申请/专利权人：武汉理工大学

申请日：2020-06-23

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN111785831A

主分类号：H01L45/00(20060101)

分类号：H01L45/00(20060101);G11C13/00(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.01.31#发明专利申请公布后的驳回;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要：本发明公开了提升In2Se3相变材料多值存储特性的方法，构建出In2Se3的α相和β相的晶体模型；将α相中的四面体位In原子、八面体位In原子分别按比例替换为Sc，形成α相的四面体位的掺杂体系模型以及八面体位的掺杂体系模型；将β相中的八面体位In原子按比例替换为Sc，形成β相的八面体位的掺杂体系模型；建立单质In和单质Sc的模型；对模型进行优化；计算α相和β相的掺杂形成能；计算优化模型的总能量、态密度、能带结构和弹性常数；计算出电导率和电子热导率；计算出晶格热导率与温度之间的关系；比对掺杂前后的热导率、电导率，得出性能更优的相变材料。将满足一定条件的金属元素掺入其中，可以实现提升其存储性能。

主权项：1.一种提升In2Se3相变材料多值存储特性的方法，其特征在于，所述方法包含如下步骤：S1、通过VESTA软件分别构建出In2Se3的α相和β相的晶体模型；S2、将α相中的四面体位In原子按照一定比例替换为Sc，形成α相的四面体位的掺杂体系模型，以及，将α相中的八面体位In原子按照一定比例替换为Sc，形成α相的八面体位的掺杂体系模型；S3、将β相中的八面体位In原子按照一定比例替换为Sc，形成β相的八面体位的掺杂体系模型；S4、建立单质In和单质Sc的模型；S5、将S2、S3和S4中所得模型通过VESTA软件导出为VASP的输入文件，并将输入文件导入VASP软件进行结构优化；S6、计算α相和β相的掺杂形成能，判断掺杂合理性；S7、通过VASP软件计算出优化模型的总能量、态密度、能带结构和弹性常数；S8、将能带结构导入BoltzTraP2中，计算出电导率和电子热导率；S9、将VASP计算出的结果导入到Slack模型中，计算出晶格热导率与温度之间的关系，其中，结果指Slack模型计算晶格热导率Kl所需要的数据；S10、通过比对掺杂前后的电子热导率、晶格热导率、电导率，得出性能更优的相变材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉理工大学 一种提升In₂Se₃相变材料多值存储特性的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD