申请/专利权人：上海交通大学

申请日：2020-06-11

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN111785745A

主分类号：H01L27/144(20060101)

分类号：H01L27/144(20060101);H01L27/30(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.08#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要：本发明涉及一种光传感器、光传感装置及其制备方法。所述光传感器包括：衬底；光电晶体管，包括位于所述衬底表面的栅电极、覆盖所述栅电极的绝缘层、位于所述绝缘层表面的源电极和漏电极、以及覆盖于所述源电极和所述漏电极表面的光敏半导体层；第一透明钝化层，位于所述衬底表面且包覆所述光电晶体管；薄膜光敏器件，位于所述第一透明钝化层表面、且与所述光电晶体管错位设置，所述薄膜光敏器件包括位于所述第一透明钝化层表面的下触发电极、位于所述下触发电极表面的光敏功能层、以及位于所述光敏功能层表面的上触发电极；第二透明钝化层，位于所述第一透明钝化层表面且包覆所述薄膜光敏器件。本发明提高传感阵列的刷新速率，降低了功耗。

主权项：1.一种光传感器，其特征在于，包括：衬底；光电晶体管，包括位于所述衬底表面的栅电极、覆盖所述栅电极的绝缘层、位于所述绝缘层表面的源电极和漏电极、以及覆盖于所述源电极和所述漏电极表面的光敏半导体层；第一透明钝化层，位于所述衬底表面且包覆所述光电晶体管；薄膜光敏器件，位于所述第一透明钝化层表面、且与所述光电晶体管错位设置，所述薄膜光敏器件包括位于所述第一透明钝化层表面的下触发电极、位于所述下触发电极表面的光敏功能层、以及位于所述光敏功能层表面的上触发电极；第二透明钝化层，位于所述第一透明钝化层表面且包覆所述薄膜光敏器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海交通大学 光传感器、光传感装置及其制备方法

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