申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所

申请日：2019-02-21

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN111788697A

主分类号：H01L29/786(20060101)

分类号：H01L29/786(20060101);G09F9/30(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/82(20060101);H01L21/822(20060101);H01L21/8234(20060101);H01L21/8242(20060101);H01L27/04(20060101);H01L27/088(20060101);H01L27/108(20060101)

优先权：["20180306 JP 2018-039854","20180411 JP 2018-075977","20180808 JP 2018-149313"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.03.12#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要：提供一种抑制特性波动、元件劣化、形状异常或导致绝缘击穿的带电现象的半导体装置。一种半导体装置，在同一平面上包括：第一区域；以及第二区域，其中，第一区域包括晶体管，第二区域包括伪晶体管，晶体管包括第一布线层、配置在第一布线层的上方的包含氧化物的半导体层、配置在半导体层的上方的第二布线层及配置在第二布线层的上方的第三布线层，并且，伪晶体管的面积与选自第一布线层、第二布线层、半导体层及第三布线层中之一个或多个相同。

主权项：1.一种半导体装置，在同一平面上包括：第一区域；以及第二区域，其中，所述第一区域包括晶体管，所述第二区域包括伪晶体管，所述晶体管包括第一布线层、配置在所述第一布线层的上方的包含氧化物的半导体层、配置在所述半导体层的上方的第二布线层及配置在所述第二布线层的上方的第三布线层，并且，所述伪晶体管具有与选自所述第一布线层、所述第二布线层、所述半导体层及所述第三布线层中之一个或多个相同的面积。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置

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