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【发明公布】一种富集112Cd靶的制备方法_四川大学_202010634014.4 

申请/专利权人:四川大学

申请日:2020-07-02

公开(公告)日:2020-10-16

公开(公告)号:CN111778522A

主分类号:C25C1/16(20060101)

分类号:C25C1/16(20060101);C25D1/00(20060101);H05H6/00(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.11.30#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要:本发明公开了一种富集112Cd靶的制备方法,基于硫酸盐电镀体系,采用电沉积法制备富集112Cd靶,电沉积液成分为:112Cd2+浓度为18‑22gL,H+浓度为2‑3molL,C6H5OH浓度为4‑5gL,C2H5OH体积分数为20‑30%;电沉积参数为:电流密度为2.5‑5mAcm2,电沉积时间为18‑24h,阳极用于负载靶物质的表面具有面积为3.4㎝2的沉积区和非沉积区,所述非沉积区覆盖绝缘层。本发明通过优化电沉积液组分和电沉积参数,在低浓度下进行镉靶制备,同时核反应有效面积控制在电沉积面积内,使每个靶片的镀镉量由传统的1‑1.5g减少至0.2‑0.3g,有效减少镉的用量,极大地降低了镉靶成本,填补了国内富集112Cd靶制备的空白。

主权项:1.一种富集112Cd靶的制备方法,其特征在于:采用基于硫酸盐体系的电沉积法制备富集112Cd靶,包括以下步骤:1配置电沉积液,利用含112Cd化合物、无水乙醇、苯酚、浓度为5-10molL的硫酸溶液和去离子水混合均匀配置电沉积液,电沉积液中112Cd2+浓度为10-25gL,H+浓度为0.5-5.5molL,C6H5OH浓度为3-6gL,C2H5OH体积分数为20%-40%;2电沉积,将配制好的电沉积液置于电沉积槽内,阳极与阴极平行安装,阳极上设计有用于负载靶物质的表面具有面积为3.4㎝2的沉积区和非沉积区,质子与富集112Cd发生核反应的位置为速斑,速斑位于沉积区内,非沉积区覆盖绝缘层;然后在搅拌条件下,按照设定的电沉积参数进行电沉积得到富集Cd112靶,电沉积参数为:电流密度为2.5-7.5mAcm2,电沉积时间为12-24h。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 四川大学 一种富集112Cd靶的制备方法

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