申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2019-02-22

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN111788685A

主分类号：H01L27/108(20060101)

分类号：H01L27/108(20060101);G11C11/40(20060101)

优先权：["20180227 US 62/635,833"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.12.28#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要：使用三维存储器器件的系统和方法可用于各种应用中，所述三维存储器器件具有垂直地设置在沿水平方向布置的多个柱中的多个存储器单元。在各种实施例中，存储器单元的柱可设置在分别耦合到不同的读出放大器的下数字线与上数字线之间，以提供读取写入操作和刷新操作。在各种实施例中，具有垂直地布置在柱中的存储器单元的阵列的三维存储器器件可包含读出放大器和具有静态随机存取存储器高速缓存的数字线，其中静态随机存取存储器高速缓存设置在同一管芯中的存储器单元的阵列下方。公开了附加的设备、系统和方法。

主权项：1.一种存储器器件，包括：存储器单元的阵列，所述阵列是柱的三维阵列，每个柱具有垂直地堆叠在所述柱中的存储器单元，多个所述柱沿水平方向布置；第一数字线，设置在所述阵列下方，所述第一数字线通过相应的第一选择器件沿所述水平方向耦合到所述柱中的每个柱；第二数字线，位于所述阵列上方，所述第二数字线通过相应的第二选择器件沿所述水平方向耦合到所述柱中的每个柱；第一读出放大器，耦合到所述第一数字线；第二读出放大器，耦合到所述第二数字线；以及输入输出电路，耦合到所述第一读出放大器或所述第二读出放大器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 三维存储器器件

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