申请/专利权人：西南交通大学

申请日：2020-07-16

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN111785833A

主分类号：H01L45/00(20060101)

分类号：H01L45/00(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态：2021.11.23#发明专利申请公布后的撤回;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要：本发明公开了一种基于螺旋状GO掺杂的铁酸铋忆阻器件制备方法，包括以下步骤：S1、制备螺旋状的GO材料；S2、制备旋涂液；S3、清洗衬底：分别用去离子水、乙醇、去离子水超声清洗衬底各25～30min，每次清洗后在真空干燥箱中烘干衬底；S4、旋涂薄膜：将混合旋涂液滴于清洗好的的衬底上；S5、制备上电极：在旋涂好的薄膜表面沉积金属上电极，获得基于螺旋状GO掺杂的铁酸铋作为介电层的忆阻器件。本发明提供一种基于螺旋状GO掺杂的铁酸铋作为介电层的忆阻器件制备方法，可操作性强，适于产业化生产；有望为将来开发新型多功能电子器件，为生物医学提供存储应用，为实现更优异的性能的电子器件提供新的途径。

主权项：1.一种基于螺旋状GO掺杂的铁酸铋忆阻器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、制备螺旋状的GO材料；S2、制备旋涂液；S3、清洗衬底：分别用去离子水、乙醇、去离子水超声清洗衬底各25～30min，每次清洗后在真空干燥箱中烘干衬底，除去残留在衬底表面的溶剂；S4、旋涂薄膜：将S2制备好的混合旋涂液滴于清洗好的的衬底上，以1000～1500rpm的转速在衬底上旋涂20～40s，在衬底表面形成一层螺旋状GO掺杂的铁酸铋薄膜，将旋涂后的衬底放置于30～50℃的真空烘箱干燥20～24h，除去溶液中多余水分；S5、制备上电极：在旋涂好的薄膜表面沉积金属上电极，获得基于螺旋状GO掺杂的铁酸铋作为介电层的忆阻器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西南交通大学 一种基于螺旋状GO掺杂的铁酸铋忆阻器件制备方法

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