申请/专利权人:应用材料公司
申请日:2018-12-22
公开(公告)日:2020-10-16
公开(公告)号:CN111788168A
主分类号:C04B41/87(20060101)
分类号:C04B41/87(20060101);C04B35/52(20060101);C04B41/00(20060101);C04B41/50(20060101);C23C16/02(20060101);C23C16/32(20060101)
优先权:["20180118 EP 18152230.1","20171227 US 62/610,695"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2022.08.16#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开
摘要:本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷DMS作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅SiC来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体,以及涉及所述涂覆碳化硅的主体用于制造用于高温应用、基座和反应器、半导体材料以及晶片的制品的用途。
主权项:1.用于制造具有改性的表面孔隙率的经活化的石墨基板的工艺,包括以下步骤i将石墨基板定位在工艺腔室中,所述石墨基板具有一开口孔隙率,并且包括具有在0.4μm至5.0μm的范围内的平均孔尺寸孔径的孔并包括具有<10μm的表面孔径的孔,并且具有<0.05mm的平均晶粒尺寸;ii在所述工艺腔室中用氮净化所述石墨基板,直到所述工艺腔室中的氧含量为约5.0%;iii在炉中将多孔石墨基板加热到至少约1000℃的温度;iv继续用氮净化所述多孔石墨基板及将所述多孔石墨基板加热到>1000℃的温度,直到所述氧含量为≤0.5%。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 应用材料公司 用于制造涂覆碳化硅的主体的工艺
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