申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司
申请日:2020-07-27
公开(公告)日:2020-10-16
公开(公告)号:CN111785655A
主分类号:H01L21/66(20060101)
分类号:H01L21/66(20060101);H01L21/67(20060101);H01L21/265(20060101);H01J37/317(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回
法律状态:2023.07.14#发明专利申请公布后的驳回;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开
摘要:本发明公开了一种离子注入工艺在线监控方法,包括在晶圆的芯片单元中选择至少一个作为量测单元;每个量测单元中定义有至少一个量测位置,每个量测位置对应监测预设量测区域的某一种工艺阶段的JPV方块电阻;选定工艺执行光刻步骤同时将该工艺对应量测单元的位置曝光;执行离子注入工艺步骤同时对量测单元位置完成离子注入;进行去胶和清洗工艺,在退火工艺之后,对量测单元该选定工艺对应的量测位置进行JPV方块电阻量测;根据JPV方块电阻量测值和阈值判断是否发生工艺异常。本发明还公开了一种离子注入工艺在线监控系统。本发明能准确对整个生产流程中各工艺阶段的离子注入工艺进行在线监控,保证工艺的稳定性和可靠性,确保产品的良率与品质。
主权项:1.一种离子注入工艺在线监控方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,在晶圆的芯片单元中选择至少一个作为量测单元;S2,每个量测单元中定义有至少一个量测位置,每个量测位置对应监测预设量测区域的某一种工艺阶段的JPV方块电阻;S3,选定工艺,执行光刻步骤同时将该工艺对应量测单元的位置曝光;S4,执行离子注入工艺步骤同时对量测单元位置完成离子注入;S5,进行去胶和清洗工艺,在退火工艺之后,对量测单元该选定工艺对应的量测位置进行JPV方块电阻量测;S6,若JPV方块电阻量测值小于阈值,则该选定量测工艺正常,进行后续工艺;若JPV方块电阻量测值大于等于阈值,需要查找该选定量测工艺异常原因并立即对超规格晶圆进行标记处理。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 上海华力集成电路制造有限公司 离子注入工艺在线监控方法及监控系统
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。