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【实用新型】低副瓣天线_深圳迈睿智能科技有限公司_202020718348.5 

申请/专利权人:深圳迈睿智能科技有限公司

申请日:2020-04-30

公开(公告)日:2020-10-13

公开(公告)号:CN211670322U

主分类号:H01Q1/38(20060101)

分类号:H01Q1/38(20060101);H01Q1/48(20060101);H01Q1/50(20060101);H01Q1/52(20060101);H01Q13/10(20060101);G01S7/36(20060101);G01S7/41(20060101);G01S13/88(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.10.13#授权

摘要:本实用新型公开了一低副瓣天线,其中所述低副瓣天线包括一参考地和一辐射源,其中所述辐射源具有一馈电点,所述辐射源被间隔地保持于所述参考地的一侧,并在所述参考地和所述辐射源之间形成一辐射缝隙,所述辐射源具有两个相对的极化边和两个非极化边,其中两个所述非极化边位于两个所述极化边之间,两个所述非极化边朝向所述辐射源的物理中点内凹,所述低副瓣天线能够抑制一探测微波的一副瓣波束的产生,减小所述低副瓣天线的自激干扰,进而提高所述低副瓣天线在探测过程中的准确性和可靠性。

主权项:1.一低副瓣天线,其特征在于,包括:一参考地;和一辐射源,其中所述辐射源具有一馈电点,所述辐射源被间隔地保持于所述参考地的一侧,并在所述参考地和所述辐射源之间形成一辐射缝隙,其中在所述辐射源以所述馈电点至所述辐射源的物理中心点为一极化方向,其中所述辐射源具有在所述极化方向上的两个相对的极化边,和具有位于两个所述极化边之间的两个相对的非极化边,其中两个所述非极化边朝向所述辐射源的物理中点内凹。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳迈睿智能科技有限公司 低副瓣天线

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