的俯视图。图6是根据另一实施方式示出的真空石墨烯转移装置的结构示意图。以下结合上述附图，对本公开提出的真空石墨烯转移装置的各主要组成部分的结构、连接方式和功能关系进行详细描述。[0056]如图1所示，在本实施方式中，真空石墨烯转移装置100用以将石墨烯薄膜转移至目标基底131，壳体110内部具有真空腔体111，升降机构120设于壳体110,升降机构120还包括压板121，压板121可升降地设于真空腔体111内。石墨烯薄膜固定于压板121底部。支撑凸台13〇设于真空腔体111内且位于压板121下方，目标基底131固定于支撑凸台130上。加热装置140设置在真空腔体111内且连接于支撑凸台130，加热装置140用于通过支撑凸台130加热目标基底131。其中，真空石墨烯转移装置1〇〇用于通过升降机构120将石墨烯薄膜下压至目标基底131上，并通过加热装置140加热，将石墨烯薄膜转移至目标基底131，目标基底131包括硅片、STO、PET、石英、玻璃或陶瓷等。本公开能够提高石墨烯转移的完整度，同时降低了石墨烯水氧掺杂，具有重要的应用价值。[0057]石墨烯可以是直接生长在硬质基底例如溅射有铜用中文或镍的硬质基底、玻璃、蓝宝石、石英、娃片、云母、欽酸锁等上的石墨嫌，也可以是在其他基底上生长完成之后，被转移到硬质基底例如玻璃、蓝宝石、石英、硅片、云母、钛酸锶等上的石墨烯，也可以是直接生长在金属基底例如铜箔、镍箔上的石墨烯，例如溉射铜的蓝宝石基底上生长的石墨烯，直径为4英寸。[0058]进一步地，如图1所示，在本实施方式中，壳体110包括罩筒121以及上法兰122和下法兰I23。罩筒m呈筒状结构，上法兰U2和下法兰123分别封闭罩的顶部筒口和底部筒口。其中，罩筒121与上法兰I22和下法兰123共同界定出真空腔体m，。在其他实施方式中，罩体的结构并不限于筒状，罩筒以1还可以呈其他形状结构，例如罩体为长方体结构，则上法兰122与下法兰123可以是与罩筒121相匹配的矩形。[0059]进一步地，如图1所示，在本实施方式中，罩筒121的材质为石英。在其他实施方式中，罩筒121的材质并不限于石英，还可以为不锈钢等其他材质。[0060]更进一步地，如图1所示，在本实施方式中，真空石墨烯转移装置100还包括调真空机构，调真空机构连通于真空腔体111，真空机构用于调节真空腔体的真空度。上法兰丨22设置有进气阀门1221和抽气阀门丨222,下法兰上设置有引线口1231[0061]进一步地，如图1-图3所示，在本实施方式中，真空度小于等于i〇〇〇pa。需说明的是，真空腔体111在石墨烯转移过程中的气压越低，则石墨烯表面和目标基底131表面在贴合过程中的残余气泡就越小，石墨烯薄膜的转移质量就越高。因此，真空腔体111的真空度还可以进一步地优选为小于l〇Pa。[0062]进一步地，如图1-图3所示，在本实施方式中，升降机构120包括套体122以及螺杆123。套体122设于壳体110顶部且具有沿竖直方向开设的螺孔。螺杆123穿设于螺孔并与套体122螺纹配合，螺杆123具有顶端和底端，顶端向上伸出于套体122,底端向下伸入真空腔体111并连接于压板121的中心位置。其中，升降机构120用于通过旋转螺杆123,而使螺杆123带动压板121升降。套体122的作用是控制螺杆123能够在竖直方向上升降，避免套体U2产生偏移。通过螺杆123带动压板121升降，从而使石墨烯转移。在其他实施方式中，螺杆123的底端与压板121的连接位置并不限于压板121的中心,还可以是压板121的其他位置。[0063]更进一步地，如图4所示，基于螺杆123穿设于所述螺孔并与所述套体122螺纹配合的设计。在本实施方式中，螺杆123的底端通过轴承123可旋转地连接于压板121，升降机构120还包括两根导杆125,导杆125竖直设于真空腔体111并穿设于压板121，导杆125用于在压板121随螺杆123升降时对压板121导向。导杆125的长度略小于真空腔体111的内部高度，同时压板121的边缘部位上设有两个小孔，小孔的直径略大于导杆125的直径。从而能够有效防止压板121在垂直的升降过程中发生水平面上的旋转，满足精确控制转移石墨烯角度的情形以及基底具有特殊形状的情形的特殊需要。在其他实施方式中，导杆125的数量不限于两根，还可以为一根或两根以上，同样压板121上的小孔根据导板的根数对应设计。[0064]更进一步地，如图1所示，基于螺杆123穿设于所述螺孔并与所述套体122螺纹配合的设计。在本实施方式中，螺杆123的顶端设有旋钮150。在实际操作过程中，使用者手动调节旋钮150来控制升降机构120的升降，旋钮150的设计能够对使用者提供便利，增加了操作的准确性。在其他实施方式中，并不限于手动调节旋钮150来控制升降机构120,还可以为升降机构120连接一个电机，电机设置在真空石墨烯转移装置100的外部，电机可以驱动升降机构120升降。[0065]进一步地，如图1所示，在本实施方式中，压板121的底部设有凹槽结构1211，石墨烯薄膜的周缘固定于凹槽结构1211的槽口。压板121底部的凹槽结构1211设计能够使石墨烯薄膜稳定的固定在压板121上，增加了真空石墨烯转移装置100的稳定性。在其它实施方式中，压板121的底部不限于凹槽结构1211的设计，还可以是其他结构，用来固定石墨烯薄膜。[0066]更进一步地，如图1所示，基于压板121的底部设有凹槽结构1211，石墨烯薄膜的周缘固定于凹槽结构1211的槽口的设计。在本实施方式中，凹槽结构1211的槽口尺寸大于支撑凸台130的尺寸。此种设计可以使槽口内的石墨烯薄膜表面与目标基底131表面接触充分，提高了石墨烯转移的完整度。在其他实施方式中，凹槽结构1211的槽口尺寸不限于大于支撑凸台130的尺寸，凹槽结构1211的槽口尺寸还可以等于支撑凸台130的尺寸。[0067]真空石墨烯转移装置实施方式二[0068]参阅图5A-图5B，图5A-图5B中代表性地示出了能够体现本公开的原理的真空石墨烯转移装置另一实施方式的压板在该示例性实施方式中，本公开提出的真空石墨烯转移装置与第一实施方式中的真空石墨烯转移装置的设计大致相同，以下将对本实施方式的主要区别设计进行详细说明。[0069]如图5A-图5B所示，在本实施方式中，压板m上设置有9个凹槽结构1211，形成了3*3的阵列，加热装置上设置有9个与凹槽结构mi对应的目标基底，目标基底131的中心与凹槽结构1211的中心共线。[0070]在其他实施方式中，单块压板121底部可以设置多块石墨烯薄膜，同时相应的单个支撑凸台130上设置多个目标基底131，且多块石墨烯薄膜与多个目标基底丨31--对应设置，从而增加了石墨炼转换装置的工作效率。[0071]真空石墨烯转移装置实施方式三[0072]在该示例性实施方式中，本公开提出的真空石墨烯转移装置与上述实施方式中的真空石墨烯转移装置的设计大致相同，以下将对本实施方式的主要区别设计进行详细说明。[0073]在其他实施方式中，如图6所示，一个真空腔体in可以设置有多个升降机构120，同时支撑凸台130相对应的也可以有多个。相当于一个壳体110内有多组转移机构，每组转移机构包括前述的一个升降机构120和与其相配合的一个支撑凸台130和加热装置140。从而增加了石墨烯转换装置的工作效率。[0074]在此应注意，附图中示出而且在本说明书中描述的真空石墨烯转移装置仅仅是能够采用本发明原理的许多种真空石墨烯转移装置中的三个示例。应当清楚地理解，本发明的原理绝非仅限于附图中示出或本说明书中描述的真空石墨烯转移装置的任何细节或真空石墨烯转移装置的任何部件。[0075]真空石墨烯转移方法实施方式[0076]基于上述各实施方式对本公开提出的真空石墨烯转移装置的示例性说明，以下将对本公开提出的真空石墨烯转移方法的一示例性实施方式进行详细说明。在该示例性实施方式中，本公开提出的真空石墨烯转移方法是以实现将石墨烯薄膜转移至目标基底的方法为例进行说明的。本领域技术人员容易理解的是，为将真空石墨烯转移方法应用于其他领域，而对下述的具体实施方式做出多种改型、添加、替代、删除或其他变化，这些变化仍在本公开提出的真空石墨烯转移方法的原理范围内。[0077]在本实施方式中，本公开提出的真空石墨烯转移方法用以将石墨烯薄膜转移至目标基底，该真空石墨烯转移方法具体包括以下步骤：[0078]提供本公开提出的且在上述实施方式中示例性说明的真空石墨烯转移装置；[0079]将石墨烯薄膜固定在压板121底部；[0080]将目标基底131固定在支撑凸台130上；[0081]对壳体110抽真空形成真空腔体11;[0082]利用加热装置140加热目标基底131;以及[0083]调节升降机构120使压板121下降，直至压板121接触于支撑凸台130,使得石墨燦薄膜转移至目标基底131。[0084]具体而言，加热装置140的加热范围是1〇〇-1STC，优选为15〇r。需要说明的是，该温度高于水的沸点，可以有效除去目标功能基底上的水分，同时该温度不至于过高，不会对石墨烯造成额外的缺陷或损伤。从而提高了石墨烯转移的完整度。[0085]进一步地，在本实施方式中，对于壳体抽真空形成真空腔体的步骤而言，真空腔体111的真空度小于等于l〇Pa。由于真空腔体111在石墨烯转移过程中的气压越低，则石墨稀表面和目标基底131表面在贴合过程中的残余气泡就越小。[0086]进一步地，对于加热装置140加热目标基底的步骤而言。在本实施方式中，加热装置140加热目标基底的加热时间为8_12分钟。从而使转移后的石墨烯样品完整^得至'j提高，水氧掺杂程度显著降低。[0087]进一步地，对于压板121接触于支撑凸台130使得石墨烯薄膜转移至目标基底131的步骤而言。在本实施方式中，压板121接触支撑凸台13〇需保持4-6分钟。[0088]在此应注意，附图中示出而且在本说明书中描述的真空石墨烯转移方法仅仅是能够采用本发明原理的许多种真空石墨烯转移方法中的一个示例。应当清楚地理解，本发明的原理绝非仅限于附图中示出或本说明书中描述的真空石墨烯转移方法的任何细节或真空石墨烯转移装置的任何部件。[0089]举例而言，为了得到上述真空石墨烯转移方法中所需的石墨烯薄膜，在本实施方式中，该石墨烯薄膜的制备大致包括以下步骤：[0090]使用化学气相沉积法，在金属基底上生长石墨烯；[0091]将生长有石墨烯的样品裁剪成合适大小；[0092]将样品的其中一面悬涂上一层PMMA，使用等离子体清洗机将另外一面的石墨烯除去；[0093]将胶带贴在石墨烯样品的四周，做成胶框，起支撑作用；[0094]使用刻蚀液对金属基底刻蚀；[0095]对石墨烯进行清洗，随后使用镊子夹住胶框将石墨烯捞出晾干，备用。[0096]综上所述，本公开提出的真空石墨烯转移装置，包括壳体、升降机构、支撑凸台以及加热装置。压板可以升降地设置在真空腔体内，石墨烯薄膜固定在压板的底部，目标基底固定在支撑凸台上，加热装置设置在真空腔体内并连接在支撑凸台，升降机构将石墨烯薄膜下压至目标基底上，并通过加热装置加热。据此，本公开能够提高石墨烯转移的完整度，同时降低了石墨烯水氧掺杂，具有重要的应用价值。[0097]以上详细地描述和或图示了本公开提出的真空石墨烯转移装置的示例性实施方式。但本公开的实施方式不限于这里所描述的特定实施方式，相反，每个实施方式的组成部分和或步骤可与这里所描述的其它组成部分和或步骤独立和分开使用。一个实施方式的每个组成部分和或每个步骤也可与其它实施方式的其它组成部分和或步骤结合使用。在介绍这里所描述和或图示的要素组成部分等时，用语“一个”、“一”和“上述”等用以表示存在一个或多个要素组成部分等。术语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素组成部分等之外还可存在另外的要素组成部分等。此外，权利要求书及说明书中的术语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数字限制。[0098]虽然己根据不同的特定实施例对本公开提出的真空石墨烯转移装置和方法进行了描述，但本领域技术人员将会认识到可在权利要求的精神和范围内对本公开的实施进行改动。

权利要求：i.一种真空石墨烯转移装置，用以将石墨烯薄膜转移至目标基底，所述真空石墨烯转移装置包括：壳体，内部具有真空腔体；升降机构，设于所述壳体并包括可升降地设于所述真空腔体内的压板，所述石墨烯薄膜固定于所述压板底部；—、、、支撑凸台，设于所述真空腔体内且位于所述压板下方，所述目标基底固定于所述支撑凸台上；以及加热装置，设于所述真空腔体内且连接于所述支撑凸台，所述加热装置被配置为通过所述支撑凸台加热所述目标基底；其中，所述真空石墨烯转移装置被配置为，通过所述升降机构将石墨炼薄膜下压至所述目标基底上，并通过所述加热装置加热，将所述石墨烯薄膜转移至所述目标基底。2.根据权利要求1所述的真空石墨烯转移装置，其特征在于，所述壳体包括：罩筒，呈筒状结构；以及上法兰和下法兰，分别封闭所述罩的顶部筒口和底部筒口；其中，所述罩筒与所述上法兰和所述下法兰共同界定出所述真空腔体。3.根据权利要求2所述的真空石墨烯转移装置，其特征在于，所述真空腔体的真空度小于或等于l〇〇〇Pa。4.根据权利要求1所述的真空石墨烯转移装置，其特征在于，所述升降机构包括：套体，设于所述壳体顶部且具有沿竖直方向开设的螺孔;以及螺杆，穿设于所述螺孔并与所述套体螺纹配合，所述螺杆具有顶端和底端，所述顶端向上伸出于所述套体，所述底端向下伸入所述真空腔体并连接于所述压板的中心位置；其中，所述升降机构被配置为通过旋转所述螺杆，而使所述螺杆带动所述压板升降。5.根据权利要求4所述的真空石墨烯转移装置，其特征在于，所述螺杆的顶端设有旋钮，所述螺杆的底端通过轴承可旋转地连接于所述压板，所述升降机构还包括：至少一根导杆，所述导杆竖直设于所述真空腔体并穿设于所述压板，所述导杆被配置为在所述压板随所述螺杆升降时对所述压板导向。6.根据权利要求1所述的真空石墨烯转移装置，其特征在于，所述压板的底部设有凹槽结构，所述石墨烯薄膜的周缘固定于所述凹槽结构的槽口。7.根据权利要求6所述的真空石墨烯转移装置，其特征在于，所述凹槽结构的槽口尺寸大于所述支撑凸台的尺寸。8.根据权利要求1所述的真空石墨烯转移装置，其特征在于，所述加热装置设有所述真空腔体底部，所述支撑凸台设于所述加热装置上。9.一种真空石墨烯转移方法，用以将石墨烯薄膜转移至目标基底，其特征在于，所述真空石墨烯转移方法包括以下步骤：提供权利要求1〜8任一项所述的真空石墨烯转移装置；将所述石墨烯薄膜固定在所述压板底部；将所述目标基底固定在所述支撑凸台上；对所述壳体抽真空形成所述真空腔体；利用所述加热装置加热所述目标基底；以及调节所述升降机构使所述压板下降，直至所述压板接触于所支撑凸台，使得所述石墨烯薄膜转移至所述目标基底。10.如权利要求9所述的真空石墨烯转移方法，其特征在于，在利用所述加热装置加热所述目标基底的步骤中，所述加热装置加热的温度范围为i0048〇r。、•如权利要求9所述的真空石墨烯转移方法，其特征在于，在利用所述加热装置加热所述目标基底的步骤中，所述加热装置加热所述目标基底的加热时间为8_1S分钟，在所述压板接触于所述支撑凸台的步骤中，所述压板与所述支撑凸台的接触持续4_6分钟。

百度查询： 北京石墨烯研究院;北京大学 真空石墨烯转移装置及真空石墨烯转移方法

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