申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2018-12-22

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN111788167A

主分类号：C04B41/87(20060101)

分类号：C04B41/87(20060101);C04B41/00(20060101);C04B41/49(20060101);C23C16/32(20060101);C04B41/50(20060101);C23C16/02(20060101);C23C16/04(20060101)

优先权：["20180118 EP 18152232.7","20171227 US 62/610,658"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要：本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷DMS作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅SiC来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体，以及涉及其用于制造以下项的用途：用于高温应用、基座和反应器的制品，半导体材料和晶片。

主权项：1.在化学气相沉积CVD方法中使用二甲基二氯硅烷前驱物材料制造涂覆碳化硅SiC的主体的工艺，其中所述二甲基二氯硅烷前驱物材料包含A二甲基二氯硅烷DMS，所述二甲基二氯硅烷作为主要组分，和B至少一种另外组分，所述另外组分不同于DMS并为硅氧烷化合物或硅氧烷化合物的混合物，其中相对于所述二甲基二氯硅烷前驱物材料，所述另外组分B的含量为＞0wt.％至2.00wt.％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 用于制造涂覆碳化硅的主体的工艺

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