申请/专利权人：南京诚芯集成电路技术研究院有限公司

申请日：2020-06-23

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN111781801A

主分类号：G03F7/20(20060101)

分类号：G03F7/20(20060101);G03F1/68(20120101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.07.23#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要：本发明公开了一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法，根据内拐点将原始版图拆分成多个矩形后，按照第一扩展路径，将相邻的相同走向的矩形进行相反方向的扩展，将相邻的不同走向的矩形进行不同方向的扩展，完成第一次直写，然后按照第一次直写扩展规则，反向所述第一路径进行第二次直写扩展，直至所有矩形扩展完成；同时对第一次直写和第一次直写过程进行冲突判断，并对冲突区域和不合理区域进行处理和调整，对两次直写进行结果验证和规则验证，提高制得的掩模的精度。

主权项：1.一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法，其特征在于，包括：按照扩展规则，将拆分后的图像进行两次相反方向的直写扩展；根据冲突判断结果，对冲突区域和不合理区域进行处理；对两次直写进行结果验证和规则验证。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京诚芯集成电路技术研究院有限公司 一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD