申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十九研究所;中国电子科技集团公司第十三研究所

申请日：2019-03-13

公开（公告）日：2020-10-13

公开（公告）号：CN109883565B

主分类号：G01K7/32(20060101)

分类号：G01K7/32(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.10.13#授权;2019.07.09#实质审查的生效;2019.06.14#公开

摘要：一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片，涉及一种谐振器。本发明将现有铂电阻等传统测量精度的0.15℃提高到0.05℃，实现提高温度测量精度的目的。本发明包括谐振器本体、谐振层2‑1、硅硅键合层2‑2和谐振层固定座2‑3，谐振层固定座2—3为硅结构，谐振层固定座2—3与谐振层2—1中谐振器本体的第一锚块701、第二锚块702和备用电极通路502构成一整体，通过硅硅键合层2—2将硅与谐振层固定座2—3与谐振层2—1中的第一锚块701、第二锚块702和备用电极通路502键合至一起，使谐振器构成一整体结构刚性结构。本发明用于温度敏感测试。

主权项：1.一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片，其特征在于：它包括谐振器本体、谐振层（2-1）、硅硅键合层（2-2）和谐振层固定座（2-3），谐振层固定座（2—3）为硅结构，谐振层固定座（2—3）与谐振层（2—1）中谐振器本体的第一锚块（701）、第二锚块（702）和备用电极通路（502）构成一整体，通过硅硅键合层（2—2）将硅与谐振层固定座（2—3）与谐振层（2—1）中的第一锚块（701）、第二锚块（702）和备用电极通路（502）键合至一起，使谐振器构成一个整体的刚性结构；谐振器本体包括第一引出电极（101）、第二引出电极（102）、第三引出电极（103）、第四引出电极（104）、第一驱动电极（401）、第二驱动电极（402）、第三驱动电极（403）、备用电极（15）、第一锚块（701）、第二锚块（702）、下横拉梁（142）、上横拉梁（141）、上谐振单元、下谐振单元、第一连接块（301）、第二连接块（302）、第三连接块（303）、第四连接块（304）、驱动电极通路（501）、备用电极通路（502）、第一连接梁（201）、第四连接梁（204）、第五连接梁（205）、第七连接梁（207）、第二连接梁（202）、第三连接梁（203）、第六连接梁（206）和第八连接梁（208）；第一引出电极（101）、第三驱动电极（403）和第四引出电极（104）位于同一排，第二引出电极（102）、第二驱动电极（402）和第三引出电极（103）位于同一排，第一锚块（701）和第二锚块（702）安装在第二驱动电极（402）和第三驱动电极（403）之间，第一锚块（701）和第二锚块（702）之间分别通过下横拉梁（142）和上横拉梁（141）连接，下横拉梁（142）和上横拉梁（141）与第二驱动电极（402）和第三驱动电极（403）之间分别通过上谐振单元和下谐振单元连接，第一连接块（301）和第二连接块（302）连接后安装在第一锚块（701）的外侧，第三连接块（303）和第四连接块（304）连接后安装在第二锚块（702）的外侧，第一驱动电极（401）与第一连接块（301）和第二连接块（302）之间通过驱动电极通路（501）连接，备用电极（15）与第三连接块（303）和第四连接块（304）之间通过备用电极通路（502）连接，第一引出电极（101）与上谐振单元之间通过第一连接梁（201）连接，第二引出电极（102）与下谐振单元之间通过第四连接梁（204）连接，第三引出电极（103）与下谐振单元之间通过第五连接梁（205）连接，第四引出电极（104）与上谐振单元之间通过第八连接梁（208）连接，第一连接块（301）与上谐振单元之间通过第二连接梁（202）连接，第二连接块（302）与下谐振单元之间通过第三连接梁（203）连接，第三连接块（303）与下谐振单元之间通过第六连接梁（206）连接，第四连接块（304）与上谐振单元之间通过第七连接梁（207）连接。

全文数据：一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片技术领域本发明涉及一种MEMS谐振式压力传感器，具体涉及一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片。背景技术传统温度传感器如铂电阻、铜电阻传感器，精度最高达到0.15℃，精度无法进一步提高；光纤温度传感器虽然有较高的测温精度，但成本较高，而且光纤容易损耗。谐振式传感器作为一代高精度传感器，以谐振式压力传感器和谐振式温度传感器为主体，实现了多物理参数的测量，具有高精度、微结构、频率输出等特点；谐振式传感器具有结构微小、功耗低、响应快、重复性好、稳定性和可靠性高外，还具备频带宽、信噪比高、抗冲击、抗干扰能力强、易集成、可大批量生产、成本低等优点，得到世界各国的广泛关注和重点开发。谐振式原理的温度传感器理论精度能达到0.05℃，可以实现精确温度测量，是高精度温度传感器的发展方向。传统的铂电阻、铜电阻等传统测量方式为利用导体的阻值随温度变化而变化、并呈一定函数关系的特性来进行测温，受到导体本身材料的限制，其精度最高为0.15℃。存在温度传感器精度差的问题。发明内容本发明为了达到提高温度测量精度的目的，将现有铂电阻等传统测量精度的0.15℃提高到0.05℃，提供了一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片。本发明的技术方案是一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片，它包括谐振器本体、谐振层、硅硅键合层和谐振层固定座，谐振层固定座—为硅结构，谐振层固定座—与谐振层—中谐振器本体的第一锚块、第二锚块和备用电极通路构成一整体，通过硅硅键合层—将硅与谐振层固定座—与谐振层—中的第一锚块、第二锚块和备用电极通路键合至一起，使谐振器构成一整体结构刚性结构；谐振器本体包括第一引出电极、第二引出电极、第三引出电极、第四引出电极、第一驱动电极、第二驱动电极、第三驱动电极、备用电极、第一锚块、第二锚块、下横拉梁、上横拉梁、上谐振单元、下谐振单元、第一连接块、第二连接块、第三连接块、第四连接块、驱动电极通路、备用电极通路、第一连接梁、第四连接梁、第五连接梁、第七连接梁、第二连接梁、第三连接梁、第六连接梁和第八连接梁；第一引出电极、第三驱动电极和第四引出电极位于同一排，第二引出电极、第二驱动电极和第三引出电极位于同一排，第一锚块和第二锚块安装在第二驱动电极和第三驱动电极之间，第一锚块和第二锚块之间分别通过下横拉梁和上横拉梁连接，下横拉梁和上横拉梁与第二驱动电极和第三驱动电极之间分别通过上谐振单元和下谐振单元连接，第一连接块和第二连接块连接后安装在第一锚块的外侧，第三连接块和第四连接块连接后安装在第二锚块的外侧，第一驱动电极与第一连接块和第二连接块之间通过驱动电极通路连接，备用电极与第三连接块和第四连接块之间通过备用电极通路连接，第一引出电极与上谐振单元之间通过第一连接梁连接，第二引出电极与下谐振单元之间通过第四连接梁连接，第三引出电极与下谐振单元之间通过第五连接梁连接，第四引出电极与上谐振单元之间通过第八连接梁连接，第一连接块与上谐振单元之间通过第二连接梁连接，第二连接块与下谐振单元之间通过第三连接梁连接，第三连接块与下谐振单元之间通过第六连接梁连接，第四连接块与上谐振单元之间通过第七连接梁连接。进一步地，下横拉梁和上横拉梁与第一锚块的交汇处的左侧设有第一锚块孔和第二锚块孔。进一步地，下横拉梁和上横拉梁与第二锚块的交汇处设有第三锚块孔和第四锚块孔。进一步地，下谐振单元包括下敏感梳齿电极、第一连接支撑梁、第一稳固梁、下质量块、第二稳固梁和第二连接支撑梁，下敏感梳齿电极安装在第二驱动电极上组成阵列电容，第一连接支撑梁将下敏感梳齿电极与第三连接梁和第四连接梁连接为一体，形成稳定的左下三角支撑；第二连接支撑梁将下敏感梳齿电极与第五连接梁和第六连接梁连接为一体，形成稳定的右下三角支撑；左下三角支撑与右下三角支撑之间设有下质量块，下质量块通过左右两侧的第一稳固梁和第二稳固梁与下敏感梳齿电极连接；下质量块的上端与上横拉梁之间设有第二谐振孔，下质量块的下端与下敏感梳齿电极之间设有第一谐振孔。进一步地，第二谐振孔的宽度为第一谐振孔宽度的2倍。进一步地，上谐振单元包括上敏感梳齿电极、第四连接支撑梁、第四稳固梁、上质量块、第三稳固梁和第三连接支撑梁，上敏感梳齿电极安装在第三驱动电极上组成阵列电容，第四连接支撑梁将上敏感梳齿电极与第一连接梁和第二连接梁连接为一体，形成稳定的左上三角支撑；第三连接支撑梁将上敏感梳齿电极与第七连接梁和第八连接梁连接为一体，形成稳定的右上三角支撑；左上三角支撑和右上三角支撑之间设有上质量块，上质量块通过左右两侧的第三稳固梁和第四稳固梁与上敏感梳齿电极连接；上质量块的上端与上敏感梳齿电极之间设有第三谐振孔，上质量块的下端与上横拉梁之间设有第四谐振孔。进一步地，第四谐振孔的宽度为第三谐振孔宽度的2倍。本发明与现有技术相比具有以下改进效果：1、本发明由静电提供激励，第一驱动电极401为静电激励的正极或负极，第二驱动电极402和第三驱动电极403与第一驱动电极极性相反，分别与之配合的下敏感梳齿电极801、上敏感梳齿电极802产生静电，在该静电激励的驱动下，下质量块131、上质量块132发生振动，当静电激励的变化频率与第一连接支撑梁901、第二连接支撑梁902、第一稳固梁111、第一谐振孔121、下质量块131、第二谐振孔122、第二稳固梁112、横拉梁141组成的下谐振单元以及第三连接支撑梁903、第四连接支撑梁904、第三稳固梁113、第三谐振孔123、上质量块132、第四谐振孔124、第四稳固梁114、横拉梁142组成的上谐振单元的固有频率耦合时，发生谐振现象，上、下谐振单元的振幅变化明显，谐振单元的一阶振型为沿平行于长方形短边方向的同向振动，二阶振型为沿平行于长方形短边方向的相向振动，该振型为所需的测试振型。2、在该静电激励的驱动下，两个质量块和谐振器上的谐振单元的固有频率耦合时，发生谐振现象；当环境温度发生改变时，由于硅的热膨胀系数发生改变，导致该谐振器的固有频率发生变化，通过检测谐振频率的变化实现温度测量，该种测量原理的精度取决于共振频率的变化，该变化可以实现准确测量，达到温度测量精度提升至0.05℃的目的。同时谐振固定座2—3与谐振层2—1中的谐振单元通过硅硅键合2—2形成整体钢性结构，可避免外接环境因素对谐振器影响，如压力影响，产品精度得到很大程度的提高。附图说明图1是本发明的结构示意图。图2是本发明的剖视结构示意图。具体实施方式具体实施方式一：结合图1和图2说明本实施方式，一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片，它包括谐振器本体、谐振层2-1、硅硅键合层2-2和谐振层固定座2-3，谐振层固定座2—3为硅结构，谐振层固定座2—3与谐振层2—1中谐振器本体的第一锚块701、第二锚块702和备用电极通路502构成一整体，通过硅硅键合层2—2将硅与谐振层固定座2—3与谐振层2—1中的第一锚块701、第二锚块702和备用电极通路502键合至一起，使谐振器构成一整体结构刚性结构；谐振器本体包括第一引出电极101、第二引出电极102、第三引出电极103、第四引出电极104、第一驱动电极401、第二驱动电极402、第三驱动电极403、备用电极15、第一锚块701、第二锚块702、下横拉梁142、上横拉梁141、上谐振单元、下谐振单元、第一连接块301、第二连接块302、第三连接块303、第四连接块304、驱动电极通路501、备用电极通路502、第一连接梁201、第四连接梁204、第五连接梁205、第七连接梁207、第二连接梁202、第三连接梁203、第六连接梁206和第八连接梁208；第一引出电极101、第三驱动电极403和第四引出电极104位于同一排，第二引出电极102、第二驱动电极402和第三引出电极103位于同一排，第一锚块701和第二锚块702安装在第二驱动电极402和第三驱动电极403之间，第一锚块701和第二锚块702之间分别通过下横拉梁142和上横拉梁141连接，下横拉梁142和上横拉梁141与第二驱动电极402和第三驱动电极403之间分别通过上谐振单元和下谐振单元连接，第一连接块301和第二连接块302连接后安装在第一锚块701的外侧，第三连接块303和第四连接块304连接后安装在第二锚块702的外侧，第一驱动电极401与第一连接块301和第二连接块302之间通过驱动电极通路501连接，备用电极15与第三连接块303和第四连接块304之间通过备用电极通路502连接，第一引出电极101与上谐振单元之间通过第一连接梁201连接，第二引出电极102与下谐振单元之间通过第四连接梁204连接，第三引出电极103与下谐振单元之间通过第五连接梁205连接，第四引出电极104与上谐振单元之间通过第八连接梁208连接，第一连接块301与上谐振单元之间通过第二连接梁202连接，第二连接块302与下谐振单元之间通过第三连接梁203连接，第三连接块303与下谐振单元之间通过第六连接梁206连接，第四连接块304与上谐振单元之间通过第七连接梁207连接。本实施方式的谐振器整体为长方形，且分别关于该长方形的长边、短边的中心线呈轴对称图形。本实施方式处于敏感梳齿电极802左侧的第一连接梁201和第二连接梁202不在同一条直线上，第一连接梁201相对第二连接梁202靠左。处于敏感梳齿电极802右侧的第七连接梁207和第八连接梁208不在同一条直线上，第八连接梁208相对第七连接梁207靠右；处于敏感梳齿电极801左侧的第三连接梁203和第四连接梁204不在同一条直线上，第四连接梁204相对第三连接梁203靠左。处于敏感梳齿电极801右侧的第五连接梁205和第六连接梁206不在同一条直线上，第五连接梁205相对第六连接梁206靠右；降低下谐振单元产生的电信号、第六连接梁206中传递的电信号对第五连接梁205以及第三引出电极103的影响。横拉梁141及横拉梁142与锚块701的连接处设置第二横拉梁孔602和第一横拉梁孔601，形成T型梁结构，用以提高谐振品质因子；横拉梁141及横拉梁142与第二锚块702的连接处设置第三横拉梁孔603和第四横拉梁孔604，形成T型梁结构，用以提高谐振品质因子，提高传感器的稳定性。谐振层固定座2—3为硅结构，与谐振层2—1中锚块701、锚块702和电极构成一整体，通过硅硅键合2—2，将硅与谐振层固定座2—3与谐振层2—1中锚块701、锚块702和电极键合至一起，使谐振器构成一整体结构刚性结构，为谐振层2—1提供支撑，保证谐振器工作时不受外界压力等影响，提高测温精度。其中电极由第一至第四引出电极101～104、第一至第三驱动电极401～403、两组驱动电极通路501～502、两组敏感梳齿电极801～802和备用电极15组成。具体实施方式二：结合图1说明本实施方式，本实施方式的下横拉梁142和上横拉梁141与第一锚块701的交汇处的左侧设有第一锚块孔601和第二锚块孔602。如此设置，降低因压力敏感膜的形变，第一锚块701对上、下谐振单元的内应力及阻尼的影响，进而提高谐振品质因子。其它组成和连接关系与具体实施方式一相同。具体实施方式三：结合图1说明本实施方式，本实施方式的下谐振单元包括下敏感梳齿电极801、第一连接支撑梁901、第一稳固梁111、下质量块131、第二稳固梁112和第二连接支撑梁902，下敏感梳齿电极801安装在第二驱动电极402上组成阵列电容，第一连接支撑梁901将下敏感梳齿电极801与第三连接梁203和第四连接梁204连接为一体，形成稳定的左下三角支撑；第二连接支撑梁902将下敏感梳齿电极801与第五连接梁205和第六连接梁206连接为一体，形成稳定的右下三角支撑；左下三角支撑与右下三角支撑之间设有下质量块131，下质量块131通过左右两侧的第一稳固梁111和第二稳固梁112与下敏感梳齿电极801连接；下质量块131的上端与上横拉梁141之间设有第二谐振孔122，下质量块131的下端与下敏感梳齿电极801之间设有第一谐振孔121。如此设置，可提高下谐振单元的基频，且易于下谐振单元的起振，在工作状态下也便于保证下谐振单元的强度和稳定。其它组成和连接关系与具体实施方式一、二或三相同。本实施方式的第一稳固梁111和第二至稳固梁112处于质量块131两侧，且关于长方形长边中心线对称；第一稳固梁111至第二稳固梁112将下质量块131和敏感梳齿电极801连接，形成两个稳定的三角固支；具体实施方式四：结合图1说明本实施方式，本实施方式的第二谐振孔122的宽度为第一谐振孔121宽度的2倍。如此设置，使质量块131靠近敏感梳齿电极801以及三角支撑结构，除便于敏感梳齿电极801的起振及工作稳定外，远离上横拉梁141，减少其对质量块131的影响，并提高其基频。其它组成和连接关系与具体实施方式一、二、三或四相同。具体实施方式五：结合图1说明本实施方式，本实施方式的上谐振单元包括上敏感梳齿电极802、第四连接支撑梁904、第四稳固梁114、上质量块132、第三稳固梁113和第三连接支撑梁903，上敏感梳齿电极802安装在第三驱动电极403上组成阵列电容，第四连接支撑梁904将上敏感梳齿电极802与第一连接梁201和第二连接梁202连接为一体，形成稳定的左上三角支撑；第三连接支撑梁903将上敏感梳齿电极802与第七连接梁207和第八连接梁208连接为一体，形成稳定的右上三角支撑；左上三角支撑和右上三角支撑之间设有上质量块132，上质量块132通过左右两侧的第三稳固梁113和第四稳固梁114与上敏感梳齿电极802连接；上质量块132的上端与上敏感梳齿电极802之间设有第三谐振孔123，上质量块132的下端与上横拉梁142之间设有第四谐振孔124。如此设置，可提高下谐振单元的基频，且易于下谐振单元的起振，在工作状态下也便于保证下谐振单元的强度和稳定。其它组成和连接关系与具体实施方式一、二、三、四或五相同。本实施方式的第三稳固梁113和第四稳固梁114处于上质量块132的两侧，且关于长方形长边中心线对称；第三稳固梁113至第四稳固梁114将上质量块132和敏感梳齿电极802连接，形成两个稳定的三角固支。具体实施方式六：结合图1说明本实施方式，本实施方式的第四谐振孔124的宽度为第三谐振孔123宽度的2倍。如此设置，使质量块132靠近敏感梳齿电极802以及三角支撑结构，除便于敏感梳齿电极802的起振及工作稳定外，远离上横拉梁142，减少其对质量块132的影响，并提高其基频。其它组成和连接关系与具体实施方式一、二、三、四、五或六相同。横拉梁141及横拉梁142与锚块701的连接处设置第二横拉梁孔602和第一横拉梁孔601，形成T型梁结构；横拉梁141及横拉梁142与锚块702的连接处设置第三横拉梁孔603和第四横拉梁孔604，形成T型梁结构。谐振层固定座2—3为硅结构，与谐振层2—1中第一锚块701、第二锚块702和电极构成一整体，提供支撑，保证谐振器工作时不受外界环境影响；谐振层固定座2—3通过硅硅键合2—2，将谐振层固定座2—3与谐振层2—1中的锚块701、锚块702和电极键合至一起，使谐振器构成一整体结构刚性结构。电极由第一至第四引出电极101～104、第一至第三驱动电极401～403、两组驱动电极通路501～502、两组敏感梳齿电极801～802和备用电极15组成。谐振层2—1包括第一至第四引出电极101～104、第一至第八连接梁201～208、第一至第四连接块301～304、第一至第三驱动电极401～403、两组驱动电极通路501～502、第一至第四横拉梁孔601～604、两个锚块701～702、两组敏感梳齿电极801～802、第一至第四连接支撑梁901～904、第一至第四稳固梁111～114、第一至第四谐振孔121～124、两个质量块131～132、两个横拉梁141～142和备用电极15。以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

权利要求：1.一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片，其特征在于：它包括谐振器本体、谐振层2-1、硅硅键合层2-2和谐振层固定座2-3，谐振层固定座2—3为硅结构，谐振层固定座2—3与谐振层2—1中谐振器本体的第一锚块701、第二锚块702和备用电极通路502构成一整体，通过硅硅键合层2—2将硅与谐振层固定座2—3与谐振层2—1中的第一锚块701、第二锚块702和备用电极通路502键合至一起，使谐振器构成一整体结构刚性结构；谐振器本体包括第一引出电极101、第二引出电极102、第三引出电极103、第四引出电极104、第一驱动电极401、第二驱动电极402、第三驱动电极403、备用电极15、第一锚块701、第二锚块702、下横拉梁142、上横拉梁141、上谐振单元、下谐振单元、第一连接块301、第二连接块302、第三连接块303、第四连接块304、驱动电极通路501、备用电极通路502、第一连接梁201、第四连接梁204、第五连接梁205、第七连接梁207、第二连接梁202、第三连接梁203、第六连接梁206和第八连接梁208；第一引出电极101、第三驱动电极403和第四引出电极104位于同一排，第二引出电极102、第二驱动电极402和第三引出电极103位于同一排，第一锚块701和第二锚块702安装在第二驱动电极402和第三驱动电极403之间，第一锚块701和第二锚块702之间分别通过下横拉梁142和上横拉梁141连接，下横拉梁142和上横拉梁141与第二驱动电极402和第三驱动电极403之间分别通过上谐振单元和下谐振单元连接，第一连接块301和第二连接块302连接后安装在第一锚块701的外侧，第三连接块303和第四连接块304连接后安装在第二锚块702的外侧，第一驱动电极401与第一连接块301和第二连接块302之间通过驱动电极通路501连接，备用电极15与第三连接块303和第四连接块304之间通过备用电极通路502连接，第一引出电极101与上谐振单元之间通过第一连接梁201连接，第二引出电极102与下谐振单元之间通过第四连接梁204连接，第三引出电极103与下谐振单元之间通过第五连接梁205连接，第四引出电极104与上谐振单元之间通过第八连接梁208连接，第一连接块301与上谐振单元之间通过第二连接梁202连接，第二连接块302与下谐振单元之间通过第三连接梁203连接，第三连接块303与下谐振单元之间通过第六连接梁206连接，第四连接块304与上谐振单元之间通过第七连接梁207连接。2.根据权利要求1的一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片，其特征在于：下横拉梁142和上横拉梁141与第一锚块701的交汇处的左侧设有第一锚块孔601和第二锚块孔602。3.根据权利要求2的一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片，其特征在于：下横拉梁142和上横拉梁141与第二锚块702的交汇处设有第三锚块孔603和第四锚块孔604。4.根据权利要求3的一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片，其特征在于：下谐振单元包括下敏感梳齿电极801、第一连接支撑梁901、第一稳固梁111、下质量块131、第二稳固梁112和第二连接支撑梁902，下敏感梳齿电极801为阵列电容，第一连接支撑梁901将下敏感梳齿电极801上支、第三连接梁203和第四连接梁204连接为一体，形成稳定的左下三角支撑；第二连接支撑梁902将下敏感梳齿电极801上支、第五连接梁205和第六连接梁206连接为一体，形成稳定的右下三角支撑；左下三角支撑与右下三角支撑之间设有下质量块131，下质量块131通过左右两侧的第一稳固梁111和第二稳固梁112与下敏感梳齿电极801上支连接；下质量块131的上端与上横拉梁141之间设有第二谐振孔122，下质量块131的下端与下敏感梳齿电极上支801上支之间设有第一谐振孔121。5.根据权利要求4的一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片，其特征在于：第二谐振孔122的宽度为第一谐振孔121宽度的2倍。6.根据权利要求5的一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片，其特征在于：上谐振单元包括上敏感梳齿电极802、第四连接支撑梁904、第四稳固梁114、上质量块132、第三稳固梁113和第三连接支撑梁903，上敏感梳齿电极802为阵列电容，第四连接支撑梁904将上敏感梳齿电极802下支与第一连接梁201和第二连接梁202连接为一体，形成稳定的左上三角支撑；第三连接支撑梁903将上敏感梳齿电极802下支、第七连接梁207和第八连接梁208连接为一体，形成稳定的右上三角支撑；左上三角支撑和右上三角支撑之间设有上质量块132，上质量块132通过左右两侧的第三稳固梁113和第四稳固梁114与上敏感梳齿电极802下支连接；上质量块132的上端与上敏感梳齿电极802下支之间设有第三谐振孔123，上质量块132的下端与上横拉梁142之间设有第四谐振孔124。7.根据权利要求6的一种基于SOI的硅微谐振式温度敏感芯片，其特征在于：第四谐振孔124的宽度为第三谐振孔123宽度的2倍。

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