申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-07-07

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN111785726A

主分类号：H01L27/11529(20170101)

分类号：H01L27/11529(20170101);H01L27/11551(20170101);H01L27/11573(20170101);H01L27/11578(20170101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.13#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要：本发明提供了一种电路芯片，包括：具有器件区域与间隔区域的衬底；形成于衬底上的晶体管电路，包括排布于器件区域上的多个晶体管单元；形成于衬底中的引出结构，位于晶体管单元之间的器件区域；形成于衬底上的接触结构，并接触引出结构；形成于衬底中的贯穿衬底连接线，位于器件区域，且与引出结构构成连接；形成于衬底中的背侧深沟槽隔离结构，位于间隔区域，用于电隔离相邻的晶体管单元，本发明提供的电路芯片通过在晶体管单元之间设置引出结构、接触结构、贯穿衬底连接线以及背侧深沟槽隔离结构，而使该电路芯片在其高压NMOS器件之间不会发生穿通、且其电性可以引出的前提下，其高压NMOS器件之间的间距能继续缩小，从而减小了电路芯片的尺寸。

主权项：1.一种电路芯片，其特征在于，所述电路芯片包括：衬底，包括器件区域与间隔区域；晶体管电路，形成于所述衬底上，包括排布于所述器件区域上的多个晶体管单元；引出结构，形成于所述衬底中，位于所述晶体管单元之间的所述器件区域；接触结构，形成于所述衬底上，并接触所述引出结构；贯穿衬底连接线，形成于所述衬底中，位于所述器件区域，且具有一端连接至所述电路芯片的一侧，以及与所述接触结构相连接的另一端，从而可以与所述引出结构构成连接；背侧深沟槽隔离结构，形成于所述衬底中，位于所述间隔区域，所述背侧深沟槽隔离结构用于电隔离相邻的所述晶体管单元。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 电路芯片、三维存储器以及制备三维存储器的方法

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