申请/专利权人:杭州士兰微电子股份有限公司
申请日:2019-04-03
公开(公告)日:2020-10-16
公开(公告)号:CN111785771A
主分类号:H01L29/06(20060101)
分类号:H01L29/06(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/78(20060101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开
摘要:公开了一种双向功率器件,双向功率器件包括:半导体层;位于半导体层中的沟槽;位于所述沟槽侧壁上的栅介质层;位于所述沟槽下部的控制栅;以及位于所述半导体层中且邻近所述控制栅的沟道区;其中,所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开。本申请提供的双向功率器件中,沟道区邻近位于沟槽下部的控制栅,可以通过减小沟槽的宽度来减小沟道长度,进而减小沟道电阻。
主权项:1.一种双向功率器件,其特征在于,包括:半导体层;位于半导体层中的沟槽;位于所述沟槽侧壁上的栅介质层;位于所述沟槽下部的控制栅;以及位于所述半导体层中且邻近所述控制栅的沟道区;其中,所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 杭州士兰微电子股份有限公司 双向功率器件
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