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【发明公布】形成金属硅化物的退火工艺、装置及金属接触层形成方法_上海华力集成电路制造有限公司_202010679523.9 

申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司

申请日:2020-07-15

公开(公告)日:2020-10-16

公开(公告)号:CN111785622A

主分类号:H01L21/285(20060101)

分类号:H01L21/285(20060101);H01L21/66(20060101);H01L21/67(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/423(20060101);H01L21/336(20060101);G05D23/19(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.10.21#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要:本发明涉及形成金属硅化物的退火工艺,涉及半导体集成电路技术,在作为半导体器件的栅极、源极和漏极上的金属接触层的金属硅化物的形成过程中的退火工艺中,在晶圆的至少一侧设置多个热源,多个热源覆盖晶圆表面及晶圆周侧的区域,并设置开关单元,用于控制每个热源的温度,首先获得晶圆面内形成的金属层的厚度分布数据,然后根据金属层的厚度分布数据计算每一热源的目标温度,并使开关单元控制每一热源工作在其目标温度以对晶圆进行退火工艺,而使形成的金属硅化物的厚度在晶圆面内及电阻片内均匀度好,而提高接触电阻的均匀度,进而提高器件性能,继而提高器件良率。

主权项:1.一种形成金属硅化物的退火工艺,其特征在于,包括:S1:提供一晶圆,晶圆上包括形成的栅极结构及位于栅极结构两侧的源极和漏极,并在栅极结构、源极和漏极上形成有金属层;S2:将晶圆置于一退火装置中,该退火装置包括多个热源和一开关单元,多个热源置于晶圆的至少一侧,并覆盖晶圆的至少一侧的表面及晶圆周侧的区域,开关单元连接每一热源;以及S3:获得晶圆面内形成的金属层的厚度分布数据,根据金属层的厚度分布数据计算每一热源的目标温度,开关单元根据每一热源的目标温度控制每一热源工作在其目标温度以对晶圆进行退火工艺。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海华力集成电路制造有限公司 形成金属硅化物的退火工艺、装置及金属接触层形成方法

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