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【发明公布】半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_201910268549.1 

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日:2019-04-04

公开(公告)日:2020-10-16

公开(公告)号:CN111785772A

主分类号:H01L29/06(20060101)

分类号:H01L29/06(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要:一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:形成衬底以及凸出于衬底的鳍部,衬底包括用于形成晶体管的器件区以及位于器件区两侧的隔离区;形成保护层,覆盖衬底以及器件区上的鳍部,且露隔离区上的鳍部;刻蚀隔离区上的鳍部形成初始伪鳍部;对保护层露出的初始伪鳍部表面进行第一氧化处理,形成位于剩余初始伪鳍部表面的氧化层,且剩余初始伪鳍部作为伪鳍部;在鳍部和伪鳍部露出的衬底上形成隔离结构,隔离结构覆盖鳍部的部分侧壁,且隔离结构顶部高于伪鳍部顶部。本发明通过第一氧化处理,去除初始伪鳍部顶部的栅栏缺陷,有利于提高器件的性能和可靠性。

主权项:1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:形成衬底以及凸出于所述衬底的多个分立的鳍部,所述衬底包括用于形成晶体管的器件区以及位于所述器件区两侧的隔离区;形成保护层,所述保护层覆盖所述衬底以及所述器件区上的鳍部,且露所述隔离区上的鳍部;刻蚀所述隔离区上的鳍部,形成初始伪鳍部;对所述保护层露出的所述初始伪鳍部的表面进行第一氧化处理,形成位于剩余初始伪鳍部表面的氧化层,且所述剩余初始伪鳍部作为伪鳍部;在所述鳍部和伪鳍部露出的所述衬底上形成隔离结构,所述隔离结构覆盖所述鳍部的部分侧壁,且所述隔离结构的顶部高于所述伪鳍部的顶部。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法

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