申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司

申请日：2019-02-07

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN111788672A

主分类号：H01L21/8239(20060101)

分类号：H01L21/8239(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/768(20060101);H01L21/8234(20060101);H01L23/522(20060101);H01L27/088(20060101);H01L27/105(20060101);H01L27/146(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/786(20060101);H01L29/82(20060101);H01L43/08(20060101);H01L21/3205(20060101)

优先权：["20180306 JP 2018-039217"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.02.05#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要：提供一种适合于高度集成的结构的半导体设备。该半导体设备具有：晶体管，具有栅极部、第一扩散层、以及第二扩散层；第一导电部；第二导电部，与第一导电部电绝缘；第一存储器元件，位于第一扩散层与第一导电部之间并且电连接至第一扩散层和第一导电部；以及第二存储器元件，位于第二扩散层与第二导电部之间并且电连接至第二扩散层和第二导电部。

主权项：1.一种半导体设备，包括：晶体管，包括栅极部、第一扩散层、以及第二扩散层；第一导电部；第二导电部，与所述第一导电部电绝缘；第一存储元件，位于所述第一扩散层与所述第一导电部之间并且电耦接至所述第一扩散层和所述第一导电部中的每个；以及第二存储元件，位于所述第二扩散层与所述第二导电部之间并且电耦接至所述第二扩散层和所述第二导电部中的每个。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 索尼半导体解决方案公司 半导体设备与成像设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD