申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2015-05-04

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN111785775A

主分类号：H01L29/06(20060101)

分类号：H01L29/06(20060101);H01L29/16(20060101);H01L29/165(20060101);H01L29/41(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/775(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/786(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/762(20060101);H01L21/336(20060101);B82Y10/00(20110101);B82Y40/00(20110101)

优先权：["20150203 US 14/612,352"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.19#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要：本发明涉及具有纳米线的半导体结构，包括：衬底；第一纳米线设置在基底上；第二纳米线设置在基底上；第一接触垫设置在第一纳米线的第一端与第二纳米线的第一端；第二接触垫设置在第一纳米线的第二端与第二纳米线的第二端，其中第一接触垫、第二接触垫的材质与第一纳米线、该第二纳米线的材质不同；以及栅极结构包围第一纳米线的部分与第二纳米线的部分。

主权项：1.一种半导体结构，包含：基底；第一纳米线设置在该基底上；第二纳米线设置在该基底上；第一接触垫设置在该第一纳米线的第一端与该第二纳米线的第一端；第二接触垫设置在该第一纳米线的第二端与该第二纳米线的第二端，其中该第一接触垫、该第二接触垫的材质与该第一纳米线、该第二纳米线的材质不同；以及栅极结构包围该第一纳米线的部分与该第二纳米线的部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 具有纳米线的半导体结构

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