申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司
申请日:2020-07-15
公开(公告)日:2020-10-16
公开(公告)号:CN111785725A
主分类号:H01L27/11524(20170101)
分类号:H01L27/11524(20170101);H01L27/11556(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2021.02.23#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开
摘要:本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种三维存储器的形成方法。所述三维存储器的形成方法包括如下步骤:形成第一堆叠层于衬底表面;形成连接层于所述第一堆叠层背离所述衬底的表面,所述连接层中具有暴露所述第一堆叠层的开口;沿所述开口刻蚀所述第一堆叠层,形成贯穿所述第一堆叠层的第一沟道孔,所述第一沟道孔的孔径小于所述开口的宽度;形成填充层于所述第一沟道孔和所述开口内。本发明简化了扩大连接层中开口尺寸的步骤,降低了三维存储器的制造难度。
主权项:1.一种三维存储器的形成方法,其特征在于,包括如下步骤:形成第一堆叠层于衬底表面;形成连接层于所述第一堆叠层背离所述衬底的表面,所述连接层中具有暴露所述第一堆叠层的开口;沿所述开口刻蚀所述第一堆叠层,形成贯穿所述第一堆叠层的第一沟道孔,所述第一沟道孔的孔径小于所述开口的宽度;形成填充层于所述第一沟道孔和所述开口内。
全文数据:
权利要求:
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